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公开(公告)号：CN104464881A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410658739.1
申请日：2014-11-17
申请人： 昆明贵金属研究所
摘要： 本发明公开了一种触摸屏用双功能导电银浆及其制备方法和应用。该款银浆可同时满足丝网细线印刷和激光刻蚀两种触摸屏制备工艺需求。该浆料由质量百分含量如下的各原料组成：60～73％的微米级片状银粉，5～10％的纳米银粉，15～20％的有机载体，1～9％的功能助剂以及1～5％的功能填料。浆料的制作方法包括载体的合成以及银浆的制备工艺步骤。本发明制得的导电银浆可以通过中低温固化方式实现对ITO(In2O3:SnO2)薄膜或玻璃基材强力附着，有效避免热应力对ITO薄膜和胶层的破坏，并降低生产能耗；固化银浆电极具有良好的电学性能，银浆电极与ITO层间界面接触电阻低。与传统触膜屏银浆相比，该款银浆有效提升生产效率，丝印线宽稳定、激光刻蚀干净、良品率高，显著降低触摸屏生产成本。
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公开(公告)号：CN104464881B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201410658739.1
申请日：2014-11-17
申请人： 昆明贵金属研究所
摘要： 本发明公开了一种触摸屏用双功能导电银浆及其制备方法和应用。该款银浆可同时满足丝网细线印刷和激光刻蚀两种触摸屏制备工艺需求。该浆料由质量百分含量如下的各原料组成：60～73％的微米级片状银粉，5～10％的纳米银粉，15～20％的有机载体，1～9％的功能助剂以及1～5％的功能填料。浆料的制作方法包括载体的合成以及银浆的制备工艺步骤。本发明制得的导电银浆可以通过中低温固化方式实现对ITO(In2O3:SnO2)薄膜或玻璃基材强力附着，有效避免热应力对ITO薄膜和胶层的破坏，并降低生产能耗；固化银浆电极具有良好的电学性能，银浆电极与ITO层间界面接触电阻低。与传统触膜屏银浆相比，该款银浆有效提升生产效率，丝印线宽稳定、激光刻蚀干净、良品率高，显著降低触摸屏生产成本。
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公开(公告)号：CN105970069A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610322122.1
申请日：2016-05-16
申请人： 昆明贵金属研究所
IPC分类号： C22C30/02
CPC分类号： C22C30/02
摘要： 本发明涉及新型多主元等摩尔比贵金属高熵合金，其组成和含量为Au、Pt、Pd、Rh、Ni和Cu各元素按照等摩尔比16.7±0.1mol％组成，换算为质量比：Au～27.2±0.2wt％，Cu～8.8±0.2wt％，Ni～8.1±0.2wt％，Pt～27.0±0.2wt％，Pd～14.7±0.2wt％，Rh～14.2±0.2wt％，形成简单固溶体结构的高熵合金。该合金的发明将高熵合金与贵金属多元合金相结合，完善了高熵合金体系，开拓了贵金属多元合金的设计思路和应用领域，为从一个崭新的角度挖掘贵金属合金系统中的理论问题和运用价值奠定了基础。
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公开(公告)号：CN105970069B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610322122.1
申请日：2016-05-16
申请人： 昆明贵金属研究所
IPC分类号： C22C30/02
摘要： 本发明涉及多主元等摩尔比贵金属高熵合金，其组成和含量为Au、Pt、Pd、Rh、Ni和Cu各元素按照等摩尔比16.7±0.1mol％组成，换算为质量比：Au～27.2±0.2wt％，Cu～8.8±0.2wt％，Ni～8.1±0.2wt％，Pt～27.0±0.2wt％，Pd～14.7±0.2wt％，Rh～14.2±0.2wt％，形成简单固溶体结构的高熵合金。该合金的发明将高熵合金与贵金属多元合金相结合，完善了高熵合金体系，开拓了贵金属多元合金的设计思路和应用领域，为从一个崭新的角度挖掘贵金属合金系统中的理论问题和运用价值奠定了基础。
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公开(公告)号：CN105345012B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510675239.3
申请日：2015-10-19
申请人： 昆明贵金属研究所
摘要： 本发明公开了一种高导电性片状银粉的制备方法及应用，包括以下步骤：使用高纯度的球形或类球形银粉作为主料；添加石墨粉；添加球磨助剂；添加球磨溶剂；将上述原料调制成粉浆前驱体，进行一定时间的球磨；将产物洗涤、烘干、粉碎，得到片状银粉。制备得到D50为1.0～1.9微米，D90为1.7～4.2微米，Dmax小于等于7微米，振实密度为3.4～4.3克/毫升，比表面积为0.9～2.6平方米/克的片状银粉。该片状银粉粒径分布较窄、易于分散，用其调制的导电浆料固化后体积电阻率低、导电性能优异，附着力好。用于低温固化型导电银浆的调制，可满足触控屏、柔性线路板、射频识别、薄膜开关等领域对银粉适配需求。
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公开(公告)号：CN105345012A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510675239.3
申请日：2015-10-19
申请人： 昆明贵金属研究所
CPC分类号： B22F9/04 , B22F1/0055 , B22F2009/043 , H01B1/22
摘要： 本发明公开了一种高导电性片状银粉的制备方法及应用，包括以下步骤：(1)使用高纯度的球形或类球形银粉作为主料。(2)添加特定的石墨粉。(3)添加一定的球磨助剂。(4)添加一定的球磨溶剂。(5)将上述原料调制成粉浆前驱体，采用特定的球体进行一定时间的球磨。(6)将产物洗涤、烘干、粉碎，便可得到片状银粉。利用该方法成功制备出D50为1.0～1.9微米，D90为1.7～4.2微米，Dmax小于等于7微米，振实密度为3.4～4.3克/毫升，比表面积为0.9～2.6平方米/克的片状银粉。该片状银粉粒径分布较窄、易于分散，用该片状银粉调制的导电浆料固化后体积电阻率低、导电性能优异，附着力好。用于低温固化型导电银浆的调制，可满足触控屏、柔性线路板、射频识别、薄膜开关等不同银浆应用领域对银粉适配需求。
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