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公开(公告)号：CN102790137A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132402.3
申请日：2011-05-19
申请人： 晶能光电(江西)有限公司 , 易美芯光(北京)科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种GaN基薄膜芯片的制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时发生的外延薄膜破裂的问题。该制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成半导体多层结构；对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理；在半导体多层结构和导电反射复合金属层上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；将蓝宝石衬底进行激光剥离，在剥离面涂第二胶，并固化到第二临时基板；将第一临时基板和第一胶去掉；采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合；去掉第二临时基板和第二胶。本发明可以降低对氮化镓膜的损伤，可以大大提高通过这种工艺得到的GaN基薄膜芯片的良率。
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公开(公告)号：CN102790138B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110132423.5
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/762 , H01L33/00
摘要： 本发明公开了一种GaN基薄膜芯片的生产方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时GaN薄膜损伤的问题。该生产方法包括在蓝宝石衬底上生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成外延层；刻蚀外延层；在外延层上涂胶，黏附第一临时基板并固化；对蓝宝石衬底进行激光剥离；将剥离后的表面与第二临时基板键合；除掉第一临时基板和胶层，露出外延层；与永久支撑基板进行键合；腐蚀第二基板。本发明由于采用了多次转移，并且在第二次转移过程中，采取了键合的方式固定第二临时基板，可以使得第一次临时基板和相应的胶可以很顺利的腐蚀掉，使得工艺带来方便，提高了生产的良率。
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公开(公告)号：CN102790138A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132423.5
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种GaN基薄膜芯片的生产方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时GaN薄膜损伤的问题。该生产方法包括在蓝宝石衬底上生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成外延层；刻蚀外延层；在外延层上涂胶，黏附第一临时基板并固化；对蓝宝石衬底进行激光剥离；将剥离后的表面与第二临时基板键合；除掉第一临时基板和胶层，露出外延层；与永久支撑基板进行键合；腐蚀第二基板。本发明由于采用了多次转移，并且在第二次转移过程中，采取了键合的方式固定第二临时基板，可以使得第一次临时基板和相应的胶可以很顺利的腐蚀掉，使得工艺带来方便，提高了生产的良率。
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公开(公告)号：CN102790137B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201110132402.3
申请日：2011-05-19
申请人： 晶能光电(江西)有限公司 , 易美芯光(北京)科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00
摘要： 本发明提供一种GaN基薄膜片的制备方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，用于解决在剥离蓝宝石衬底时发生的外延薄膜破裂的问题。该制备方法包括以下步骤：在蓝宝石衬底上依次生长n型GaN层、活性层、p型GaN层，形成半导体多层结构；对蓝宝石衬底进行减薄和抛光处理；在半导体多层结构和导电反射复合金属层上涂第一胶，与第一临时基板进行固化；将蓝宝石衬底进行激光剥离，在剥离面涂第二胶，并固化到第二临时基板；将第一临时基板和第一胶去掉；采用共晶键合方式将所述半导体多层结构与永久支撑基板结合；去掉第二临时基板和第二胶。本发明可以降低对氮化镓膜的损伤，可以大大提高通过这种工艺得到的GaN基薄膜芯片的良率。
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公开(公告)号：CN102790139B
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201110132454.0
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致的外延薄膜破裂的问题。该制造方法包括以下步骤：刻蚀蓝宝石衬底上的外延层；在刻蚀的外延层上制备反射层材料，并进行合金；与永久支撑基板键合；在永久支撑基板的另一侧采用树脂与第二基板进行固化；激光剥离蓝宝石衬底；剥离后去除第二基板和树脂，第二基板也可在激光剥离前去掉。本发明可以使GaN薄膜芯片的成品率提高。
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公开(公告)号：CN102790139A
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN201110132454.0
申请日：2011-05-19
申请人： 易美芯光(北京)科技有限公司 , 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种基于蓝宝石剥离的薄膜GaN芯片的制造方法，涉及半导体发光器件的制备工艺，该方法能解决在剥离蓝宝石衬底过程中导致的外延薄膜破裂的问题。该制造方法包括以下步骤：刻蚀蓝宝石衬底上的外延层；在刻蚀的外延层上制备反射层材料，并进行合金；与永久支撑基板键合；在永久支撑基板的另一侧采用树脂与第二基板进行固化；激光剥离蓝宝石衬底；剥离后去除第二基板和树脂，第二基板也可在激光剥离前去掉。本发明可以使GaN薄膜芯片的成品率提高。
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公开(公告)号：CN111106217A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201811247999.4
申请日：2018-10-25
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
IPC分类号： H01L33/48 , H01L33/50 , H01L25/075
摘要： 本发明提供了一种全光谱白光LED发光装置的制备方法，包括以下步骤：制备紫光LED芯片；依次制备红色荧光粉薄膜、绿色荧光粉薄膜及蓝色荧光粉薄膜；根据紫光LED芯片发光表面的大小切割得到相应大小的红色荧光粉胶片、绿色荧光粉胶片及蓝色荧光粉胶片；以三颗紫光LED芯片为一发光单元，并将其按照预设规则进行排列；在一发光单元中，分别将一红色荧光粉胶片、一绿色荧光粉胶片及一蓝色荧光粉胶片贴于相应的紫光LED芯片表面；对发光单元进行RGB封装得到全光谱白光LED发光装置。有效避免单一蓝光激发荧光粉产生的高而窄的蓝光激发峰和CRI(显色指数)指数低的问题，使用该制备方法制得的白光LED发光装置将CRI由现有的80％提升到95％。
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公开(公告)号：CN105810803A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410835247.5
申请日：2014-12-30
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明提供一种垂直结构LED芯片的制备方法，包括如下制作步骤：将垂直结构LED芯片排列于蓝膜上；在垂直结构LED芯片正面覆盖一层保护薄膜；将高反胶包覆整个芯片并高温固化；去除芯片正面高反胶及保护膜；切割后得到单颗单面出光的垂直芯片。使用本发明制作的LED芯片，避免了侧面光被支撑薄膜芯片的材料吸收，使得侧面光成为有效光，提高LED芯片的出光效率。
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公开(公告)号：CN105810780A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201410836973.9
申请日：2014-12-30
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
摘要： 本发明公开了一种白光LED芯片的制备方法，包含如下制作步骤：将LED倒装芯片排列在UV膜上，电极与UV膜接触；准备高反射白胶，旋涂或喷涂于倒装芯片与UV膜上，并高温固化；将上述材料放入减薄机中，减薄至露出衬底时停止；制作荧光粉层；切割得到单颗单面出光的LED芯片；用UV光照去除芯片上的UV膜。按照本发明提供的方法制成的LED芯片不仅能从整体上提高光的利用率，还具有导热性好、发光角度小、成本低的优势，从而提高LED的应用范围和使用的便捷性。
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公开(公告)号：CN104347760A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201310312239.8
申请日：2013-07-24
申请人： 晶能光电(江西)有限公司
CPC分类号： H01L33/0095 , B28D5/0011 , H01L21/78
摘要： 本发明公开了一种LED芯片切割方法。该方法包括在芯片背面用激光划出划痕，用金刚石锯片刀沿划痕锯片,其中所述锯片刀是左右对称的等腰倒三角形,刀侧面与水平线的夹角为30°-60°，该方法还包括将背切的芯片翻转倒膜，用裂片刀在芯片正面沿沟槽切割成一颗颗晶粒。本发明解决了传统锯片工艺带来的背崩，毛刺等问题，避免激光切割带来的烧蚀问题，该方法操作简单，易于实现。
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