-
公开(公告)号：CN106816809A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201610852546.9
申请日：2016-09-26
申请人： 三星电子株式会社
CPC分类号： H01S5/24 , H01S5/0206 , H01S5/0425 , H01S5/0653 , H01S5/1017 , H01S5/1032 , H01S5/1042 , H01S5/1075 , H01S5/1082 , H01S5/2027 , H01S5/22 , H01S5/2205 , H01S5/3211 , H01S5/343 , H01S2301/16 , H01S2301/176 , H01S5/3407 , H01S5/347
摘要： 一种半导体激光谐振器以及包括其的半导体激光装置，该半导体激光谐振器配置为产生激光束，其包括增益介质层，增益介质层包括半导体材料且包括由至少一个沟槽形成的至少一个突起以在增益介质层的上部中突出。在半导体激光谐振器中，至少一个突起配置为将激光束限制为在至少一个突起中的驻波。
-
公开(公告)号：CN100395927C
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN01117233.9
申请日：2001-02-14
申请人： 索尼株式会社
发明人： 池田昌夫
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H04N9/315 , H01L2924/00
摘要： 容易制造且可以精确控制发光位置的发光器件及光学装置。第一和第二发光元件形成于支撑基底的一个面上。第一发光元件在GaN构成的第一衬底的设置支撑基底的一侧上具有GaInN混晶构成的有源层。第二发光元件在GaAs构成的第二衬底的设置支撑基底的一侧上具有光激射部分。由于第一和第二发光元件不生长于同一衬底上，容易得到具有约400nm输出波长的多波长激光器。由于第一衬底在可见光区是透明的，所以可以通过光刻精确控制第一和第二发光元件的发光区位置。
-
公开(公告)号：CN1114203C
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN98100254.4
申请日：1998-01-19
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/12
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/126 , G11B7/127 , G11B7/1381 , G11B7/24085 , H01S5/0211 , H01S5/0213 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/347
摘要： 由波长锁定的GaN半导体激光器发射的激光通过平行校正透镜校准成平行光，导经偏振分束器及1/4波长片，并由聚焦透镜聚光，以致照射到形成在光盘介质中的凹坑上。来自光盘介质的信号光波聚焦透镜校准为平行光，并且它的偏振方向相对于从光盘介质返回前它的偏振方向被1/4波长片转过90°。其结果是，信号光从偏振分束器反射出来，以致被聚焦透镜会聚到光检测器上。
-
公开(公告)号：CN1247638A
公开(公告)日：2000-03-15
申请号：CN98802564.7
申请日：1998-02-10
申请人： 美国3M公司
发明人： T·J·米勒
CPC分类号： H01S5/347 , B82Y20/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02477 , H01L21/0248 , H01L21/02485 , H01L21/02505 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L33/0087 , H01L33/28
摘要： 一种Ⅱ－Ⅵ族半导体器件,包括电气连接到顶部电气触点的Ⅱ－Ⅵ族半导体层的堆垛。提供了一种GaAs衬底,它支撑Ⅱ－Ⅵ族半导体层的堆垛并与顶部电气触点相对。在GaAs和Ⅱ－Ⅵ族半导体衬底层的堆垛之间提供BeTe缓冲层。BeTe缓冲层减少了GaAs衬底与Ⅱ－Ⅵ族半导体层堆垛之间界面处的堆垛层错缺陷。
-
公开(公告)号：CN1190237A
公开(公告)日：1998-08-12
申请号：CN98100254.4
申请日：1998-01-19
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/12
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/126 , G11B7/127 , G11B7/1381 , G11B7/24085 , H01S5/0211 , H01S5/0213 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/22 , H01S5/2231 , H01S5/343 , H01S5/34333 , H01S5/347
摘要： 由波长锁定的GaN半导体激光器发射的激光通过平行校正透镜校准成平行光,导经偏振分束器及1/4波长片,并由聚焦透镜聚光,以致照射到形成在光盘介质中的凹坑上。来自光盘介质的信号光波聚焦透镜校准为平行光,并且它的偏振方向相对于从光盘介质返回前它的偏振方向被1/4波长片转过90°。其结果是,信号光从偏振分束器反射出来,以致被聚焦透镜会聚到光检测器上。
-
公开(公告)号：CN1111840A
公开(公告)日：1995-11-15
申请号：CN95102220.2
申请日：1992-05-15
申请人： 明尼苏达州采矿制造公司
IPC分类号： H01S3/025
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L33/0087 , H01L33/145 , H01L33/28 , H01L33/285 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/3059 , H01S5/3068 , H01S5/327 , H01S5/3403 , H01S5/347 , H01L2924/00
摘要： 用于产生对P型II—VI半导体本体欧姆接触的方法，包括：在分子束外延仓内放入P型II—VI半导体本体；向仓内溅射至少一个II族源；向仓内溅射至少一个VII族源Xm，m＜6；向仓内测射至少一种自由基，作为P型掺杂剂；将半导体本体加热到小于250℃，但高到足以促进掺自由基P型杂质到净受主浓度至少为1×1017cm-3的II—VI半导体层的晶体生长；以及在半导体本体上生长掺自由基P型杂质到净受主至少为1×1017cm-3的晶体II—VI欧姆接触层。
-
公开(公告)号：CN104254951B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201380000582.7
申请日：2013-02-19
申请人： 索尔思光电(成都)有限公司
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/068 , H01S3/0941
CPC分类号： H01S5/343 , G02F1/025 , G02F2001/0155 , H01S5/0265 , H01S5/0612 , H01S5/06213 , H01S5/06251 , H01S5/068 , H01S5/1014 , H01S5/106 , H01S5/34306 , H01S5/347
摘要： 一种调制激光器系统通常包括发光区域，配备多个半导电层的调制区域，和分隔发光区域和调制区域的隔离区域，其中至少有一个半导电层包含具有可变能带间隙的量子井层。所述激光器可以是电吸收调制激光器，所述发光区域可包含分布反馈激光器，而所述调制区域可包含电吸收调制器。所述激光器的制造步骤包括：在基板上塑造下半导电缓冲层，在下半导电缓冲层上塑造活性层（包含带能带间隙的可变一个或多个量子井层），在活性层上塑造上半导电缓冲层，在上半导电缓冲层塑造接触层，和塑造隔离发光区域和调制区域的隔离区域。
-
公开(公告)号：CN101583742A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200780050169.6
申请日：2007-12-11
申请人： 鲁门兹公司
发明人： 本梅·德科尔
IPC分类号： C25D9/00
CPC分类号： G02B6/12004 , B82Y20/00 , H01L21/02554 , H01L21/0256 , H01L21/02562 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L31/0296 , H01L31/0687 , H01L31/07 , H01L31/0725 , H01L31/073 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/285 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/3095 , H01S5/347 , H01S5/4093 , H01S5/423 , Y02E10/543 , Y02E10/544
摘要： 本文涉及制备ZnO基的单结和多结光电电池的器件和方法。ZnO基的单结和多结光电电池和其他光电器件包括ZnxA1－xOyB1－y的p型、n型和不掺杂材料，其中所述合金组分A和B分别用x和y表达，并在0至1之间变化。合金元素A选自相关元素包括Mg、Be、Ca、Sr、Cd和In，以及合金元素B选自相关元素包括Te和Se。选择A、B、x和y以允许调节所述材料的带隙。所述材料的带隙选择的范围在约1.4伏特至约6.0伏特之间。可以形成ZnxA1－xOyB1－y基隧道二极管并应用于ZnxA1－xOyB1－y基多结光电器件。ZnxA1－xOyB1－y基单结和多结光电器件也可以包括透明的、导电异质结构和对于ZnO基衬底的高度掺杂接触。
-
公开(公告)号：CN1779973A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510113692.1
申请日：2001-02-14
申请人： 索尼株式会社
发明人： 池田昌夫
IPC分类号： H01L25/075 , H01S5/40
CPC分类号： B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01L25/0753 , H01L25/0756 , H01L2924/0002 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02268 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34326 , H01S5/34333 , H01S5/347 , H01S5/4043 , H01S5/4087 , H04N9/315 , H01L2924/00
摘要： 一种发光器件，容易制造且可以精确控制发光位置。第一和第二发光元件形成于支撑基底的一个面上。第一发光元件在GaN构成的第一衬底的设置支撑基底的一侧上具有GaInN混晶构成的有源层。第二发光元件在GaAs构成的第二衬底的设置支撑基底的一侧上具有光激射部分。由于第一和第二发光元件不生长于同一衬底上，容易得到具有约400nm输出波长的多波长激光器。由于第一衬底在可见光区是透明的，所以可以通过光刻精确控制第一和第二发光元件的发光区位置。
-
公开(公告)号：CN1150633C
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN97181933.5
申请日：1997-06-25
申请人： 美国3M公司
摘要： 一种II-VI族半导体器件，包括半导体层的叠层(10)。设有电气耦合到叠层的欧姆接触(34)。此欧姆接触在暴露于氧化物质时具有一氧化率。钝化覆盖层(42)覆盖在此欧姆接触上，且其氧化率小于欧姆接触的氧化率。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
35 条记录 (耗时 0.014 秒)
