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公开(公告)号：CN1018002B
公开(公告)日：1992-08-26
申请号：CN90102476.7
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/02
Abstract: 引上法制造硅单晶的设备，包括一个将硅粒原料连续送进坩埚的加料装置。该装置包括一个充有减压惰性气体的箱体，箱体内部安装一个转筒，转筒外圆表面上有多个能截住颗粒原料的部件，在转筒上方装量一个贮料斗。加料装置的配布要使贮料斗底部排出口与转筒外圆表面之间的距离(缝隙)要大于硅粒的最大直径，且该距离(缝隙)的最大值要足以使得硅粒能以一个静止角堆积在这个距离(缝隙)上。转筒外圆表面上能截住颗粒的部件采取各种任何凸起或沟槽的形式。
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公开(公告)号：CN1051207A
公开(公告)日：1991-05-08
申请号：CN90102209.8
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/14 , C30B15/12 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068
Abstract: 在一种连续装入原料类型的硅单晶制造设备中，设有一个隔件将石英坩埚内的熔体分成单晶生长区和材料熔化区，还有一个将该材料熔化区上方遮盖起来的金属持热板。该金属持热板用来防止隔件内侧上硅熔体凝固，并防止硅单晶过冷。金属持热板厚度为3mm或更薄，而其材料为钽或钼。再者，该持热板包括具有多个开孔的直体部位，用来调节单晶温度。
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公开(公告)号：CN1295627A
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：CN99804451.2
申请日：1999-03-31
Applicant: 日本钢管株式会社
Inventor： 石井俊夫 , 石冈宗浩 , 野村修二 , 大崎恭纪 , 畠山诚之 , 赤司健太郎 , 永山隆治 , 原田耕造 , 宫川洋一 , 国冈计夫 , 荒木健治 , 石田信之 , 山下敬士 , 桑名照久 , 上杉基
IPC: C23C2/00
Abstract: 热镀锌时,把贮存熔融金属的施镀容器分割成镀槽和除渣槽,钢带浸渍在镀槽的熔融金属浴中进行热镀锌,把镀槽的熔融金属浴向除渣槽输送,在除渣槽去除熔融金属浴中的锌渣,通过镀槽上设置的开口使除渣槽的熔融金属浴返回镀槽。施镀装置包括:镀槽、除渣槽、把镀槽的熔融金属浴向除渣槽输送的输送装置和为了使除渣槽的烷融金属浴返回镀槽而在镀槽上设置的开口。
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公开(公告)号：CN1273612A
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：CN99801104.5
申请日：1999-06-29
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C21D9/52 , C21D8/0273 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/04
Abstract: 本发明是具有将含有C:0.1wt%以下,N:0.001～0.015wt%的低碳铝镇静钢的冷轧后的钢板使用连续退火在再结晶温度以上的温度加热、均热的工序、再结晶后以超过100℃/sec、不到300℃/sec的平均冷却速度一次冷却到350～480℃温度区域的工序,一次冷却后不再加热的过时效处理的工序和过时效处理后进行最终冷却并调质轧制的工序的,且在再结晶温度以上根据所希望的调质度变化均热温度的,不根据调质度大致规定一次冷却以后热循环的使用连续退火的罐用表面处理钢板的原板的制造方法。按照该方法使用小型、设备费便宜、简单的CAL设备,不降低生产率和合格率,而且可廉价稳定地分别制造从软质材到硬质材的全范围调质度的原板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1020481C
公开(公告)日：1993-05-05
申请号：CN88108387
申请日：1988-12-08
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/02 , C30B15/14 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 按照本发明，用一个隔板环将放有熔化原料的坩埚的内部隔开，从而使被提拉的单晶被包围并且使熔化原料可以流动，颗粒状硅加到隔板环的外侧，从而使外侧的熔化液体成为一个颗粒状硅的可溶区域，以保持隔板环内侧的熔化液面几乎保持恒定，并且用一块保温板覆盖隔板环及其外侧的熔化液面，使隔板环外侧的熔化液体温度至少比其内部的温度高出10℃，或更高些。
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公开(公告)号：CN1048900A
公开(公告)日：1991-01-30
申请号：CN90102475.9
申请日：1990-03-30
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 在本发明的单晶硅制造设备中，有一热辐射屏在单晶生长区上方，以屏蔽和调节来自单晶生长区中熔融硅表面的热辐射，而降低坩埚温度从而降低单晶中的氧浓度以减少熔融硅中的氧量。该热辐射屏包括一用金属板覆盖的耐火纤维材料，一多层金属薄板组合件或一电阻加热元件。此外，坩埚内部还被一加工成许多小孔在隔离部件隔开，或一石英管沿该隔离件的圆周方向延伸安装在其内侧，使熔融硅从物料熔化区流畅地流向单晶生长区并从而提供有效的措施。
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公开(公告)号：CN1101857C
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN99801104.5
申请日：1999-06-29
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C21D9/52 , C21D8/0273 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/04
Abstract: 本发明是具有将含有C：0.1wt%以下，N：0.001～0.015wt%的低碳铝镇静钢的冷轧后的钢板使用连续退火在再结晶温度以上的温度加热、均热的工序、再结晶后以超过100℃/sec、不到300℃/sec的平均冷却速度一次冷却到350～480℃温度区域的工序，一次冷却后不再加热的过时效处理的工序和过时效处理后进行最终冷却并调质轧制的工序的，且在再结晶温度以上根据所希望的调质度变化均热温度的，不根据调质度大致规定一次冷却以后热循环的使用连续退火的罐用表面处理钢板的原板的制造方法。按照该方法使用小型、设备费便宜、简单的CAL设备，不降低生产率和合格率，而且可廉价稳定地分别制造从软质材到硬质材的全范围调质度的原板。
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公开(公告)号：CN1056135A
公开(公告)日：1991-11-13
申请号：CN91102532.4
申请日：1991-04-13
Applicant: 日本钢管株式会社
Abstract: 一种大直径单晶硅生产设备，具有一旋转式石英坩埚、一电阻式加热器、一具有连通孔的石英分隔件、一保温盖等。开在分隔件上的连通孔其横截面的总面积A，当原料进料速度在30与50克/分子之间时在80与100平方毫米之间，当原料进料速度在50至80克/分的范围时不小于130平方毫米，但不大于1200平方毫米，当原料进料速度在80至130克/分的范围时不小于220平方毫米，但不大于1600平方毫米。
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公开(公告)号：CN1047894A
公开(公告)日：1990-12-19
申请号：CN90100791.9
申请日：1990-02-17
Applicant: 日本钢管株式会社
CPC classification number: C30B15/12 , Y10S117/90 , Y10T117/1052
Abstract: 一种单晶硅生产装置，包括一个置于石墨坩埚内的石英坩埚、隔板和加热器，隔板将石英坩埚中的熔融硅料分成两部分。内侧是单晶硅生长部分，外侧是材料熔化部分；加热器用以使单晶硅生长部分中的熔融硅料保持在适于单晶硅生长的温度下，并为熔化装进材料熔化部分的原材料提供热量；隔板上开有一些小孔。隔板的材料为不透明的石英玻璃。向材料熔化部分加入原材料而从单晶硅生长部分拉出单晶硅。熔融硅料通过隔板小孔由材料熔化部分流入晶体生长部分。
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