公开(公告)号：CN114934257A

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202210444639.3

申请日：2022-04-26

申请人： 昆明物理研究所

发明人： 宋立媛 ,  唐利斌 ,  郝群 ,  王静宇 ,  吕浩 ,  何文瑾 ,  李艳辉 ,  俞见云 ,  齐浩泽 ,  王海澎 ,  覃钢 ,  辛永刚 ,  庄继胜

IPC分类号： C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  H01L31/0272 ,  H01L31/0392 ,  B82Y15/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00

摘要： p型大面积SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法，涉及探测器用光电薄膜制备领域，尤其涉及一种p型SnTe纳米薄膜光电材料及其制备方法。本发明的方法通过使用SnTe单靶，利用射频磁控溅射方法，采用较低的靶材功率、无需升高衬底温度、无需后退火处理即可得到已经晶化的、符合化学计量比的p型二元化合物SnTe纳米薄膜材料。本发明制备方法简单、有效、低能耗，成膜均匀、连续，所得薄膜与基底的粘附性好，并实现了SnTe纳米薄膜光电材料的大面积制备。