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公开(公告)号：CN102790138A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132423.5
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基薄膜芯片的生产方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时GaN薄膜损伤的问题。该生产方法包括在蓝宝石衬底上生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成外延层；刻蚀外延层；在外延层上涂胶，黏附第一临时基板并固化；对蓝宝石衬底进行激光剥离；将剥离后的表面与第二临时基板键合；除掉第一临时基板和胶层，露出外延层；与永久支撑基板进行键合；腐蚀第二基板。本发明由于采用了多次转移，并且在第二次转移过程中，采取了键合的方式固定第二临时基板，可以使得第一次临时基板和相应的胶可以很顺利的腐蚀掉，使得工艺带来方便，提高了生产的良率。
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公开(公告)号：CN102790138B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110132423.5
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762 , H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种GaN基薄膜芯片的生产方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时GaN薄膜损伤的问题。该生产方法包括在蓝宝石衬底上生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成外延层；刻蚀外延层；在外延层上涂胶，黏附第一临时基板并固化；对蓝宝石衬底进行激光剥离；将剥离后的表面与第二临时基板键合；除掉第一临时基板和胶层，露出外延层；与永久支撑基板进行键合；腐蚀第二基板。本发明由于采用了多次转移，并且在第二次转移过程中，采取了键合的方式固定第二临时基板，可以使得第一次临时基板和相应的胶可以很顺利的腐蚀掉，使得工艺带来方便，提高了生产的良率。
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公开(公告)号：CN102790137B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110132402.3
申请日：2011-05-19
申请人： 晶能光电(江西)有限公司 , 易美芯光(北京)科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种GaN基薄膜片的制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时发生的外延薄膜破裂的问题。该制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成半导体多层结构；对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理；在半导体多层结构和导电反射复合金属层上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；将蓝宝石衬底进行激光剥离，在剥离面涂第二胶，并固化到第二临时基板；将第一临时基板和第一胶去掉；采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合；去掉第二临时基板和第二胶。本发明可以降低对氮化镓膜的损伤，可以大大提高通过这种工艺得到的GaN基薄膜芯片的良率。
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公开(公告)号：CN102790137A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132402.3
申请日：2011-05-19
申请人： 晶能光电(江西)有限公司 , 易美芯光(北京)科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种GaN基薄膜芯片的制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时发生的外延薄膜破裂的问题。该制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成半导体多层结构；对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理；在半导体多层结构和导电反射复合金属层上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；将蓝宝石衬底进行激光剥离，在剥离面涂第二胶，并固化到第二临时基板；将第一临时基板和第一胶去掉；采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合；去掉第二临时基板和第二胶。本发明可以降低对氮化镓膜的损伤，可以大大提高通过这种工艺得到的GaN基薄膜芯片的良率。
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公开(公告)号：CN102790139B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110132454.0
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致的外延薄膜破裂的问题。该制造方法包括以下步骤：刻蚀蓝宝石衬底上的外延层；在刻蚀的外延层上制备反射层材料，并进行合金；与永久支撑基板键合；在永久支撑基板的另一侧采用树脂与第二基板进行固化；激光剥离蓝宝石衬底；剥离后去除第二基板和树脂，第二基板也可在激光剥离前去掉。本发明可以使GaN薄膜芯片的成品率提高。
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公开(公告)号：CN102790139A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132454.0
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致的外延薄膜破裂的问题。该制造方法包括以下步骤：刻蚀蓝宝石衬底上的外延层；在刻蚀的外延层上制备反射层材料，并进行合金；与永久支撑基板键合；在永久支撑基板的另一侧采用树脂与第二基板进行固化；激光剥离蓝宝石衬底；剥离后去除第二基板和树脂，第二基板也可在激光剥离前去掉。本发明可以使GaN薄膜芯片的成品率提高。
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