公开(公告)号：CN112262458B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN201980038751.3

申请日：2019-05-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 刘婵媛 ,  李石柯

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

摘要： 铝籽晶层沉积在晶片上方。光致抗蚀剂材料层沉积在铝籽晶层上。使光致抗蚀剂材料图案化和显影，以穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露铝籽晶层的部分。在晶片上执行电化学转化工艺，以将铝籽晶层的穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露的部分电化学转化为阳极氧化铝(AAO)。该AAO包括延伸穿过该AAO的孔图案，以暴露出晶片的顶表面的在铝籽晶层下方的区域。从晶片去除光致抗蚀剂材料。使晶片暴露于等离子体以在晶片的顶表面的通过AAO中的孔图案暴露的区域处将孔蚀刻到晶片中。

公开(公告)号：CN112262458A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980038751.3

申请日：2019-05-17

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 刘婵媛 ,  李石柯

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

摘要： 铝籽晶层沉积在晶片上方。光致抗蚀剂材料层沉积在铝籽晶层上。使光致抗蚀剂材料图案化和显影，以穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露铝籽晶层的部分。在晶片上执行电化学转化工艺，以将铝籽晶层的穿过光致抗蚀剂材料中的开口暴露的部分电化学转化为阳极氧化铝(AAO)。该AAO包括延伸穿过该AAO的孔图案，以暴露出晶片的顶表面的在铝籽晶层下方的区域。从晶片去除光致抗蚀剂材料。使晶片暴露于等离子体以在晶片的顶表面的通过AAO中的孔图案暴露的区域处将孔蚀刻到晶片中。