公开(公告)号：CN104342572B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201410444144.6

申请日：2014-09-02

申请人： 有研亿金新材料有限公司

发明人： 刘书芹 ,  王越 ,  王兴权 ,  王欣平 ,  何金江 ,  尚再艳 ,  高岩 ,  张巧霞

IPC分类号： C22C5/04 ,  C22C1/02 ,  C22F1/14 ,  H01J1/32 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

摘要： 本发明属于冷阴极材料制备技术领域的一种高二次电子发射系数冷阴极材料及其制备方法。所述材料包括：按重量百分比计，钡1.5％-4.5％，铂95.5％-98.5％；所述材料的微观结构为：铂为基体，Pt5Ba为第二相分布于基体中。所述高二次电子发射系数冷阴极材料在一次电子轰击功率为200W/cm2下，连续轰击3600h后，其二次电子发射系数δ大于3.0。本发明的冷阴极材料通过铸造、热轧、冷轧、热处理等一系列工艺制备而成。本发明的冷阴极材料具有二次电子发射系数高，使用寿命长，性能稳定等优点。

公开(公告)号：CN104342572A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410444144.6

申请日：2014-09-02

申请人： 有研亿金新材料有限公司

发明人： 刘书芹 ,  王越 ,  王兴权 ,  王欣平 ,  何金江 ,  尚再艳 ,  高岩 ,  张巧霞

IPC分类号： C22C5/04 ,  C22C1/02 ,  C22F1/14 ,  H01J1/32 ,  H01J1/30 ,  H01J9/02

摘要： 本发明属于冷阴极材料制备技术领域的一种高二次电子发射系数冷阴极材料及其制备方法。所述材料包括：按重量百分比计，钡1.5％-4.5％，铂95.5％-98.5％；所述材料的微观结构为：铂为基体，Pt5Ba为第二相分布于基体中。所述高二次电子发射系数冷阴极材料在一次电子轰击功率为200W/cm2下，连续轰击3600h后，其二次电子发射系数δ大于3.0。本发明的冷阴极材料通过铸造、热轧、冷轧、热处理等一系列工艺制备而成。本发明的冷阴极材料具有二次电子发射系数高，使用寿命长，性能稳定等优点。