-
公开(公告)号：CN110676278A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911095816.6
申请日：2019-11-11
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种时间延迟积分的CMOS图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括：基底，所述基底包括若干光电区，每个所述光电区包括沿所述第一方向排布的第一光电区、第一隔离区以及第二光电区，所述第一隔离区内具有若干相互分立的源漏区；位于每个所述光电区的基底表面的若干栅极组单元，每个所述栅极组单元包括第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构，所述第一栅极结构位于所述第一光电区的基底表面，所述第二栅极结构位于所述第二光电区的基底表面，所述第三栅极结构位于所述第一隔离区的基底表面，每个第三栅极结构在所述基底表面的投影包围一个所述源漏区在所述基底表面的投影。从而提高了时间延迟积分的CMOS图像传感器的性能。
-
公开(公告)号：CN109411499A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811288617.2
申请日：2018-10-31
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14616 , H01L27/14605 , H01L27/14689
摘要： 一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS-TDI图像传感器包括：基底，所述基底包括相邻的第一区和第二区，所述第一区和第二区基底内具有第一离子；位于所述第一区基底内的第一沟道，所述第一沟道内具有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反；位于所述第一沟道表面的第一栅极结构；位于所述第二区基底表面的第二栅极结构。所述CMOS-TDI图像传感器的电荷读出效率较高，且暗电流较小。
-
公开(公告)号：CN109273477A
公开(公告)日：2019-01-25
申请号：CN201811287206.1
申请日：2018-10-31
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS-TDI图像传感器包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的若干个相互分立的第一掺杂区；位于各个像素区基底表面的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个第一掺杂区。利用所述CMOS-TDI图像传感器能够提高电荷传输效率，改善图像质量。
-
公开(公告)号：CN109216394A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811288580.3
申请日：2018-10-31
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS-TDI图像传感器，包括：基底，所述基底包括若干个像素区；位于各个所述像素区基底内的第一掺杂区，所述第一掺杂区内具有第一离子，所述第一掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第一浓度；位于所述第一掺杂区底部基底内的第二掺杂区，第二掺杂区的顶部与第一掺杂区的底部接触，所述第二掺杂区内也具有第一离子，所述第二掺杂区内第一离子的掺杂浓度为第二浓度，且所述第二浓度大于第一浓度；位于各个像素区内所述第一掺杂区表面的栅极结构。所述CMOS-TDI图像传感器沟道中的电荷传输效率较高。
-
公开(公告)号：CN103346773A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310288505.8
申请日：2013-07-10
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H03K19/0175
摘要： 一种电平转换电路，包括参考电压产生电路、差分电路和差分转单端电路，其中，所述参考电压产生电路适于根据第一目标电压和第二目标电压获得参考电压，所述参考电压为所述第一目标电压和第二目标电压的平均值；所述差分电路适于根据第一输入信号、第二输入信号和所述参考电压获得所述第一驱动信号和第二驱动信号；所述差分转单端电路由所述第一驱动信号和第二驱动信号驱动。本发明提供的电平转换电路能够实现不同电平之间的转换，具有很强的通用性。
-
公开(公告)号：CN110676275A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201910985060.6
申请日：2019-10-16
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146 , H04N5/369
摘要： 一种图像传感器的像素结构及其形成方法，包括：形成第一晶圆，所述第一晶圆内包括感光单元与第一导电结构，所述感光单元与所述第一导电结构电连接；形成第二晶圆，所述第二晶圆内包括存储节点单元与第二导电结构，所述存储节点单元与所述第二导电结构电连接；键合所述第一晶圆与所述第二晶圆，使所述第一导电结构与所述第二导电结构电连接。在本发明的技术方案中，通过将所述感光单元与所述存储节点单元分别设置于所述第一晶圆与所述第二晶圆中，彼此之间相互隔离，避免所述感光单元以及所述外界光线对所述存储节点单元的影响，减小寄生光感效应的产生，进而提升最终形成的图像传感器的性能。
-
公开(公告)号：CN109216393A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201811287208.0
申请日：2018-10-31
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14605 , H01L27/14614 , H01L27/14616 , H01L27/14643 , H01L27/14689
摘要： 一种CMOS-TDI图像传感器及其形成方法，其中，CMOS-TDI图像传感器包括：基底，所述基底内具有第一沟道，所述第一沟道内掺杂有第一离子；位于所述第一沟道顶部的若干个相互分立的掺杂区，所述掺杂区内掺杂有第二离子，所述第二离子与第一离子的导电类型相反；位于所述第一沟道上的第一栅极结构，所述第一栅极结构横跨若干个掺杂区。所述CMOS-TDI图像传感器的暗电流较小。
-
公开(公告)号：CN109194890A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811286238.X
申请日：2018-10-31
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
CPC分类号： H04N5/351 , H04N5/355 , H04N5/35536
摘要： 一种图像传感器像素电路及其工作方法，电路包括：光电二极管；传输晶体管的源级和漏极分别对应连接光电二极管连接和第一浮空扩散点；第一附加晶体管，第一附加晶体管的源极和漏极分别对应连接第一浮空扩散点和第二浮空扩散点；复位晶体管，复位晶体管的漏极和源级分别对应连接电源线连接和第二浮空扩散点；与第二浮空扩散点连接的电容；第二附加晶体管，第二附加晶体管的漏极和源级分别对应连接电源线和第一浮空扩散点，第二附加晶体管和第一附加晶体管适于在扩展曝光时序步骤中执行若干次相间的释放步骤，使第一浮空扩散点存储的电荷传输至电源线；适于读出第一浮空扩散点的电位信息的列读出线。所述图像传感器像素电路的性能提高。
-
公开(公告)号：CN108428710A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201810315834.X
申请日：2018-04-10
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14605 , H01L27/14601 , H01L27/14607 , H01L27/14683
摘要： 一种半导体结构及其形成方法和工作方法，其中，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括多个分立的像素区，所述衬底包括相对的第一面和第二面；分别位于所述衬底像素区中的多个感光元件，所述感光元件用于探测第一光波；分别位于所述第一面像素区上的多个光敏电阻，所述光敏电阻用于探测第二光波，且用于使所述第一光波透过，所述第二光波与第一光波的波长不相等，所述光敏电阻覆盖相应的感光元件，所述光敏电阻包括相对的第一端和第二端；连接所述第一端的第一连接结构；连接所述第二端的第二连接结构。所述半导体结构的集成度较高。
-
公开(公告)号：CN110783357A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911095808.1
申请日：2019-11-11
申请人： 昆山锐芯微电子有限公司
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 一种时间延迟积分的CMOS图像传感器及其形成方法，所述时间延迟积分的CMOS图像传感器包括：基底，所述基底包括若干沿第一方向排列的单元区；相互分立且位于所述基底内的第一光电区、第二光电区和源漏区，所述源漏区位于所述第一光电区和所述第二光电区之间，所述第一光电区和所述第二光电区分别横跨所述若干单元区；位于所述单元区内的基底上的第一栅极结构、第二栅极结构、第三栅极结构和第四栅极结构。从而，能够提高时间延迟积分的CMOS图像传感器的性能。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
18 条记录 (耗时 0.031 秒)
