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公开(公告)号：CN118335813A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410397863.0
申请日：2024-04-03
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0203 , H01L31/18
Abstract: 本申请涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池、制备方法、光伏电池及层叠电池。太阳能电池包括：基底；掺杂导电层，位于基底的一侧；第一电极，位于掺杂导电层远离基底的一侧，第一电极与掺杂导电层电连接；玻璃层，玻璃层位于第一电极与掺杂导电层之间；玻璃层内设置有多个第一接触区域和/或多个第二接触区域；第一接触区域和第二接触区域内有多个导电颗粒，相邻导电颗粒之间互不连接，且相邻导电颗粒之间的间距≤10nm；第一接触区域内的导电颗粒与第二接触区域内的导电颗粒的种类不同。本申请中，电子能够在导电颗粒之间通过量子隧穿效应传导，实现电子的传输，进而提升太阳能电池的光生电流导出效率。
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公开(公告)号：CN118248790A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410417563.4
申请日：2024-04-08
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/042
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池的制备方法、太阳能电池和光伏组件。太阳能电池的制备方法，包括：提供基底；基底具有相背设置的第一表面和第二表面；定义第一表面和第二表面中的其中之一为目标表面；在基底的目标表面上形成第一隧穿层；在第一隧穿层背离目标表面的一侧形成初始多晶硅层；在初始多晶硅层背离第一隧穿层的一侧形成掺杂源层；采用激光以第一预设图案对掺杂源层进行图案化处理，以使初始多晶硅层对应于第一预设图案的第一部分转化为第一掺杂多晶硅层；去除掺杂源层；去除初始多晶硅层的第二部分；第二部分为初始多晶硅层除去第一部分以外的部分。可省去掩膜工艺的复杂过程，有利于提高太阳能电池的制造效率。
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公开(公告)号：CN118281115A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410417836.5
申请日：2024-04-08
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/048
Abstract: 本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及叠层电池，方法包括：提供电池片，电池片具有相对的第一表面和第二表面，第一表面具有第一栅线，第二表面具有第二栅线，第一栅线的极性与第二栅线的极性不同；将电池片放置于光退火炉中，在光退火炉中执行以下步骤：进行升温处理，升温处理采用第一光源对电池片的第一表面进行照射，以使电池片的温度升高至第一预设温度；进行保温处理，保温处理采用第二光源对电池片的第一表面进行照射，以使电池片的温度保持为第二预设温度，在保温处理的过程中，向第一栅线和第二栅线之间通入反向电流；对电池片进行降温处理。本申请实施例提供的太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及叠层电池，至少可以提高太阳能电池的效率。
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公开(公告)号：CN118281096A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410419439.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/18 , H01L31/048
Abstract: 本申请提供一种太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，包括沿第一方向上交替排布的第一区和第二区，太阳能电池包括硅基底、第一扩散层、第一钝化层和第一金属电极；其中，第一扩散层位于硅基底的第一表面，第一扩散层为硼镓共掺杂层，第一扩散层仅位于第一区；第一钝化层位于扩散层背离硅基底的一侧；第一金属电极位于第一钝化层背离硅基底的一侧且位于第一区，第一金属电极贯穿第一钝化层并与第一扩散层电连接。此种结构有利于降低太阳能电池第一表面的第二区的载流子复合速率以及对光的寄生吸收，有利于提升电池钝化水平，从而有利于提升电池开路电压和短路电流，进而有利于提升转换效率。
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公开(公告)号：CN118198168A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410205442.3
申请日：2024-02-23
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0288
Abstract: 本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种四结晶硅太阳能电池与光伏组件，包括晶硅基底，晶硅基底的正面设有电极区域，电极区域依次层叠设置有第一扩散层、第一隧穿介质层和第一掺杂层，背面依次层叠设置有第二扩散层、第二隧穿介质层和第二掺杂层；第一掺杂层与第一扩散层形成电子高低结，第一扩散层与晶硅基底形成同向结，晶硅基底与第二扩散层形成异向结，第二扩散层与第二掺杂层形成空穴高低结。本申请通过电子高低结和空穴高低结的设置，提高了势垒高度，较高的势垒高度可以有效减少空穴从P型区域移动至N型区域，减少电子与空穴的界面复合损失，促进光生载流子的分离，即提高了四结晶硅太阳能电池的开路电压的同时，电子传输、收集的效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN221885113U
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202420165085.8
申请日：2024-01-23
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/072 , H01L31/0236 , H01L31/05 , H01L31/048
Abstract: 本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面和背面，正面包括沿第一方向交替排布的第一电极区和第一非电极区，背面包括沿第一方向交替排布的第二电极区和第二非电极区，且背面具有绒面结构，基底中掺杂有第一掺杂元素；发射极，至少位于每一第一电极区上；第一隧穿层，位于每一第二电极区上；掺杂导电层，位于每一第一隧穿层背离基底的表面上，掺杂导电层中掺杂有第一掺杂元素；扩散层，位于与第二电极区正对的基底内，扩散层内掺杂有第一掺杂元素，且扩散层内掺杂的第一掺杂元素的浓度大于基底内掺杂的第一掺杂元素的浓度。本申请实施例至少可以提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN119545981A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411648896.4
申请日：2024-11-18
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，包括：基底，基底具有相对的第一面和第二面，第一面或者第二面中的至少一者上具有绒面，绒面由多个金字塔结构构成，至少部分金字塔结构的侧壁上具有褶皱部，褶皱部由多个鳞片状凸起构成，从金字塔结构的塔尖至金字塔结构的塔底的方向上，褶皱部的长度为第一长度，金字塔结构的侧壁长度为第二长度，第一长度与第二长度的比值大于或者等于0.5。本申请实施例提供的太阳能电池及其制备方法，至少有利于降低太阳能电池的光反射率，进而提高太阳能电池的光转换效率。
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公开(公告)号：CN119530940A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411814494.7
申请日：2024-12-10
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源(海宁)有限公司
Abstract: 本申请涉及一种电镀载具组、电镀装置及太阳能电池的电镀方法。电镀载具组包括：第一载板，包括第一板体、多个底座和多个探针，第一板体具有用于承载电池片的承载部，多个底座沿第一板体的厚度方向活动的穿设于第一板体，探针的一端在第一板体的一侧连接对应的底座，探针的另一端朝向承载部延伸；第二载板，包括第二板体，以及设置于第二板体一侧的多个驱动部件，多个驱动部件与第一载板的多个底座对应设置，驱动部件用于与对应的底座远离探针的一端连接，且用于驱动对应的底座沿第一板体的厚度方向移动，以使探针能够沿第一板体的厚度方向压持于承载部上的电池片。本申请可以解决现有技术装载太阳能电池片速度慢的问题。
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公开(公告)号：CN119521863A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411677538.6
申请日：2024-11-21
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源(海宁)有限公司
Abstract: 本申请涉及一种光伏电池及光伏电池的制备方法，包括硅片，硅片的至少一表面具有若干金字塔结构及若干凹坑，金字塔结构的侧壁上设有弧形结构的凹槽；凹坑位于相邻设置的两金字塔结构之间，且凹坑与其相邻设置的金字塔结构上的凹槽相接。本申请通过在金字塔结构的侧壁上设置弧形结构的凹槽，及在硅片的表面上设置凹坑，且凹坑与其相邻设置的金字塔结构上的凹槽相接，金字塔结构的顶部的反射光线可再次入射至凹坑及凹槽内，且射入凹坑及凹槽内的光线在凹坑及凹槽内可多次反射，可提高光伏电池对光线的利用率，能够更有效地提升光伏电池的短路电流和效率。
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公开(公告)号：CN119505050A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411648973.6
申请日：2024-11-18
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源(海宁)有限公司
IPC: C08F120/38 , H10K30/86 , H10K30/50 , H10K30/40
Abstract: 本发明公开了一种化合物及其制备方法、空穴传输材料和钙钛矿太阳能电池，属于材料技术领域。该化合物结构如：#imgabs0#10
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