公开(公告)号：CN117651569A

公开(公告)日：2024-03-05

申请号：CN202280046950.0

申请日：2022-06-28

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 赵灿 ,  迈克·布罗姆利 ,  尼克·瑞德 ,  马克·文德雷尔·埃斯科瓦尔

IPC分类号： A61K49/00 ,  A61P33/04 ,  A61P31/10 ,  A61P31/04 ,  C07K7/06

摘要： 本发明涉及式(I)和式(II)的化合物。本发明的化合物可用于治疗真菌感染、细菌感染或阿米巴感染的方法。环(Arg‑Lys‑Lys‑Xaa‑Trp‑Phe‑Trp‑Yaa) 式I R1‑Arg‑Lys‑Lys‑Xaa‑Trp‑Phe‑Trp‑Yaa‑R2式II。

公开(公告)号：CN110461764B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201880021060.8

申请日：2018-03-21

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 阿维德·维贾亚拉格万 ,  克里斯坦·伯格

IPC分类号： B81C1/00

摘要： 一种方法，将二维材料(例如石墨烯)转移到目标衬底上，用于制造微米和纳米电机械系统(MEMS和NEMS)。所述方法包括：提供较低的第一应变状态下的二维材料；将二维材料施加到目标衬底上，同时使二维材料处于较高的第二应变状态下。还公开一种装置，其包括悬置在腔上的有应变二维材料。

公开(公告)号：CN116940674A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202280015448.3

申请日：2022-02-17

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 斯图尔特·麦克雷·艾伦 ,  基隆·苏

IPC分类号： C12N9/64

摘要： 本公开提供了在接头3区域中具有氨基酸取代的改进的ADAMTS13变体。本公开还提供了用于产生和使用所述变体的方法。

公开(公告)号：CN113137325B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202110346966.0

申请日：2021-03-31

申请人： 中建科工集团有限公司 ,  曼彻斯特大学

发明人： 彭绍源 ,  李任戈 ,  P·K·斯坦斯拜

IPC分类号： F03B13/18

摘要： 本发明公开了一种波浪发电装置，包括平浮结构、锚件组件、发电组件与加固组件，平浮结构能够漂浮于海面；锚件组件包括锚头和锚索，锚索固定连接于是平浮结构与锚头之间，锚头用于沉入海内；发电组件设置于平浮结构，用于将机械能转换为电能；摆动组件包括浮动件与摆臂，浮动件漂浮于海面，并能够随波浪上下浮动，摆臂一端固定连接于浮动件，摆臂的另一端转动连接于发电组件，以能够向发电组件提供机械能；加固组件设置于摆动组件与平浮结构之间，并能够与摆臂同步运动。通过加固组件的设置，加固组件能够增强平浮结构和摆臂的稳固性，从而增强摆臂对波浪的抵抗力，避免摆臂发生弯折或者解体的情况。

公开(公告)号：CN111050954B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN201880043285.3

申请日：2018-04-26

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 李林 ,  韦超 ,  张小冀

IPC分类号： B22F3/105 ,  B33Y30/00 ,  B29C64/209

摘要： 提供了一种由包括具有第一组成的颗粒的第一材料对制品的一部分进行增材制造的设备(100)。设备(100)包括层提供装置(110)，该层提供装置用于由包括具有第二组成的颗粒的第二材料提供第一支承层，其中，第一组成和第二组成是不同的。设备(100)包括凹面限定装置(120)，该凹面限定装置用于在第一支承层的暴露表面中限定第一凹面。设备(100)包括沉积装置(130)，该沉积装置用于在限定在第一支承层中的第一凹面中沉积第一材料的一部分。设备(100)包括找平装置(140)，该找平装置(140)用于选择性地找平在所述第一凹面中的经沉积的第一材料。设备(100)包括第一熔合装置(150)，该第一熔合装置用于通过至少部分地融化颗粒来熔合在第一凹面中的经找平的第一材料的一些颗粒，由此形成制品的层的第一部分。以这种方式，第二材料可以由此用于在制品的一部分的增材制造期间提供支承结构。

公开(公告)号：CN115152039A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202080083940.5

申请日：2020-09-30

申请人： 剑桥实业有限公司 ,  曼彻斯特大学

发明人： 大卫·沃利斯 ,  雷切尔·奥利弗 ,  门诺·卡珀斯 ,  菲利普·道森 ,  斯蒂芬·查治 ,  大卫·宾克斯

IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02 ,  H01S5/34

摘要： 一种半导体结构，其包括：基体，所述基体包括具有第一带隙的第一立方第III族氮化物，和具有第二带隙并形成嵌入该基体内的区域的第二立方第III族氮化物。该第二立方第III族氮化物包含使第二带隙相对于第一带隙减小的合金材料，量子线由在嵌入该基体内的区域内的部分限定，该部分形成一维电荷载流子限制通道，其中该量子线可用于呈现光学偏振的发光。

公开(公告)号：CN108351587B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201680062388.5

申请日：2016-09-29

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 斯科特·刘易斯 ,  理查德·温培尼 ,  斯蒂芬·耶茨 ,  安东尼奥·费尔南德兹

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

摘要： 本发明涉及抗蚀剂组合物，具体涉及能用于光刻术中、特别是用于集成电路和派生产品的制造中的光致抗蚀剂。本发明的抗蚀剂组合物包括具有显著量的空隙并因此具有较少散射中心的抗散射成分，使得在曝光期间更加限制辐射散射事件。这种抗散射效应能够通过减少与光刻技术相关的常见邻近效应而使得分辨率改善，从而允许制造更小、更高分辨率的微芯片。此外，某些实施方式包括直接与抗蚀剂组分相连的抗散射组分，这能够改善总体光刻化学，从而在分辨率和抗蚀剂敏感性方面均提供益处。

公开(公告)号：CN113439341A

公开(公告)日：2021-09-24

申请号：CN201980084910.3

申请日：2019-12-20

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 宋爱民 ,  张嘉炜 ,  J·威尔逊

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

摘要： 装置和方法描述了一种肖特基势垒薄膜晶体管(SBTFT)200A。所述SBTFT 200A包括栅极触点(110)、栅极绝缘体层(120)、肖特基源极触点(150)以及与所述源极触点(150)接触的传导氧化物漏极触点(140)。还描述了一种反相器、一种逻辑门、一种集成电路、一种模拟电路、一种用于例如液晶显示器LCD或有机发光二极管显示器OLED的显示器的像素或者一种例如LCD或OLED的显示器，所述反相器、所述逻辑门、所述集成电路、所述模拟电路、用于所述显示器的所述像素或者所述显示器包括这种肖特基势垒薄膜晶体管SBTFT。还描述了一种提供这种肖特基势垒薄膜晶体管的方法。

公开(公告)号：CN106163984B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201580006800.7

申请日：2015-01-30

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 辛西亚·卡西拉吉 ,  维罗妮卡·桑切斯罗马古埃拉

IPC分类号： C01B32/19 ,  C09D11/30 ,  C09D11/52 ,  H01L21/00 ,  H01L29/00

摘要： 本发明涉及包含二维无机层状颗粒的墨水制剂。本发明的墨水制剂用于喷墨印刷。本发明还涉及用于制备这些墨水制剂的工艺，涉及这些墨水制剂用于产生包含该无机材料的印刷的膜和迹线的用途，涉及通过喷墨印刷这些墨水制剂产生的膜或迹线，以及涉及包含这些膜或迹线的装置。

公开(公告)号：CN107111228B

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201580054449.9

申请日：2015-07-30

申请人： 曼彻斯特大学

发明人： 斯科特·刘易斯 ,  理查德·温培尼 ,  斯蒂芬·耶茨

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/20

摘要： 本发明涉及电子束(eBeam)抗蚀剂组合物，特别是用于制造集成电路的(eBeam)抗蚀剂组合物。这种抗蚀剂组合物包含抗散射化合物，该抗散射化合物使散射和次级电子产生最小化，从而提供极高分辨率的平版印刷。这种高分辨率平版印刷可以直接用于基于硅的基底上以产生集成电路，或可以可选择地用于产生平印掩模(例如光掩模)以促进高分辨率平版印刷。