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公开(公告)号：CN1283549C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200410079599.9
申请日：2004-12-03
IPC分类号： C01B19/02
摘要： 真空冶炼提取硒的工艺，其生产工艺分为两个工序，即硒原料的成型干燥工序和真空炉提取工序；所述的干燥工序是成型干燥工序，即将硒原料与粘合剂混合均匀并制粒或制块，再将制成粒或块的物料干燥至水分含量小于1%；所述的真空炉提取工序是将粒状或块状物料装入料舟中，将料舟装入真空炉内进行真空粗炼，在炉内蒸馏得到的硒蒸气经捕硒器和保温管道流入硒锅，打开炉门，拖出料舟出渣，再将物料放入盛料料舟重复生产。本发明生产工艺简单、提纯工艺过程污染小、回收率高、生产成本低。
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公开(公告)号：CN1636867A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410079599.9
申请日：2004-12-03
IPC分类号： C01B19/02
摘要： 真空冶炼提取硒的工艺，其生产工艺分为两个工序，即硒原料的成型干燥工序和真空炉提取工序；所述的干燥工序是成型干燥工序，即将硒原料与粘合剂混合均匀并制粒或制块，再将制成粒或块的物料干燥至水分含量小于1％；所述的真空炉提取工序是将粒状或块状物料装入料舟中，将料舟装入真空炉内进行真空粗炼，在炉内蒸馏得到的硒蒸气经捕硒器和保温管道流入硒锅，打开炉门，拖出料舟出渣，再将物料放入盛料料舟重复生产。本发明生产工艺简单、提纯工艺过程污染小、回收率高、生产成本低。
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公开(公告)号：CN118899366A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410999540.9
申请日：2024-07-24
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L21/02
摘要： 本发明公开一种耐质子辐照、被动式降温碳氮氧化硅薄膜的制备方法，以解决目前航天器铜铟镓硒薄膜太阳能电池于太空中因太阳辐照升温而降低电池光电转换效率以及因太空高能质子辐照而降低电池服役寿命的两个关键问题。本发明公开的碳氮氧化硅薄膜采用一步低温退火处理浸渍提拉涂覆于铜铟镓硒薄膜太阳能电池表面的聚硅氮烷薄膜而制备，方法简单且具有较大的产业化潜力。本发明制备的厚度为3.2μm碳氮氧化硅薄膜具有以下优势特性：红外辐射率0.72、向阳时电池最大降温30℃、耐质子辐照以及提升电池在轨服役寿命35％‑40％。
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公开(公告)号：CN118877894A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411018662.1
申请日：2024-07-29
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/025
摘要： 本发明涉及一种石英砂球团及其制备方法和应用。所述球团所用原料由下述部分组成：40～50wt％的高纯石英砂、20～30wt％的普通石英砂和10～20wt％的低品位石英砂。本发明以不同纯度石英砂为原材料，以高纯度、大粒度石英砂为中心，不同粒度、不同纯度的石英砂按照小粒度混合大粒度、低纯度混合高纯度的规律加入水和黏结剂进行混合，搅拌均匀后放入模具中压制成团，然后在适当温度下焙烧，得到工业硅用石英砂球团。本发明球团在使用中可以保证硅石炉料达到入炉硬度，通过使用适当比例替代硅石与碳质还原剂混合均匀，在工业硅冶炼稳定的情况下，出硅率42.6％，工业硅产品的成分达到Si＞99.4Wt.％，且本发明实现了低品位石英砂用于冶炼高品质硅的首次应用。
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公开(公告)号：CN118833818A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410858411.8
申请日：2024-06-28
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/02 , H01M4/134 , H01M4/38 , H01M10/0525 , C01B33/12 , C01B32/205 , C01G23/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00
摘要： 本发明涉及一种利用光伏切割硅废料制备高稳定性硅碳负极的方法，属于锂离子电池硅负极技术领域。本发明光伏切割硅废料加入到酸液中进行酸浸除杂，干燥得到预处理硅粉；预处理硅粉置于反应腔内，通入氧源，再通入保护气吹扫使预处理硅粉表面形成预氧化层得到预氧化硅/二氧化硅粉体；再通入钛源，再通入保护气吹扫形成二氧化钛表面层得到预氧化硅/二氧化硅/二氧化钛粉体；预氧化硅/二氧化硅/二氧化钛粉体、碳基材料、溶剂混合均匀形成前驱体溶液，前驱体溶液经喷雾干燥造粒，再在惰性气氛下高温退火实现包覆层的晶型转变得到高稳定性硅碳负极材料。本发明实现对包覆层的精准调控，提高负极电子导电性，抑制内部硅的体积膨胀。
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公开(公告)号：CN118811821A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410800466.3
申请日：2024-06-20
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明涉及一种富钾钠生物质复合灰分添加剂强化工业硅中杂质硼去除的方法，属于工业硅精炼提纯技术领域。本发明将块状工业硅破碎、筛分得到硅粉；将富钾钠的生物质干燥、破碎得到生物质粉末；生物质粉末升温至600～900℃，在空气中焙烧60～120min，得到富钾钠生物质复合灰分添加剂；将硅粉和富钾钠生物质复合灰分添加剂混合均匀，装于高纯石墨坩埚中，然后置于感应炉内，在保护气氛围下，匀速升温至1450～1800℃并保温1～4h以去除杂质硼，随炉冷却至室温，去除熔渣得到高纯硅。本发明采用富钾钠生物质复合灰分添加剂强化精炼工业硅以去除杂质硼，可将硼含量降至3.12ppmw以下。
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公开(公告)号：CN115418679B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202211215841.5
申请日：2022-09-30
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种氟化物熔盐‑电活性氧化物体系中二氧化钛电解制备金属钛的方法，属于金属钛制备技术领域。本发明将TiO2直接加入到氟化物熔盐‑电活性氧化物体系中，在温度300～400℃、惰性气氛下加热去除熔盐体系水分，再升温至过热度为20‑80℃，并以碳素或金属材料作为电解槽的阳极，以金属或金属合金为电解槽的阴极，进行恒电流电解，电解后得到阴极产物；以阴极产物为电解槽的阳极，氯化物熔盐为熔盐电解质，以金属或金属合金为电解槽的阴极，在过热度为20‑80℃、惰性气氛下，恒电流电解精炼，以去除氟化物和氧化物电解质，真空蒸馏或水洗除杂得到阴极金属钛。本发明把TiO2溶解到氟化物‑电活性氧化物体系中电解，其方法简单，流程较短，成本较低，产物纯度达99.7％。
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公开(公告)号：CN118480864A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410761201.7
申请日：2024-06-13
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了用于连续直拉法单晶硅生长用液态连续加料装置，属于单晶硅生长领域，所述装置包括：电磁感应加热系统，所述电磁感应加热系统用于将固体硅加热融化成液态硅；供料管道与阀门自动控制系统，所述供料管道与阀门自动控制系统用于输送所述液态硅；单晶硅长晶炉内供料系统，所述单晶硅长晶炉内供料系统用于将输送的所述液态硅分配至长晶炉双坩埚外层。解决了现有单晶硅生长方法中存在加热效率低、供料控制精度低、长晶炉内供料均匀性差、自动化智能化水平低、安全性能低以及维护成本高等方面技术问题，从而导致单晶硅生产的效率、质量和稳定性差的技术问题。
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公开(公告)号：CN118458740A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410558574.4
申请日：2024-05-08
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B32/05 , C01B33/025
摘要： 本发明涉及一种工业硅用含兰炭复合还原剂球团的方法，属于工业硅冶炼用复合还原剂技术领域。本发明将微球状兰炭颗粒和微球状石油焦颗粒混合均匀得到微球状混合物；将无水乙醇和废弃农林生物质秸秆加入到微球状混合物中混合湿磨得到混合物料A；混合物料A中加入氢氧化钠溶液、微硅粉和变性淀粉粘结剂，搅拌混匀得到混合物料B；混合物料B压制成型得到圆柱形球团胚体；圆柱形球团胚体置于氩气环境中微波焙烧，随炉冷却至室温得到工业硅用含兰炭复合还原剂球团。本发明还原剂球团的固定碳≥80wt.％，温度1100℃下的反应活性≥91％，温度900℃下的电阻率≥5500μΩ·m，抗压强度≥12Mpa；大大提高了兰炭的燃烧性能、机械性能和抗压强度。
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公开(公告)号：CN118405700A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410579457.6
申请日：2024-05-11
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/06
摘要： 本发明涉及一种去除金刚石线切割硅废料氧杂质同时制备高纯二元硅化物的方法，属于硅废料再生利用和硅材料制备技术领域。本发明将金刚石线切割硅废料和纯金属材料X混合均匀得到混合物料，混合物料在惰性氛围中电磁感应加热至混合物料完全熔融得到二元硅化物料熔体；所述纯金属材料X为Ni、Fe、Co、Mn、Ti或Cr；二元硅化物料熔体保温熔炼以实现电磁分离脱氧，得到含二元硅化物X‑Si和富氧残渣的合金锭，合金锭中二元硅化物X‑Si和富氧残渣分离得到高纯二元硅化物合金；所述二元硅化物X‑Si为NiSi2、NiSi、FeSi2、FeSi、Fe5Si3、Co2Si、CoSi、CoSi2、Mn11Si19、MnSi、Mn5Si3、Mn3Si、TiSi2、TiSi、CrSi2、CrSi。本发明可去除金刚石线切割硅废料氧杂质，并将其再生利用制备高纯二元硅化物合金。
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