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公开(公告)号：CN1283549C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200410079599.9
申请日：2004-12-03
IPC分类号： C01B19/02
摘要： 真空冶炼提取硒的工艺，其生产工艺分为两个工序，即硒原料的成型干燥工序和真空炉提取工序；所述的干燥工序是成型干燥工序，即将硒原料与粘合剂混合均匀并制粒或制块，再将制成粒或块的物料干燥至水分含量小于1%；所述的真空炉提取工序是将粒状或块状物料装入料舟中，将料舟装入真空炉内进行真空粗炼，在炉内蒸馏得到的硒蒸气经捕硒器和保温管道流入硒锅，打开炉门，拖出料舟出渣，再将物料放入盛料料舟重复生产。本发明生产工艺简单、提纯工艺过程污染小、回收率高、生产成本低。
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公开(公告)号：CN1636867A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410079599.9
申请日：2004-12-03
IPC分类号： C01B19/02
摘要： 真空冶炼提取硒的工艺，其生产工艺分为两个工序，即硒原料的成型干燥工序和真空炉提取工序；所述的干燥工序是成型干燥工序，即将硒原料与粘合剂混合均匀并制粒或制块，再将制成粒或块的物料干燥至水分含量小于1％；所述的真空炉提取工序是将粒状或块状物料装入料舟中，将料舟装入真空炉内进行真空粗炼，在炉内蒸馏得到的硒蒸气经捕硒器和保温管道流入硒锅，打开炉门，拖出料舟出渣，再将物料放入盛料料舟重复生产。本发明生产工艺简单、提纯工艺过程污染小、回收率高、生产成本低。
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公开(公告)号：CN113675283B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202110973810.5
申请日：2021-08-24
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/036 , H01L31/0392 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构及其制备方法，属于光电材料技术领域。本发明锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构，由p型Sb2S3薄膜底层、Sb2S3/Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3薄膜顶层组成；在基底上溅射Sb得到Sb薄膜，Sb薄膜经硫化反应得到Sb2S3薄膜，Sb2S3薄膜与氧气反应生成Sb2S3/Sb2O3缓冲层和n型Sb2O3导带底得到锑基光阴极Sb2S3/Sb2O3异质结结构。以窄带隙p型Sb2S3薄膜吸收光能，宽带隙Sb2O3薄膜作为光生电子的传输通道、催化层和耐腐蚀层，借助Sb2S3/Sb2O3异质结间的能极差来分离光生载流子，Sb2S3/Sb2O3缓冲层提高电荷传输效率和稳定性，增强电极的导电性与材料的耐腐蚀性。
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公开(公告)号：CN117025969A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311065801.1
申请日：2018-08-20
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开一种真空炉、从废弃CRT锥玻璃中提取铅的方法，属于废弃含铅玻璃的高污染控制、治理以及二次资源的综合回收领域。本发明先将粒状碳质还原剂置于真空炉上层布料装置中用于碳热还原反应，锥玻璃放置于下层布料装置中，密闭真空炉；在真空室压力5～10Pa、1300℃的条件下，保温120min，锥玻璃中氧化铅挥发，挥发出的氧化铅在通过石墨坩埚上部的碳层过程中与碳质还原剂发生碳热反应生成气态金属铅，并在冷凝盘中冷凝。待保温结束后，自然冷却，在冷凝区域得到金属铅，其纯度达99％以上，残留玻璃中的氧化铅被有效脱除，可用于制备新型无铅玻璃、建筑材料和陶瓷材料，实现了锥玻璃的无害化处理和资源综合利用。
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公开(公告)号：CN112259719B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202011137325.6
申请日：2020-10-22
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种废旧光伏组件综合回收及硅碳负极材料制备方法，属于资源综合利用和能源转换技术领域。本发明拆解光伏组件边框和接线盒，加热处理软化聚合物TPT背板组件，沿玻璃和硅片间的EVA胶膜处切割分离得到玻璃和电池片，将玻璃置于清洗液中去除表面EVA胶膜实现玻璃的回收，将电池片置于液氮中浸泡极冷脆化处理，再粉碎得到电池粉，电池粉经高温等离子活化除杂处理得到纳米Si/M/C复合材料，纳米Si/M/C复合材料置于HF‑金属盐‑醇类溶液中进行造孔和金属粒子纳米颗粒复合得到多孔硅/纳米金属复合材料，再与碳材料进行碳化复合处理得到多孔硅/纳米金属/碳复合负极材料。本发明利用机械拆除与化学合成相结合的方式实现废旧组件玻璃和硅片同时回收利用。
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公开(公告)号：CN111799460B
公开(公告)日：2022-09-09
申请号：CN202010696789.4
申请日：2020-07-20
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01M4/38 , H01M4/62 , H01M10/0525 , C01B33/037 , C01B32/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
摘要： 本发明涉及一种基于切割硅废料制备硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极的方法。本发明将切割硅废料除杂后进行金属辅助刻蚀处理得到纳米金属/多孔硅复合材料，纳米金属/多孔硅复合材料经与硼源混合后高温处理，使硼对硅形成替位式掺杂，再与碳材料复合得到硼掺杂纳米金属/多孔硅碳复合负极。本发明硅的多孔结构以及碳材料的加入可以缓解硅的体积膨胀，增加循环稳定性，金属粒子在硅基体表面与硅物理复合结合硼在原子尺度上对硅的化学掺杂协同作用，最终实现硅基复合材料本征电导率的提高和电化学活性的改善，从而制备出高充放电比容量及长循环寿命的硼掺杂纳米金属/硅碳复合负极材料。
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公开(公告)号：CN112563486B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202011562192.7
申请日：2020-12-25
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01M4/525 , H01M4/505 , H01M10/0525 , C01G53/00
摘要： 本发明专利技术公开了一种利用氧热等离子体快速制备掺杂三元锂离子电池正极材料的方法及装置，该方法运用放电等离子通过感应线圈脉冲电流对样品提供较低的反应活化自由能及氧元素，使样品快速反应。首先供气系统提供氧气，电源系统为等离子喷枪提供启弧电压和电流，氧气在高频电压和电弧的作用下被电离为氧热等离子体，等离子喷枪将氧热等离子体喷出至反应炉形成氧热等离子体火焰，然后将三元前驱体、掺杂物和锂源的混合粉末通过和压力装置连接的供粉系统送至反应炉氧热等离子体火焰区域，粉末被氧热等离子体火焰烧结，并与氧热等离子体发生氧化反应生成正极材料活性物质，反应完成后成品收集在带冷凝装置的收集器内。
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公开(公告)号：CN113913851A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111348680.2
申请日：2021-11-15
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种在有机电解液中电解二氧化碳制一氧化碳同时副产氯气和金属氢氧化物的双极膜电解方法，属于光气化工技术领域。用双极膜和阳离子交换膜将电解池分隔成阴极室、中间室和阳极室，形成三隔室电解池，阴极室电解液为溶有大量二氧化碳的有机复合电解液，中间室电解液为金属氢氧化物水溶液，阳极室电解液为金属氯化物水溶液，电解反应过程中，阴极上生成一氧化碳，阳极上生成氯气，中间室中金属氢氧化物含量增加。本发明提出的方法，可以在常温常压条件下同步生产一氧化碳、氯气和金属氢氧化物，具有工艺流程短、操作方法简单、生产成本低、设备占地面积小、启停容易、绿色无污染等优点。
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公开(公告)号：CN112144086B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202011014076.1
申请日：2020-09-24
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种真空电化学沉积制备硒化物半导体的方法，属于半导体材料制备技术领域。本发明针对传统电沉积存在结构较为松散、容易产生空洞、成分不易控制、形貌较差等缺陷，将电化学反应器内部气压维持在较低气压下，并对置于电解液中的导电基底施加电势，实现半导体快速沉积从而获得半导体硒化物。真空体系可以有效的改善溶液法合成硒化物半导体的形貌和结构，使其硒化物半导体形貌良好、颗粒细小且致密、氧含量低、成膜效率高。本发明方法可有效降低硒化物半导体的制备成本，易于实现半导体材料大面积沉积。
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