公开(公告)号：CN103508940B

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201310250838.1

申请日：2013-06-21

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

发明人： 邱勇 ,  范洪涛

IPC分类号： C07D213/06 ,  C07D215/04 ,  C07D217/02 ,  C07D235/18 ,  C07D277/66 ,  C07D271/107 ,  C07C25/22 ,  C07C17/093 ,  C07C17/16 ,  H01L51/54

摘要： 本发明涉及一类如式（1）所示的化合物，其中：当R5、R6同时为H时，R7、R8分别独立地选自C5‑C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃，且R1、R2分别独立地选自具有C1‑C30的直链或支链烃基，C6‑C30的取代或未取代的苯环，或者稠环芳烃；或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物；或者，当R7、R8同时为H时，R5、R6分别独立地选自C5‑C30的含氮杂环、取代氮杂环或者稠含氮杂环芳烃，且R1、R2分别独立地选自具有C1‑C30的直链或支链烃基，C6‑C30的取代或未取代的苯环，或者稠环芳烃；或者R1、R2通过其他基团连接形成环状化合物。本发明还保护此类化合物在有机电致发光器件中的应用，尤其是作为OLED器件中的电子传输材料、荧光或者红色磷光主体材料。

公开(公告)号：CN103665048B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210536230.0

申请日：2012-12-12

申请人： 清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司 ,  昆山维信诺显示技术有限公司

发明人： 乔娟 ,  陶然 ,  邱勇

IPC分类号： C07F15/00 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

摘要： 本发明涉及一种新型的金属配合物及其在有机发光器件中的应用，该用作近红外发光的金属铱配合物结构通式为LnIrX(3-n)，其中X选自乙酰丙酮、二苯甲酰基甲烷、二叔戊酰甲烷或吡啶甲酸，n选自1、2或3，L选自以下结构式L1、L2或L3，其中R1—R9分别独立地选自氢原子、碳原子数为1-10的烷基、碳原子数为1-10的烷氧基、碳原子数为1-10的烷基氨基、咔唑基、氟原子、三氟甲基和碳原子数为5-18的芳香基团；Ar表示碳原子数为5-18的芳基、碳原子数为5-18的杂环芳基。本发明的金属配合物具有发光寿命短，发光效率高的优点，使用该发光材料制备的有机发光器件，具有大电流密度下高发光效率的特性。结构式L1、结构式L2、结构式L3。

公开(公告)号：CN103219229B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310104614.X

申请日：2013-03-28

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司

发明人： 魏博 ,  邱勇 ,  李俊峰

IPC分类号： H01L21/268 ,  H01L21/67

摘要： 本发明公开了一种激光晶化工艺（ELA）不均匀性的量化判断方法及其反馈系统，该系统主要包括：探测装置，用于检测多晶硅少数载流子寿命；计算评级模块，用于收集检测数据，计算并分类统计结果；反馈调节模块，用于收集评级结果并控制激光晶化设备的自动调整。利用本发明的量化判断方法及其反馈系统，不但能够对多晶硅不均匀性（多晶硅mura）进行量化判断，还能够将检测评判结果通过反馈系统反馈给工艺设备，进行及时调整，以减少产品损失和提高良率。

公开(公告)号：CN102456850B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110293711.9

申请日：2011-09-29

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

发明人： 邱勇 ,  吴空物

IPC分类号： H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  G02B27/34 ,  G02B23/00

摘要： 本发明提供一种OLED分划板的制作方法，其包括如下步骤：在基板上蒸镀OLED的阳极层，将阳极层形成为瞄准标记的形状；在所述OLED的阳极层上依次蒸镀有机功能层、发光层和阴极层。本发明还提供一种OLED分划板，其包括OLED，所述OLED包括基板和依次层叠在基板上的阳极层、有机功能层、发光层和阴极层，所述OLED的阳极层具有瞄准标记的形状。另外，本发明还提供一种使用本发明的OLED分划板的反射式瞄准镜。利用本发明，可以使反射式瞄准镜中分划板和照明光学系统所占的空间大大减少。

公开(公告)号：CN103570629B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201210264285.0

申请日：2012-07-27

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

发明人： 邱勇 ,  李银奎 ,  段炼 ,  范洪涛 ,  任雪艳

IPC分类号： C07D239/26 ,  C07D403/14 ,  C07D239/42 ,  C07D241/12 ,  C07D241/20 ,  C07D251/24 ,  C07D251/22 ,  C09K11/06 ,  H01L51/54

摘要： 本发明提供了一种新型化合物，其结构用式(I)表示。其中R1至R5分别独立选自C1～C20的脂肪族烷基或C6～C20的芳香族基团；Ar选自C4～C30的芳环、C4～C30的含N杂环、C4～C30的稠合杂环芳烃、C4～C30的芳氨基或C4～C30的芳氧基；n为1或2；A1至A4为N原子或C原子；当A1、A3同时为N原子时，A2和A4为C原子；或者，当A1、A4同时为N原子时，A2和A3为C原子；或者，当A2、A4同时为N原子时，A1和A3为C原子；或者，当A3、A4同时为N原子时，A1和A2为C原子；或者，A1、A3、A4同时为N原子时，A2为C原子；L为单键或C6～C10的芳环或C4～C10的含N杂环。该类化合物在有机电致发光器件中用作电子传输层材料或发光主体材料。

公开(公告)号：CN103022077B

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201210504990.3

申请日：2012-11-30

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

发明人： 邱勇 ,  段炼 ,  胡永岚 ,  张国辉 ,  董艳波 ,  王静

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

摘要： 本发明属于OLED装置领域，涉及一种控制元件由包含氧化锌锡的薄膜晶体管组成的OLED装置。本发明所述的薄膜晶体管的氧化锌锡薄膜的制备方法，包括将含有锌离子的前驱体材料、含有锡离子的前驱体材料以及助溶剂溶解于溶剂中，充分溶解，得到前驱体溶液；并将前驱体溶液在待涂布面上涂布成薄膜后进行热处理程序等步骤。本发明所述的方法制备得到的氧化锌锡薄膜可以使薄膜晶体管获得较大的载流子迁移率，含有该氧化物薄膜晶体管的OLED装置的发光性能极好。

公开(公告)号：CN103183693B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201110460055.7

申请日：2011-12-31

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

发明人： 邱勇 ,  刘飞 ,  李银奎

IPC分类号： C07F5/02 ,  H01L51/54

摘要： 本发明涉及一种式(I)的硼杂苯并芘衍生物，其中R1、R2、R3、m、n和q具有说明书中所述的含义。本发明还涉及式(I)的硼杂苯并芘衍生物的制备方法、包含所述物质的有机电致发光材料和有机电致发光器件以及所述物质在有机电致发光照明及显示技术领域中的用途。

公开(公告)号：CN103022376B

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201210517302.7

申请日：2012-12-06

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

发明人： 邱勇 ,  刘嵩 ,  李建仁

IPC分类号： H01L51/52 ,  H01L51/54

摘要： 本发明涉及一种OLED器件，包括基板以及依次设置在所述基板上的阳极、有机层和阴极，所述阴极为透明复合阴极，包括透明金属层和设置在所述金属层上的增透层，所述增透层材料选自茚並芴衍生物或并二芴衍生物。所述增透层所选用的材料能隙大，避免了材料本身对出射光的吸收，具有极佳的透光性；而且含有N、S等杂原子，能够提供较大的折射率，有利于光通过金属层射出，提高OLED器件的发光效率，改善器件的视角特性。在所述透明复合阴极中，由于低功函数金属含量适度，可以有效降低阴极的功函数，具有较好的电子注入效率，并大量吸收可见光，使得所述的OLED器件具有很高的透光效率和色纯度。

公开(公告)号：CN103002624B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201110269615.0

申请日：2011-09-13

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 ,  清华大学 ,  北京维信诺科技有限公司

发明人： 邱勇 ,  朱晖 ,  吴空物

IPC分类号： H05B37/02

摘要： 本发明提供一种有源有机发光二极管照明装置，其由外部控制电源供电。该有源有机发光二极管照明装置包括至少一个靠近外部控制电源的发光像素单元和至少一个远离外部控制电源的发光像素单元。每个发光像素单元包括一个有机发光二极管、和一个或多个TFT。在每个发光像素单元中，TFT的栅极、漏极都连接到外部控制电源，TFT的源极连接到发光像素单元中的有机发光二极管的阳极，有机发光二极管的阴极接地，其中，靠近外部控制电源的发光像素单元中的TFT沟道宽长比小于远离外部控制电源的发光像素单元的TFT沟道宽长比，以减轻远离外部控制电源对TFT供流能力变弱所带来的影响。本发明的照明装置，电路简单，开口率高，产品可靠性好。

公开(公告)号：CN102542987B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110451084.7

申请日：2011-12-29

申请人： 昆山维信诺显示技术有限公司 ,  北京维信诺光电技术有限公司

发明人： 邱勇 ,  徐粤

IPC分类号： G09G3/32 ,  G09G3/20

摘要： 本发明涉及一种像素驱动电路和使用该像素驱动电路的显示电路，所述像素驱动电路均采用半导体器件制作，半导体器件体积小，可以留给发光器件足够的空间，保证其发光面积，进而保证其显示亮度，同时也方便加工制造；本发明的像素驱动电路摒弃了现有驱动电路中都采用的电容，信号控制过程都通过半导体器件采用开关控制，实现了对像素打开和关断的精确调节，保证各像素间显示亮度的均匀和一致性，保证显示效果。