公开(公告)号：CN118198168A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202410205442.3

申请日：2024-02-23

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

Inventor： 毛杰 ,  郑晶茗 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/0288

Abstract: 本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种四结晶硅太阳能电池与光伏组件，包括晶硅基底，晶硅基底的正面设有电极区域，电极区域依次层叠设置有第一扩散层、第一隧穿介质层和第一掺杂层，背面依次层叠设置有第二扩散层、第二隧穿介质层和第二掺杂层；第一掺杂层与第一扩散层形成电子高低结，第一扩散层与晶硅基底形成同向结，晶硅基底与第二扩散层形成异向结，第二扩散层与第二掺杂层形成空穴高低结。本申请通过电子高低结和空穴高低结的设置，提高了势垒高度，较高的势垒高度可以有效减少空穴从P型区域移动至N型区域，减少电子与空穴的界面复合损失，促进光生载流子的分离，即提高了四结晶硅太阳能电池的开路电压的同时，电子传输、收集的效率高。

公开(公告)号：CN118281096A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202410419439.1

申请日：2024-04-08

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

Inventor： 郑晶茗 ,  沈梦超 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/18 ,  H01L31/048

Abstract: 本申请提供一种太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，包括沿第一方向上交替排布的第一区和第二区，太阳能电池包括硅基底、第一扩散层、第一钝化层和第一金属电极；其中，第一扩散层位于硅基底的第一表面，第一扩散层为硼镓共掺杂层，第一扩散层仅位于第一区；第一钝化层位于扩散层背离硅基底的一侧；第一金属电极位于第一钝化层背离硅基底的一侧且位于第一区，第一金属电极贯穿第一钝化层并与第一扩散层电连接。此种结构有利于降低太阳能电池第一表面的第二区的载流子复合速率以及对光的寄生吸收，有利于提升电池钝化水平，从而有利于提升电池开路电压和短路电流，进而有利于提升转换效率。

公开(公告)号：CN221885113U

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202420165085.8

申请日：2024-01-23

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源股份有限公司

Inventor： 郑晶茗 ,  毛杰 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/072 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/05 ,  H01L31/048

Abstract: 本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面和背面，正面包括沿第一方向交替排布的第一电极区和第一非电极区，背面包括沿第一方向交替排布的第二电极区和第二非电极区，且背面具有绒面结构，基底中掺杂有第一掺杂元素；发射极，至少位于每一第一电极区上；第一隧穿层，位于每一第二电极区上；掺杂导电层，位于每一第一隧穿层背离基底的表面上，掺杂导电层中掺杂有第一掺杂元素；扩散层，位于与第二电极区正对的基底内，扩散层内掺杂有第一掺杂元素，且扩散层内掺杂的第一掺杂元素的浓度大于基底内掺杂的第一掺杂元素的浓度。本申请实施例至少可以提高太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN118398687A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410533463.8

申请日：2024-04-29

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源(海宁)有限公司

Inventor： 郑晶茗 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  H01L31/048

Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括前表面、后表面和至少一个的侧表面，所述前表面和所述后表面相对设置，所述侧表面设置在所述前表面和后表面之间；位于所述半导体衬底前表面内部或上方的第一扩散层；位于所述半导体衬底后表面内部或上方的第二扩散层，所述第一扩散层和所述第二扩散层的导电类型相反；位于至少一个所述侧表面上的第三扩散层和第四扩散层，所述第三扩散层和所述第四扩散层的导电类型相反，所述第三扩散层和所述第四扩散层至少部分重叠；与所述第一扩散层形成欧姆接触的第一电极；及与所述第二扩散层形成欧姆接触的第二电极。

公开(公告)号：CN119069548A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202411087794.X

申请日：2024-08-08

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源(海宁)有限公司

Inventor： 李娴 ,  郑晶茗 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/048 ,  H01L31/18

Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，至少可以提高电池效率。太阳能电池包括基底；掺杂有掺杂元素的发射极；位于发射极表面的钝化结构，钝化结构包括：位于发射极表面的第一氧化硅层；第二氧化硅层，第二氧化硅位于第一氧化硅层表面，第二氧化硅层内掺杂有掺杂元素，且掺杂元素的掺杂质量比为1％～50％；第一掺杂元素氧化层，第一掺杂元素氧化层位于第二氧化硅层表面，第一掺杂元素氧化层内掺杂有硅元素，且硅元素的掺杂质量比为1％～50％；其中，第一掺杂元素氧化层为掺杂元素的氧化层；第二掺杂元素氧化层，第二掺杂元素氧化层位于第一掺杂元素氧化层的表面；第一电极，第一电极位于钝化结构上，且与发射极电连接。

公开(公告)号：CN118431315A

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202410532841.0

申请日：2024-04-29

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源(海宁)有限公司

Inventor： 张昕宇 ,  郑晶茗 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0288 ,  H01L31/18 ,  H01L31/048

Abstract: 本申请提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括：半导体衬底，半导体衬底包括前表面、后表面和至少一个的侧表面，前表面和后表面相对设置，侧表面设置在前表面和后表面之间；位于半导体衬底前表面内部或上方的第一扩散层；位于半导体衬底后表面内部或上方的第二扩散层，第一扩散层和第二扩散层的导电类型相反；位于至少一个侧表面上的第三扩散层和第四扩散层，第三扩散层和第四扩散层的导电类型相反，第三扩散层和第四扩散层沿第一方向设置，且第三扩散层和第四扩散层相接触，第一方向平行于半导体衬底厚度方向；与第一扩散层形成欧姆接触的第一电极；及与第二扩散层形成欧姆接触的第二电极。

公开(公告)号：CN118398674A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410533442.6

申请日：2024-04-29

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源(海宁)有限公司

Inventor： 郑晶茗 ,  王钊 ,  李娴 ,  杨欧洋 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/048 ,  H10K39/15

Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池、叠层电池及光伏组件，太阳能电池包括基底、发射极、掺杂导电层、第一电极、第二电极和侧掺杂层；基底包括第二表面；沿基底的厚度方向，发射极形成于基底背离第二表面的一侧；沿基底的厚度方向，掺杂导电层设置于第二表面；第一电极设置于发射极背离基底的一侧，第一电极与发射极电连接；第二电极设置于掺杂导电层背离基底的一侧，第二电极与掺杂导电层电连接；沿与厚度方向垂直的方向，侧掺杂层设置于基底的至少一侧表面，侧掺杂层与掺杂导电层具有相同类型的掺杂元素。侧掺杂层与基底之间形成高低结，从而使侧掺杂层处具有较高的漏电电流，从而在异常状态时能够继续传输电流，以使光伏组件可以继续正常工作。

公开(公告)号：CN118398673A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410533127.3

申请日：2024-04-29

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源(海宁)有限公司

Inventor： 郑晶茗 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/048 ,  H10K39/15

Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池、叠层电池及光伏组件，包括基底、发射极、掺杂导电层、第一电极、第二电极以及侧掺杂层，基底具有相对的第一主表面和第二主表面；沿基底的厚度方向，发射极形成于基底的第一主表面内部或上方，掺杂导电层形成于基底的第二主表面内或上方，第一电极设置于发射极背离基底的一侧，第一电极与发射极电连接，第二电极设置于掺杂导电层背离基底的一侧，第二电极与掺杂导电层电连接；沿与厚度方向垂直的方向，侧掺杂层形成于基底的至少一侧，侧掺杂层与发射极具有相同导电类型的掺杂元素。侧掺杂层与基底之间形成PN结结构，从而使侧掺杂层处具有较高的漏电电流，在异常状态时能够继续传输电流，以使光伏组件可以继续正常工作。

公开(公告)号：CN118398672A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410532914.6

申请日：2024-04-29

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源(海宁)有限公司

Inventor： 郑晶茗 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/02 ,  H01L31/048

Abstract: 本公开实施例涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的第一面及第二面；第一掺杂导电层，所述第一掺杂导电层位于所述第一面上；第二掺杂导电层，所述第二掺杂导电层位于所述第二面上，所述第一掺杂导电层内的掺杂元素与所述第二掺杂导电层内的掺杂元素具有不同的导电类型；导电贯穿部，所述导电贯穿部贯穿所述第一掺杂导电层与所述第二掺杂导电层中的至少一者，并与所述基底电接触。本公开实施例至少可以改善热斑效应问题。

公开(公告)号：CN118398694A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410533641.7

申请日：2024-04-29

Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 ,  晶科能源(海宁)有限公司

Inventor： 郑晶茗 ,  王钊 ,  郑霈霆 ,  杨洁 ,  张昕宇

IPC: H01L31/05 ,  H01L31/048

Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面、侧面以及第二表面；第一掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于第一表面上；第二掺杂半导体层，第二掺杂半导体层位于第二表面上；第一掺杂半导体层内的第一掺杂元素与第二掺杂半导体层内的第二掺杂元素的导电类型不同；钝化层，钝化层位于第一掺杂半导体层表面、第二掺杂半导体层表面以及侧面；至少一个导电结构，导电结构位于侧面上，导电结构其中一端延伸至第一表面并与第一掺杂半导体层电接触，导电结构的另一端延伸至第二表面并与第二掺杂半导体层电接触；第一电极以及第二电极，第一电极与第一掺杂半导体层电接触；第二电极与第二掺杂半导体层电接触。