公开(公告)号：CN113439341A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201980084910.3

申请日：2019-12-20

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 宋爱民 ,  张嘉炜 ,  J·威尔逊

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

摘要： 装置和方法描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管(SBTFT)200A。所述SBTFT 200A包括栅极触点(110)、栅极绝缘体层(120)、肖特基源极触点(150)以及与所述源极触点(150)接触的传导氧化物漏极触点(140)。还描述了一种反相器、一种逻辑门、一种集成电路、一种模拟电路、一种用于例如液晶显示器LCD或有机发光二极管显示器OLED的显示器的像素或者一种例如LCD或OLED的显示器，所述反相器、所述逻辑门、所述集成电路、所述模拟电路、用于所述显示器的所述像素或者所述显示器包括这种肖特基势垒薄膜晶体管SBTFT。还描述了一种提供这种肖特基势垒薄膜晶体管的方法。

公开(公告)号：CN112106205A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980027918.6

申请日：2019-02-26

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 宋爱民 ,  张嘉炜 ,  约书亚·威尔逊

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66

摘要： 本发明描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管。这种肖特基势垒薄膜晶体管包含了在氧化物半导体上的肖特基源极接触电极。这种肖特基势垒薄膜晶体管拥有至少500的本征增益。本发明还描述了一种在氧化物半导体沟道上形成肖特基源极接触电极的肖特基势垒薄膜晶体管制备方法。

公开(公告)号：CN110234786A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880009129.5

申请日：2018-02-05

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 宋爱民 ,  马嚣尘

IPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/00 ,  C23C14/54 ,  H01L29/00

摘要： 本发明的实施方式提供一种溅射的氧化硅电解质及用于生产其的方法，其中工作气体的预定压力及每目标单位面积的功率密度中的一种或多种经控制以使得溅射的氧化硅电解质具有无定形结构、0.5至2.0g/cm3之间的密度以及10-200Hz下0.05至15.0μF/cm2之间的单位面积电容。