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公开(公告)号：CN103003717B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201280002051.7
申请日：2012-04-24
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2002 , C04B35/50 , G01T1/2008 , Y10T29/49002
Abstract: 本发明提供一种闪烁器阵列的制造方法，在第一及第二闪烁器基板上分别形成多个槽之后在与槽正交的方向上进行切断，从而形成具有单元部的第一及第二闪烁器条块，将多组第一及第二闪烁器条块按照单元部朝下的方式隔着隔离体而排列固定在支撑板上，通过研磨除去第一及第二闪烁器条块各自的连结部，形成第一及第二单元分别排成一列的第一及第二单元阵列，向第一及第二单元阵列的槽及间隙中填充反射材料用树脂，使其硬化后将支撑板除去，从而形成一体的树脂硬化集合体，通过将第一及第二单元阵列的相邻的组之间的树脂层切断，将树脂硬化集合体按第一及第二单元阵列的组进行分割，来制造双阵列型的闪烁器阵列。
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公开(公告)号：CN104769455B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380056009.8
申请日：2013-10-23
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2008 , Y10T156/1074
Abstract: 本发明提供一种制造放射线检测器的方法，该放射线检测器具有：多个第一闪烁器单元和第二闪烁器单元，它们为了使放射线能量的检测灵敏度分布不同而由不同组成的闪烁器构成；多个受光元件；反射层，该方法包括如下工序：自第一闪烁器板和第二闪烁器板分别获得第一闪烁器单元阵列和第二闪烁器单元阵列的工序，该第一闪烁器单元阵列和第二闪烁器单元阵列隔着反射层分别具有至少m×n个(m和n分别为2以上的自然数，可以相同也可以不同。)第一闪烁器单元和第二闪烁器单元；切割第一闪烁器单元阵列和第二闪烁器单元阵列，分别获得第一单阵列和第二单阵列的工序，该第一单阵列和第二单阵列隔着反射层分别具有至少m×1个第一闪烁器单元和第二闪烁器单元；对第一单阵列和第二单阵列与具有至少m×2个的受光元件的受光元件阵列进行对准的工序；将第一单阵列和第二单阵列与受光元件阵列粘接起来的工序。
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公开(公告)号：CN101248371A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200680031189.4
申请日：2006-03-13
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/2002
Abstract: 本发明提供一种能够提供高清晰度和高分辨率CT光图像的多通道阵列辐射探测器。辐射探测器具有在长度方向和宽度方向安排成点阵的半导体光探测元件和与它们一对一地安排的闪烁器元件。该闪烁器元件具有在闪烁器元件的侧表面形成的薄的金属光反射材料层、和由混合了充填在邻接的金属光反射材料层之间的重金属元素粒子的树脂组成的辐射屏蔽层。
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公开(公告)号：CN106715646B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201580052427.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 新田英雄
Abstract: 荧光材料具有以(Gd1‑α‑β‑γRαCeβTbγ)3+a(Al1‑u‑vGauScv)5‑bO12所表示的组成，上述R是Y和Lu中的至少一种，上述a、b、α、β、γ、u、v满足下述范围，0≤a≤0.1，0≤b≤0.1，0≤α≤0.8，0.0003≤β≤0.005，0.02≤γ≤0.2，0.27≤u≤0.75，0≤v≤0.02，相对密度为99％以上，有效原子序数为35以上60以下。
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公开(公告)号：CN106715646A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580052427.9
申请日：2015-09-30
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 新田英雄
Abstract: 荧光材料具有以(Gd1‑α‑β‑γRαCeβTbγ)3+a(Al1‑u‑vGauScv)5‑bO12所表示的组成，上述R是Y和Lu中的至少一种，上述a、b、α、β、γ、u、v满足下述范围，0≤a≤0.1，0≤b≤0.1，0≤α≤0.8，0.0003≤β≤0.005，0.02≤γ≤0.2，0.27≤u≤0.75，0≤v≤0.02，相对密度为99％以上，有效原子序数为35以上60以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104115233A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201380009495.8
申请日：2013-03-07
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: G21K4/00 , C09K11/7774 , C09K11/883 , G01T1/20 , G01T1/2008 , Y10T29/49888
Abstract: 一种闪烁器双阵列的制造方法，其将具有不同的X射线能量检测灵敏度分布且具有相同间隔的多个平行的槽的第一闪烁器条块阵列和第二闪烁器条块阵列以两者的闪烁器条块沿层叠方向排列的方式借助中间层用树脂层接合起来，将所得到的条块阵列接合体沿着与闪烁器条块交差的方向切断，并利用树脂覆盖所得到的条块阵列接合体片的一方的断面。
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公开(公告)号：CN105637062B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201480055626.0
申请日：2014-09-10
Applicant: 日立金属株式会社
CPC classification number: C09K11/7771 , C01F17/0093 , C01P2004/51 , C04B35/5156 , C04B35/547 , C04B35/6261 , C04B35/62645 , C04B35/6265 , C04B2235/3224 , C04B2235/3229 , C04B2235/44 , C04B2235/442 , C04B2235/443 , C04B2235/444 , C04B2235/447 , C04B2235/448 , C04B2235/449 , C04B2235/604 , C04B2235/662 , C04B2235/77 , G01T1/20 , G21K4/00
Abstract: 一种陶瓷闪烁体的制造方法，其特征在于，包括：将稀土化合物与硫酸和/或硫酸盐混合并进行反应而得到产物的混合工序，对产物进行预烧而得到预烧粉的预烧工序，将预烧粉还原而得到稀土氧硫化物粉末的还原工序，将稀土氧硫化物粉末成型而得到成型体的成型工序，和对成型体进行烧结的烧结工序；其中，在至少还原工序之前，包括调整产物和/或预烧粉的粒径的粉碎工序。
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公开(公告)号：CN104204855B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380017892.X
申请日：2013-03-14
Applicant: 日立金属株式会社
Inventor： 新田英雄
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2002 , B32B37/24 , B32B38/0012 , B32B38/10 , B32B2037/243 , B32B2038/0016 , G01T1/20
Abstract: 一种闪烁器阵列的制造方法，其具有如下工序：借助双面粘合片(至少与闪烁器基板粘接的粘接面是热剥离型的)将闪烁器基板固定于支承板，在闪烁器基板上形成格子状的槽而形成多个闪烁器单元，将反射材料用液状硬化性树脂填充到闪烁器单元的间隙，通过对反射材料用液状硬化性树脂加热使其硬化而形成闪烁器单元树脂硬化体，接着，通过加热使双面粘合片从闪烁器单元树脂硬化体剥离。
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公开(公告)号：CN101248371B
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN200680031189.4
申请日：2006-03-13
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: G01T1/20
CPC classification number: G01T1/2018 , G01T1/2002
Abstract: 本发明提供一种能够提供高清晰度和高分辨率CT光图像的多通道阵列辐射探测器。辐射探测器具有在长度方向和宽度方向安排成点阵的半导体光探测元件和与它们一对一地安排的闪烁器元件。该闪烁器元件具有在闪烁器元件的侧表面形成的薄的金属光反射材料层、和由混合了充填在邻接的金属光反射材料层之间的重金属元素粒子的树脂组成的辐射屏蔽层。
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公开(公告)号：CN1140702A
公开(公告)日：1997-01-22
申请号：CN96110444.9
申请日：1996-06-28
Applicant: 日立金属株式会社
IPC: C04B35/00
CPC classification number: C01G49/06 , C01P2004/51 , C01P2004/61 , C01P2006/21 , C04B35/01
Abstract: 一种非磁性基片材料，包含作为主组分的Fe2O3，以及材料总量的0.1-5wt％的Nd2O3和Gd2O3中的至少一种。通过添加Nd2O3和/或Gd2O3，材料中晶粒最大尺寸被调整至5μm以下。由此改善了由其制成的悬浮式磁头的CSS特性，并使悬浮高度小且恒定。
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