公开(公告)号：CN109804460A

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201780062967.4

申请日：2017-09-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿达什·巴萨瓦林加帕 ,  王彭 ,  巴斯卡·纳加布海拉瓦 ,  迈克尔·葛斯 ,  普拉帕格拉·卡帕拉达苏 ,  伦道夫·科纳尔 ,  斯蒂芬·施米茨 ,  菲尔·弗里德尔

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 提供了一种相对于掩模选择性蚀刻蚀刻层的方法。提供包括多个蚀刻循环的蚀刻工艺，其中每个蚀刻循环包括：提供沉积阶段和蚀刻阶段。所述沉积阶段包括：提供沉积阶段气体流，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述沉积阶段气体形成等离子体；以及停止所述沉积阶段。所述蚀刻阶段包括：提供蚀刻阶段气体流，所述蚀刻阶段气体包含具有比所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率低的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率；以及停止所述蚀刻阶段。

公开(公告)号：CN109804460B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN201780062967.4

申请日：2017-09-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿达什·巴萨瓦林加帕 ,  王彭 ,  巴斯卡·纳加布海拉瓦 ,  迈克尔·葛斯 ,  普拉帕格拉·卡帕拉达苏 ,  伦道夫·科纳尔 ,  斯蒂芬·施米茨 ,  菲尔·弗里德尔

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

摘要： 提供了一种相对于掩模选择性蚀刻蚀刻层的方法。提供包括多个蚀刻循环的蚀刻工艺，其中每个蚀刻循环包括：提供沉积阶段和蚀刻阶段。所述沉积阶段包括：提供沉积阶段气体流，所述沉积阶段气体包含具有碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率，其使所述沉积阶段气体形成等离子体；以及停止所述沉积阶段。所述蚀刻阶段包括：提供蚀刻阶段气体流，所述蚀刻阶段气体包含具有比所述沉积阶段气体的所述碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率低的碳氟化合物或氢氟烃与氧的比率的含碳氟化合物或氢氟烃的气体和含氧气体；提供RF功率；以及停止所述蚀刻阶段。

公开(公告)号：CN107919264A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201710941778.6

申请日：2017-10-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴斯卡·纳加布海拉瓦 ,  阿达什·巴萨瓦林加帕 ,  王彭 ,  波罗跋枷罗·卡帕拉达苏 ,  迈克尔·葛斯

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了有关有机掩模的用于选择性地蚀刻氧化硅的方法，具体提供了一种用于利用具有通孔塞的有机平坦化层选择性地蚀刻含氧化硅的层中的沟槽的方法。处理氧化硅层包括多个工艺循环，其中每个蚀刻循环包括沉积阶段和蚀刻阶段，沉积阶段包括提供包括具有一定氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的沉积阶段气体的流，提供恒定的RF功率，其将沉积阶段气体形成等离子体，并停止沉积阶段，所述蚀刻阶段包括提供包括氟碳比高于所述沉积阶段气体的氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的蚀刻阶段气体的流，提供脉冲RF功率，其将蚀刻阶段气体形成等离子体，并停止蚀刻阶段。

公开(公告)号：CN107919264B

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201710941778.6

申请日：2017-10-11

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴斯卡·纳加布海拉瓦 ,  阿达什·巴萨瓦林加帕 ,  王彭 ,  波罗跋枷罗·卡帕拉达苏 ,  迈克尔·葛斯

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

摘要： 本发明提供了有关有机掩模的用于选择性地蚀刻氧化硅的方法，具体提供了一种用于利用具有通孔塞的有机平坦化层选择性地蚀刻含氧化硅的层中的沟槽的方法。处理氧化硅层包括多个工艺循环，其中每个蚀刻循环包括沉积阶段和蚀刻阶段，沉积阶段包括提供包括具有一定氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的沉积阶段气体的流，提供恒定的RF功率，其将沉积阶段气体形成等离子体，并停止沉积阶段，所述蚀刻阶段包括提供包括氟碳比高于所述沉积阶段气体的氟碳比的含碳氟化合物或氢氟碳化合物的气体的蚀刻阶段气体的流，提供脉冲RF功率，其将蚀刻阶段气体形成等离子体，并停止蚀刻阶段。