-
公开(公告)号：CN119562644A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411746034.5
申请日：2024-11-29
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
Abstract: 本申请关于一种光伏电池片的制备方法、光伏电池片及光伏组件，该制备方法包括：提供基片，基片包括待掺杂部，待掺杂部包括多个金字塔结构，金字塔结构包括塔顶部和塔底部；在塔顶部放置浆料，浆料包括掺杂杂质；干燥处理浆料，浆料成为固接于塔顶部的固化体；退火处理基片和固化体，以使塔顶部的掺杂杂质的平均浓度大于塔底部的掺杂杂质的平均浓度；形成与塔顶部欧姆接触的金属电极。一方面，金字塔结构中电子和空穴的复合的速率较低，另一方面，塔顶部与金属电极之间的接触电阻较低，因此，本申请的制备方法可以提高所制备出的光伏电池片的光电转换效率。
-
公开(公告)号：CN118335837A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410389840.5
申请日：2024-04-01
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
Abstract: 本申请提供一种光伏电池片的制备方法、光伏电池片、叠层电池及光伏组件。本申请的制备方法包括：在硅片设置金属化浆料、对设置有金属化浆料的硅片和金属化浆料实施至少两次光退火处理，其中，金属化浆料被固化为电极、对在光退火处理之后的硅片和电极实施激光辅助烧结。或者本申请提供的制备方法包括：在硅片设置金属化浆料、对设置有金属化浆料的硅片和金属化浆料实施第一次光退火处理，其中，金属化浆料被固化为电极、对在第一次光退火处理后的硅片和电极实施激光辅助烧结、对在激光辅助烧结后的硅片和电极实施第二次光退火处理。基于本申请的制备方法所制备出的光伏电池片、叠层电池及光伏组件的发电性能较好。
-
公开(公告)号：CN119545981A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411648896.4
申请日：2024-11-18
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
Abstract: 本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，包括：基底，基底具有相对的第一面和第二面，第一面或者第二面中的至少一者上具有绒面，绒面由多个金字塔结构构成，至少部分金字塔结构的侧壁上具有褶皱部，褶皱部由多个鳞片状凸起构成，从金字塔结构的塔尖至金字塔结构的塔底的方向上，褶皱部的长度为第一长度，金字塔结构的侧壁长度为第二长度，第一长度与第二长度的比值大于或者等于0.5。本申请实施例提供的太阳能电池及其制备方法，至少有利于降低太阳能电池的光反射率，进而提高太阳能电池的光转换效率。
-
公开(公告)号：CN118198167A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410517157.5
申请日：2024-04-26
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/048
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。太阳能电池包括基底层、宽带隙金属氧化物、第一电极、多晶硅层和第二电极。基底层具有相对设置的第一面和第二面，第一面具有第一区域和第二区域，宽带隙金属氧化物设置于第一区域，第一电极设置于宽带隙金属氧化物。多晶硅层设置于第二面，多晶硅层具有第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域的元素掺杂浓度大于第二掺杂区域的元素掺杂浓度，第二电极与第一掺杂区域相连接。本申请通过设置第一掺杂区域采用的高浓度元素掺杂，增加电子或空穴的隧穿概率，提升太阳能电池的开路电压和效率，通过设置第二掺杂区域采用低浓度元素掺杂，降低寄生吸收，进一步提高钝化效果。
-
公开(公告)号：CN118431323A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517165.X
申请日：2024-04-26
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本申请提供一种光伏电池、叠层电池和光伏组件，该光伏电池包括基底、扩散层、隧穿氧化层、掺杂导电层和第一钝化层。基底包括第一表面和第二表面，第一表面为光入射面，第二表面背离第一表面的一侧设置有金属化区域和非金属化区域。基底、扩散层、第一钝化层层叠设置，基底、隧穿氧化层、掺杂导电层和第一钝化层层叠设置。扩散层表面为绒面，隧穿氧化层表面和掺杂导电层表面均为抛光面。掺杂导电层内所掺杂的元素的浓度大于扩散层内所掺杂的元素的浓度，掺杂导电层的方阻小于扩散层的方阻。扩散层设置于非金属化区域，隧穿氧化层和掺杂导电层均设置于金属化区域。其中，光伏电池、叠层电池和光伏组件具备较高的开路电压、短路电流和发电效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118398694A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410533641.7
申请日：2024-04-29
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源(海宁)有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/048
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面、侧面以及第二表面；第一掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于第一表面上；第二掺杂半导体层，第二掺杂半导体层位于第二表面上；第一掺杂半导体层内的第一掺杂元素与第二掺杂半导体层内的第二掺杂元素的导电类型不同；钝化层，钝化层位于第一掺杂半导体层表面、第二掺杂半导体层表面以及侧面；至少一个导电结构，导电结构位于侧面上，导电结构其中一端延伸至第一表面并与第一掺杂半导体层电接触，导电结构的另一端延伸至第二表面并与第二掺杂半导体层电接触；第一电极以及第二电极，第一电极与第一掺杂半导体层电接触；第二电极与第二掺杂半导体层电接触。
-
公开(公告)号：CN118398693A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410533260.9
申请日：2024-04-29
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源(海宁)有限公司
IPC: H01L31/05 , H01L31/048
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有第一表面、第二表面以及侧面；第一掺杂半导体层，第一掺杂半导体层位于第一表面上；第二掺杂半导体层，第二掺杂半导体层位于第二表面上；第一掺杂半导体层内的第一掺杂元素与第二掺杂半导体层内的第二掺杂元素的导电类型不同；钝化层，钝化层位于第一掺杂半导体层表面、第二掺杂半导体层表面以及侧面；至少一个金属层，金属层位于侧面上，金属层其中一端与第一掺杂半导体层电接触，金属层的另一端与第二掺杂半导体层电接触；第一电极以及第二电极，第一电极与第一掺杂半导体层电接触；第二电极与第二掺杂半导体层电接触。
-
公开(公告)号：CN118281096A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410419439.1
申请日：2024-04-08
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/068 , H01L31/0687 , H01L31/18 , H01L31/048
Abstract: 本申请提供一种太阳能电池及其制作方法、叠层电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，包括沿第一方向上交替排布的第一区和第二区，太阳能电池包括硅基底、第一扩散层、第一钝化层和第一金属电极；其中，第一扩散层位于硅基底的第一表面，第一扩散层为硼镓共掺杂层，第一扩散层仅位于第一区；第一钝化层位于扩散层背离硅基底的一侧；第一金属电极位于第一钝化层背离硅基底的一侧且位于第一区，第一金属电极贯穿第一钝化层并与第一扩散层电连接。此种结构有利于降低太阳能电池第一表面的第二区的载流子复合速率以及对光的寄生吸收，有利于提升电池钝化水平，从而有利于提升电池开路电压和短路电流，进而有利于提升转换效率。
-
公开(公告)号：CN118213427A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410518228.3
申请日：2024-04-26
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源(海宁)有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/048
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括基底、宽带隙金属氧化物、发射极和第一钝化层，基底具有第一表面和第二表面，宽带隙金属氧化物设置于第一表面的金属区域内，发射极位于第二表面，第一钝化层设置于宽带隙金属氧化物的表面和第一表面的非金属区域。宽带隙金属氧化物能够引起能带弯曲，降低第一电极与基底之间的金属接触复合，提高太阳能电池的光电转化效率。且由于取消了现有技术中设置在第一表面上的多晶硅层，能够减少寄生吸收所造成的损失，有利于对太阳能电池及光伏组件的短路电流和光电转化效率的提升。发射极位于第二表面，降低了掺杂层接收的光子数量，能够减少寄生吸收所造成的损失。
-
公开(公告)号：CN119069548A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202411087794.X
申请日：2024-08-08
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源(海宁)有限公司
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/048 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，至少可以提高电池效率。太阳能电池包括基底；掺杂有掺杂元素的发射极；位于发射极表面的钝化结构，钝化结构包括：位于发射极表面的第一氧化硅层；第二氧化硅层，第二氧化硅位于第一氧化硅层表面，第二氧化硅层内掺杂有掺杂元素，且掺杂元素的掺杂质量比为1％～50％；第一掺杂元素氧化层，第一掺杂元素氧化层位于第二氧化硅层表面，第一掺杂元素氧化层内掺杂有硅元素，且硅元素的掺杂质量比为1％～50％；其中，第一掺杂元素氧化层为掺杂元素的氧化层；第二掺杂元素氧化层，第二掺杂元素氧化层位于第一掺杂元素氧化层的表面；第一电极，第一电极位于钝化结构上，且与发射极电连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
92
records
(took 0.084 seconds)
