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公开(公告)号：CN1283549C
公开(公告)日：2006-11-08
申请号：CN200410079599.9
申请日：2004-12-03
IPC分类号： C01B19/02
摘要： 真空冶炼提取硒的工艺，其生产工艺分为两个工序，即硒原料的成型干燥工序和真空炉提取工序；所述的干燥工序是成型干燥工序，即将硒原料与粘合剂混合均匀并制粒或制块，再将制成粒或块的物料干燥至水分含量小于1%；所述的真空炉提取工序是将粒状或块状物料装入料舟中，将料舟装入真空炉内进行真空粗炼，在炉内蒸馏得到的硒蒸气经捕硒器和保温管道流入硒锅，打开炉门，拖出料舟出渣，再将物料放入盛料料舟重复生产。本发明生产工艺简单、提纯工艺过程污染小、回收率高、生产成本低。
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公开(公告)号：CN1636867A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410079599.9
申请日：2004-12-03
IPC分类号： C01B19/02
摘要： 真空冶炼提取硒的工艺，其生产工艺分为两个工序，即硒原料的成型干燥工序和真空炉提取工序；所述的干燥工序是成型干燥工序，即将硒原料与粘合剂混合均匀并制粒或制块，再将制成粒或块的物料干燥至水分含量小于1％；所述的真空炉提取工序是将粒状或块状物料装入料舟中，将料舟装入真空炉内进行真空粗炼，在炉内蒸馏得到的硒蒸气经捕硒器和保温管道流入硒锅，打开炉门，拖出料舟出渣，再将物料放入盛料料舟重复生产。本发明生产工艺简单、提纯工艺过程污染小、回收率高、生产成本低。
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公开(公告)号：CN102373351B
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201110328970.0
申请日：2011-10-26
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C22C21/02 , B22D27/02 , C01B33/021
摘要： 本发明涉及的是一种制备高纯硅及铝硅合金的方法。采用不同硅含量的过共晶铝硅合金为原料，控制压力为常压，温度为700～2100℃，反应时间5～90分钟的条件下，在炉内进行加热至熔化。然后将熔融的物料进行定向凝固处理，凝固速率为5μm/s～1000μm/s，并同时在物料外部加磁场，磁感应强度为1T～1000T。在凝固过程中，优先析出的固相硅在磁化力的作用下，沉积到下部，而铝硅合金析出后则在上部。将所获得的产品沿硅和铝硅合金的界面处进行切割分离，最后得到高纯硅和铝硅合金两种产品。本方法获得的高纯硅纯度大于99.99%，铝硅合金中铁的含量小于0.6%，硅的含量在11%～13%之间，余量为铝，铝硅合金成分符合国家牌号标准。工艺流程短、成本低、经济效益高。
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公开(公告)号：CN102676832A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210142392.6
申请日：2012-05-10
申请人： 昆明理工大学
CPC分类号： Y02P10/212 , Y02P10/242
摘要： 本发明提供一种铜浮渣真空蒸馏分离铜与铅的方法，将铜浮渣置于真空环境中，且在压强为5～200Pa、温度为900～1300℃的条件下进行蒸馏分离30～180分钟，铜浮渣中的Pb及PbS在蒸馏下进入气相，经冷凝后即得到粗铅；铜浮渣中的Cu2S、Cu留在蒸馏残余物冰铜中，从而实现铜浮渣中铜与铅的分离。本发明加入的辅料的种类和数量少，工艺简单，流程较短，铜与铅分离彻底，能耗较低、对环境污染小，生产规模能灵活调整，易于实现工业化生产。
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公开(公告)号：CN101935846B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010276318.4
申请日：2010-09-09
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C25B1/00 , C01B33/037
摘要： 本发明提供一种以硅石为原料制备太阳能级硅的方法，以硅石为原料，以CaCl2为熔盐电解质，在600～1000℃下通过熔盐电解质进行还原，使硅石中的元素硅被直接电解还原成单质硅；在单质硅中，按1∶3～9的质量比添加化合物，并在600～1200℃下通入保护性气体进行结晶处理；再按1∶1～8的固液质量比，将结晶硅置于浓度为1～5mol/L的盐酸液中，酸浸2～48小时；用水洗涤2～5次后在40～150℃下进行干燥；将干燥后的硅置于1450～1650℃下进行熔化后，在温度为1600～1650℃、压力为1×10-2～10Pa的真空条件下进行真空蒸发；蒸发后的熔体硅以0.1～5mm/h的冷凝速率冷凝后，即得太阳能级硅。本发明先通过还原去除氧、磷、铝、钙、钛等杂质，再经高温结晶、酸浸除硼，使产品纯度超过99.99991％，且生产流程短，成本低，环境污染小。
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公开(公告)号：CN101560609B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910094518.5
申请日：2009-05-26
申请人： 昆明理工大学
CPC分类号： Y02P10/234
摘要： 本发明涉及一种粗镍真空蒸馏提纯的方法，以含镍99-99.9质量％的粗镍为原料，在1600℃～1800℃，真空度0.1Pa～10Pa下保温蒸馏2～3小时，得到零号镍(4N)产品，产品中杂质成分总量均在100ppm以下。其工艺过程简单，杂质去除效果好，操作简单，在真空条件下提纯金属镍，对环境无污染。
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公开(公告)号：CN101660059A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910095018.3
申请日：2009-09-29
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明提供一种真空碳热还原从氧化铝提取金属铝的方法，采用氧化铝或含氧化铝矿物为原料，辅以石墨还原剂，三氯化铝氯化剂，在真空炉内，体系压力在20Pa，还原温度在1400-1600℃，碳热反应60-90min后再对碳热反应残渣进行氯化反应，氯化反应维持在30-60min后得到低价氯化铝气体(AlCl)，当温度下降时，低价氯化铝气体(AlCl)将歧化分解为金属铝与三氯化铝，AlCl的歧化分解温度＜660℃，获得的金属铝纯度＞95％，其直收率达到80％，三氯化铝的回收率达到80％以上。工艺流程短、成本低、对环境污染小。
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公开(公告)号：CN101285130A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810058466.1
申请日：2008-05-30
申请人： 昆明理工大学
发明人： 徐宝强 , 杨斌 , 马文会 , 刘大春 , 戴永年 , 秦博 , 周晓奎 , 刘永成 , 邓勇 , 曲涛 , 熊恒 , 易惠华 , 郁青春 , 姚耀春 , 谢克强 , 伍继君 , 王飞 , 汪镜福
摘要： 本发明涉及一种用硅铁还原氧化钙制备金属钙的方法，特别是提供了一种在真空中，用硅铁还原氧化钙制备金属钙的方法，属于真空热还原法生产技术领域。以氧化钙为提取金属钙的原料，硅铁为还原剂，在压力10－2～50Pa、1300℃～1600℃条件下，通过真空热还原过程使氧化钙中的元素钙被还原成蒸气，冷凝后制得结晶良好的固体金属钙。
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公开(公告)号：CN101177289A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：CN200710066344.2
申请日：2007-11-05
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及一种制备纤维状纳米氢氧化镁的方法。以盐湖提钾、锂、硼等元素后的废液苦卤水为原料，以氨水或氢氧化钠溶液为沉淀剂，以无水乙醇、明胶和十二烷基硫酸钠混合溶液为复合分散剂，采用在室温下进行沉淀反应，而后升温陈化，稀氨水洗涤、过滤、真空干燥和研磨的工艺制备出平均尺寸为直径30～80nm，长200～500nm的纯白色纤维状纳米氢氧化镁粉体。作为无机阻燃剂使用时，所需的填充量大幅降低，纤维状的纳米氢氧化镁粉体能对聚合物材料起到增强增韧的作用；反应温度为常温，使能耗大幅降低；为盐湖资源的综合利用开劈一新途径。
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公开(公告)号：CN1803598A
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN200610010654.8
申请日：2006-01-25
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C01B33/037
摘要： 本发明涉及一种制备太阳能级多晶硅的方法，采用冶金级硅作为原料，经破磨后得粒度为50目以上的硅粉物料，硅粉物料分别用浓度为1－6mol/l的盐酸、浓度为0.5－6mol/l的硝酸和浓度为1－5mol/l的氢氟酸进行酸浸处理，酸浸后加入真空炉内进行真空精炼处理，真空精炼分两阶段，第一阶段为真空氧化精炼，控制炉内温度为1430－1500℃，真空度为90000－1000Pa，第二阶段，即真空蒸馏精炼和真空脱气阶段，控制炉子真空度10－2－10－5Pa，温度1430－1500℃，最后经定向凝固及切头处理，获得太阳能级多晶硅产品。其硅的纯度为99.9999％以上，比电阻超过0.4Ω·cm，以满足太阳能电池行业所需硅原料的要求。
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