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公开(公告)号：CN110424051B
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN201910311630.3
申请日：2019-04-18
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 本发明的遮蔽构件被配置于单晶生长装置中，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器和加热部，所述晶体生长用容器具备位于内底部的原料收纳部、以及与所述原料收纳部相对的晶体设置部，所述加热部对所述晶体生长用容器进行加热，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华并在设置于所述晶体设置部的晶体上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件配置于所述原料收纳部与所述晶体设置部之间，所述遮蔽构件具备多个遮蔽板，在从所述晶体设置部俯视时，所述多个遮蔽板没有间隙地排列。
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公开(公告)号：CN110468454A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910369851.6
申请日：2019-05-06
申请人： 昭和电工株式会社
发明人： 藤川阳平
摘要： 本发明的遮蔽构件配置于单晶生长装置内，所述单晶生长装置具备晶体生长用容器、原料收纳部、基板支持部和加热装置，所述原料收纳部位于所述晶体生长用容器内的下部，所述基板支持部配置在所述原料收纳部的上方，且以与所述原料收纳部相对的方式支持基板，所述加热装置配置在所述晶体生长用容器的外周，所述单晶生长装置使原料从所述原料收纳部升华而在所述基板上生长所述原料的单晶，所述遮蔽构件是在所述原料收纳部与所述基板支持部之间配置使用的，所述遮蔽构件由至少1个结构体构成，所述结构体具有非平板形状，所述非平板形状是将所述结构体配置于所述装置内时，所述基板支持部侧的面为倾斜面的形状。
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公开(公告)号：CN110088363A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201780078707.6
申请日：2017-12-22
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 提供一种SiC锭的制造方法。在该SiC锭的制造方法中，包括使晶体在相对于{0001}面具有偏离角的主面上生长的晶体生长工序，至少在所述晶体生长工序的所述晶体从所述主面生长7mm以上后的后半生长工序中，使倾斜面与所述{0001}面所成的锐角为大于或等于比偏离角小2°的角度且小于或等于8.6°，该倾斜面是与沿着偏离方向切割的切割截面垂直且通过晶体生长面的中心和晶体生长面的偏离下游端部这两者的面。
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公开(公告)号：CN110050091A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201780075628.X
申请日：2017-12-15
申请人： 昭和电工株式会社
摘要： 本发明的碳化硅单晶的制造方法是使用导向构件而使上述碳化硅晶种上生长碳化硅单晶的碳化硅单晶的制造方法，该制造方法具有单晶生长工序和晶体生长结束工序，并且在上述单晶生长工序与上述晶体生长结束工序之间具有间隙扩大工序，所述单晶生长工序以在上述碳化硅晶种上生长的碳化硅单晶的侧面与上述导向构件的内侧面及沉积在该导向构件的内侧面的晶体的间隙不闭塞的方式使碳化硅单晶生长，所述晶体生长结束工序使温度降低来结束晶体生长，所述间隙扩大工序将上述间隙的入口附近的原料气体内的Si2C的分压Pin与上述间隙的出口附近的原料气体内的Si2C的分压Pout之差Pin-Pout维持为0.18torr以下的状态来扩大上述间隙。
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公开(公告)号：CN110268106B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201780079551.3
申请日：2017-12-22
IPC分类号： C30B29/36 , C30B23/06 , C30B33/00 , H01L21/20 , H01L21/205
摘要： 本发明提供一种SiC晶片以及SiC晶片的制造方法。该SiC晶片中，在第一面外露的穿透位错的穿透位错密度与在第二面外露的穿透位错的穿透位错密度之差为所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面上的穿透位错密度的10％以下，在所述第一面和所述第二面中穿透位错密度高的那一面外露的穿透位错中的90％以上延伸到穿透位错密度低的那一面。
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