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公开(公告)号：CN118198168A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410205442.3
申请日：2024-02-23
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0687 , H01L31/0288
Abstract: 本申请涉及光伏技术领域，尤其涉及一种四结晶硅太阳能电池与光伏组件，包括晶硅基底，晶硅基底的正面设有电极区域，电极区域依次层叠设置有第一扩散层、第一隧穿介质层和第一掺杂层，背面依次层叠设置有第二扩散层、第二隧穿介质层和第二掺杂层；第一掺杂层与第一扩散层形成电子高低结，第一扩散层与晶硅基底形成同向结，晶硅基底与第二扩散层形成异向结，第二扩散层与第二掺杂层形成空穴高低结。本申请通过电子高低结和空穴高低结的设置，提高了势垒高度，较高的势垒高度可以有效减少空穴从P型区域移动至N型区域，减少电子与空穴的界面复合损失，促进光生载流子的分离，即提高了四结晶硅太阳能电池的开路电压的同时，电子传输、收集的效率高。
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公开(公告)号：CN221885113U
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202420165085.8
申请日：2024-01-23
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/072 , H01L31/0236 , H01L31/05 , H01L31/048
Abstract: 本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面和背面，正面包括沿第一方向交替排布的第一电极区和第一非电极区，背面包括沿第一方向交替排布的第二电极区和第二非电极区，且背面具有绒面结构，基底中掺杂有第一掺杂元素；发射极，至少位于每一第一电极区上；第一隧穿层，位于每一第二电极区上；掺杂导电层，位于每一第一隧穿层背离基底的表面上，掺杂导电层中掺杂有第一掺杂元素；扩散层，位于与第二电极区正对的基底内，扩散层内掺杂有第一掺杂元素，且扩散层内掺杂的第一掺杂元素的浓度大于基底内掺杂的第一掺杂元素的浓度。本申请实施例至少可以提高太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN118213427A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202410518228.3
申请日：2024-04-26
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 晶科能源(海宁)有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/048
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括基底、宽带隙金属氧化物、发射极和第一钝化层，基底具有第一表面和第二表面，宽带隙金属氧化物设置于第一表面的金属区域内，发射极位于第二表面，第一钝化层设置于宽带隙金属氧化物的表面和第一表面的非金属区域。宽带隙金属氧化物能够引起能带弯曲，降低第一电极与基底之间的金属接触复合，提高太阳能电池的光电转化效率。且由于取消了现有技术中设置在第一表面上的多晶硅层，能够减少寄生吸收所造成的损失，有利于对太阳能电池及光伏组件的短路电流和光电转化效率的提升。发射极位于第二表面，降低了掺杂层接收的光子数量，能够减少寄生吸收所造成的损失。
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公开(公告)号：CN118198167A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410517157.5
申请日：2024-04-26
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/048
Abstract: 本申请涉及一种太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及光伏组件。太阳能电池包括基底层、宽带隙金属氧化物、第一电极、多晶硅层和第二电极。基底层具有相对设置的第一面和第二面，第一面具有第一区域和第二区域，宽带隙金属氧化物设置于第一区域，第一电极设置于宽带隙金属氧化物。多晶硅层设置于第二面，多晶硅层具有第一掺杂区域和第二掺杂区域，第一掺杂区域的元素掺杂浓度大于第二掺杂区域的元素掺杂浓度，第二电极与第一掺杂区域相连接。本申请通过设置第一掺杂区域采用的高浓度元素掺杂，增加电子或空穴的隧穿概率，提升太阳能电池的开路电压和效率，通过设置第二掺杂区域采用低浓度元素掺杂，降低寄生吸收，进一步提高钝化效果。
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公开(公告)号：CN118431323A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410517165.X
申请日：2024-04-26
Applicant: 晶科能源(上饶)有限公司 , 浙江晶科能源有限公司
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0216
Abstract: 本申请提供一种光伏电池、叠层电池和光伏组件，该光伏电池包括基底、扩散层、隧穿氧化层、掺杂导电层和第一钝化层。基底包括第一表面和第二表面，第一表面为光入射面，第二表面背离第一表面的一侧设置有金属化区域和非金属化区域。基底、扩散层、第一钝化层层叠设置，基底、隧穿氧化层、掺杂导电层和第一钝化层层叠设置。扩散层表面为绒面，隧穿氧化层表面和掺杂导电层表面均为抛光面。掺杂导电层内所掺杂的元素的浓度大于扩散层内所掺杂的元素的浓度，掺杂导电层的方阻小于扩散层的方阻。扩散层设置于非金属化区域，隧穿氧化层和掺杂导电层均设置于金属化区域。其中，光伏电池、叠层电池和光伏组件具备较高的开路电压、短路电流和发电效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119008726A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311738300.5
申请日：2023-12-15
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/05 , H01L31/054
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳电池包括基底，基底具有相对设置的第一表面以及第二表面；第一表面具有绒面结构，绒面结构包括凸起结构；掺杂半导体层，掺杂半导体层位于第一表面或者第二表面，掺杂半导体层远离基底的一侧具有多个凹坑，凹坑的尺寸小于凸起结构的尺寸；钝化膜，钝化膜覆盖掺杂半导体层，钝化膜还位于部分凹坑内；电极，电极贯穿钝化膜与掺杂半导体层电接触，电极还位于部分凹坑内。本申请实施例提供的太阳能电池及其制备方法、光伏组件有利于提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117712219A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202211100614.8
申请日：2022-09-08
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本申请实施例涉及一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，太阳能电池的制备方法包括：在同一工艺步骤中，在基底背面形成第一隧穿层，在基底正面形成初始隧穿层；在同一工艺步骤中，在第一隧穿层表面形成第一多晶硅层，在初始隧穿层表面形成第二多晶硅层；对第一多晶硅层进行第一掺杂工艺，形成具有第二掺杂元素的第一掺杂导电层；对第二多晶硅层进行第二掺杂工艺，形成具有第三掺杂元素的初始掺杂导电层，第三掺杂元素扩散至部分所述基底中，形成初始扩散区；去除部分初始隧穿层、部分初始掺杂导电层以及部分初始扩散区，在金属图案区域对准的基底正面形成第二隧穿层、第二掺杂导电层，在金属图案区域对准的基底中形成扩散区。
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公开(公告)号：CN118053927A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311736451.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0288 , H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/05
Abstract: 本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有间隔且交替设置的P区以及N区；位于基底背面以及N区的第一介质层和第一掺杂多晶硅层，第一掺杂多晶硅层掺杂有N型掺杂元素；位于基底背面以及P区的第二介质层和第二掺杂多晶硅层，第二掺杂多晶硅层掺杂有P型掺杂元素；其中，第一掺杂多晶硅层远离第一介质层的表面具有第一粗糙度；第二掺杂多晶硅层远离第二介质层的表面具有第二粗糙度，第二粗糙度小于第一粗糙度；钝化层，钝化层覆盖第一掺杂多晶硅层的表面以及第二掺杂多晶硅层的表面；与第一掺杂多晶硅层电连接的第一电极，与第二掺杂多晶硅层电连接的第二电极。
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公开(公告)号：CN117673178A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211098149.9
申请日：2022-09-08
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05 , H01L31/06
Abstract: 本申请实施例涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底具有相对的正面以及背面；位于与金属图案区域对准的基底正面上且在沿背离基底方向上依次设置的第一隧穿层以及第一掺杂导电层，第一掺杂导电层的掺杂元素类型与基底的掺杂元素类型相同；位于基底背面且在沿背离基底方向上依次设置的第二隧穿层以及第二掺杂导电层，第二掺杂导电层的掺杂元素类型与第一掺杂导电层的掺杂元素类型不同，第一掺杂导电层中的激活的掺杂元素浓度大于第二掺杂导电层中的激活的掺杂元素浓度，且第一掺杂导电层的厚度不大于第二掺杂导电层的厚度。本申请实施例有利于提高太阳能电池的光电转换性能。
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公开(公告)号：CN119008728A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202311736380.0
申请日：2023-12-15
Applicant: 浙江晶科能源有限公司 , 晶科能源股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0224 , H01L31/0236 , H01L31/05 , H01L31/0216
Abstract: 本申请实施例涉及一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底；半导体导电层，所述半导体导电层位于所述基底的表面上，所述半导体导电层包括沿第一方向远离所述基底的第一表面，且所述第一表面上具有多个类球形凸起结构；电介质层，所述电介质层位于所述第一表面上，覆盖所述类球形凸起结构及所述类球形凸起结构暴露出的所述第一表面；多个电极，多个所述电极沿第二方向间隔排布，且所述电极贯穿所述电介质层与所述半导体导电层电接触。至少有利于提高太阳能电池的填充因子和光电转换效率。
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