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公开(公告)号:CN102916088B
公开(公告)日:2015-12-02
申请号:CN201110217299.2
申请日:2011-08-01
申请人: 晶元光电股份有限公司
IPC分类号: H01L33/00
摘要: 本发明公开一种发光元件,该发光元件具有基板;第一发光叠层位于基板之上;隧穿层位于第一发光叠层之上;第二发光叠层位于隧穿层之上;以及接触层位于第二发光叠层之上。
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公开(公告)号:CN104916747A
公开(公告)日:2015-09-16
申请号:CN201410094885.6
申请日:2014-03-14
申请人: 晶元光电股份有限公司
发明人: 林义杰
IPC分类号: H01L33/10
摘要: 本发明公开一种发光元件,包含:一基板;一发光叠层位于基板的上方,可发出一红外线(IR)波长的光;以及一半导体窗户层,由AlGaInP系列的材料组成,位于基板与发光叠层之间。
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公开(公告)号:CN117814752A
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN202311813042.2
申请日:2019-11-27
申请人: 晶元光电股份有限公司
摘要: 本发明公开一种光学感测模块,包含承载体、光发射元件、光接收元件。光发射元件位于该承载体上。光接收元件位于该承载体上且包含III‑V族半导体材料。光接收元件具有吸光面以及最大量子效率的接收波长。光接收元件的最大量子效率与吸光面的面积比值≥13(%/mm2)。
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公开(公告)号:CN107180901B
公开(公告)日:2020-08-18
申请号:CN201710138269.X
申请日:2017-03-09
申请人: 晶元光电股份有限公司
摘要: 本发明公开一种发光元件,其具有一正向电压。发光元件包含:一发光结构,其包含一发射出第一光的活性层,第一光具有一第一峰值波长λnm;以及一调整结构,其与活性层堆叠且以串联的方式电连接,用于调整发光元件的正向电压,其中发光元件的正向电压是介于(1240/0.8λ)伏特(V)和(1240/0.5λ)伏特之间。
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公开(公告)号:CN111214209A
公开(公告)日:2020-06-02
申请号:CN201911183728.1
申请日:2019-11-27
申请人: 晶元光电股份有限公司
摘要: 本发明公开一种光学感测模块,包含承载体、光发射元件、光接收元件。光发射元件位于该承载体上。光接收元件位于该承载体上且包含III-V族半导体材料。光接收元件具有吸光面以及最大量子效率的接收波长。光接收元件的最大量子效率与吸光面的面积比值≥13。
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公开(公告)号:CN104600161B
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201310529775.3
申请日:2013-10-31
申请人: 晶元光电股份有限公司
摘要: 本发明公开一种发光元件及其制造方法。本发明所公开的发光元件包含︰一发光叠层;以及一半导体层具有一第一表面邻接上述发光叠层、一第二表面相对于上述第一表面,以及一孔洞,上述孔洞包含一底部接近上述第一表面及一开口位于上述第二表面,其中上述孔洞的底部具有一宽度大于上述开口的宽度。
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公开(公告)号:CN107180901A
公开(公告)日:2017-09-19
申请号:CN201710138269.X
申请日:2017-03-09
申请人: 晶元光电股份有限公司
摘要: 本发明公开一种发光元件,其具有一正向电压。发光元件包含:一发光结构,其包含一发射出第一光的活性层,第一光具有一第一峰值波长λnm;以及一调整结构,其与活性层堆叠且以串联的方式电连接,用于调整发光元件的正向电压,其中发光元件的正向电压是介于(1240/0.8λ)伏特(V)和(1240/0.5λ)伏特之间。
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