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公开(公告)号:CN107017321A
公开(公告)日:2017-08-04
申请号:CN201610843667.7
申请日:2016-09-23
申请人: 晶元光电股份有限公司
IPC分类号: H01L33/10
CPC分类号: H01L33/10
摘要: 本发明公开一种发光元件,包含一发光叠层包含一有源层;一第一绝缘层具有一第一折射率,该第一绝缘层位于该发光叠层上;一第二绝缘层具有一第二折射率,该第二绝缘层位于该第一绝缘层上;以及一透明导电结构具有一第三折射率,该透明导电结构位于该第二绝缘层上;其中,该第二折射率介于该第一折射率与该第三折射率之间,且该第一折射率小于1.4。
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公开(公告)号:CN107017321B
公开(公告)日:2022-08-09
申请号:CN201610843667.7
申请日:2016-09-23
申请人: 晶元光电股份有限公司
IPC分类号: H01L33/10
摘要: 本发明公开一种发光元件,包含发光叠层包含一有源层,并发出一光线;第一绝缘层具有第一折射率,该第一绝缘层位于该发光叠层上;第二绝缘层具有第二折射率,该第二绝缘层位于该第一绝缘层上;半导体层位于该发光叠层与该第一绝缘层之间,且对于该光线为透明;孔隙,穿透该第一绝缘层和该第二绝缘层;以及透明导电结构,对应于该孔隙的位置且与该半导体层接触;以及反射层位于该透明导电结构上;其中,该第二折射率介于1.4到1.8之间,且该第二折射率大于该第一折射率。
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公开(公告)号:CN104701435A
公开(公告)日:2015-06-10
申请号:CN201310653460.X
申请日:2013-12-06
申请人: 晶元光电股份有限公司
摘要: 本发明公开一种发光元件及其制造方法。本发明所公开的发光元件包含:金属连接结构;阻障层位于金属连接结构之上,包含第一多层金属层位于金属连接结构之上及第二多层金属层位于第一多层金属层之上;金属反射层位于阻障层之上;及发光叠层电连接金属反射层;其中第一多层金属层包含由第一金属材料构成的第一金属层及由第二金属材料构成的第二金属层,第一金属层较第二金属层接近金属连接结构,且第二多层金属层包含由第三金属材料构成的第三金属层及由第四金属材料构成的第四金属层,第三金属层较第四金属层接近第二金属层,且第一金属材料和第二金属材料不同,第三金属材料和第四金属材料不同。
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公开(公告)号:CN104576870A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201310500242.2
申请日:2013-10-22
申请人: 晶元光电股份有限公司
摘要: 本发明公开一发光元件,包含:一发光叠层,至少包含一活性层;一透明绝缘层位于发光叠层之上,透明绝缘层具有一边缘;及一电极区,包含一第一电极位于透明绝缘层之上,且第一电极具有一边缘;其中第一电极远离透明绝缘层的表面的表面积小于透明绝缘层远离发光叠层的表面的表面积,且透明绝缘层的折射率介于1至3.4之间,穿透率(T%)大于80%。
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公开(公告)号:CN111214209B
公开(公告)日:2024-01-09
申请号:CN201911183728.1
申请日:2019-11-27
申请人: 晶元光电股份有限公司
摘要: 本发明公开一种光学感测模块,包含承载体、光发射元件、光接收元件。光发射元件位于该承载体上。光接收元件位于该承载体上且包含III‑V族半导体材料。光接收元件具有吸光面以及最大量子效率的接收波长。光接收元件的最大量子效率与吸光面的面积比值≥13(%/mm2)。
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