公开(公告)号：CN101971299B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200980104907.X

申请日：2009-02-07

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  林成渝(肖恩) ,  拉塞尔·马丁

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/67051 ,  Y10S134/902 ,  Y10T29/49826

摘要： 为输送到晶片表面的流体提供调节的进入临近头的流体流。连接到多个下流孔的上部稳压室由主孔提供。该下流孔将流体提供进该上部稳压室，阻抗器孔连接到该上部稳压室。该阻抗器孔容纳阻抗器，其形状限制该流体流经该阻抗器孔。连接到该阻抗器孔的下部稳压室构造为接收来自该阻抗器孔的、受到该阻抗器限制的流体，用以流到在该下部稳压室和该头表面的各表面之间延伸多个出口端口。通过该上部稳压室、具有该阻抗器的阻抗器孔和该下部稳压室流动的流体被大体上调节以限定纵贯该临近头的宽度、基本上一致的离开该多个出口端口流体出流。

公开(公告)号：CN101589118A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200780038200.4

申请日：2007-08-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 郑荣 ,  阿诺德·霍洛坚科 ,  马克·曼德尔保埃姆 ,  格兰特·彭 ,  卡特里娜·米哈利钦科

IPC分类号： C09D5/10

摘要： 在一个实施方式中，揭示了一种处理室本体，该处理器本体使得半导体处理设备至少部分装设在该处理室本体内，该半导体处理装置被配置为使用流体对基板进行处理。该处理器本体包含用来形成该处理室本体的基底材料，该处理室本体由至少一个下表面和与该下表面一体连接的侧壁表面定义，以能够捕获该处理室本体上方的基板处理期间溢出的流体。另外，该基底材料是金属的。该处理器本体还有位于该基底材料上并覆盖该基底材料的底层涂层材料。该底层涂层材料具有金属组分和非金属组分，该金属组分用以与该基底材料整体粘合。该处理室本体还包括位于该底层涂层材料上并覆盖该底层涂层材料的主涂层材料。该主涂层材料由非金属组分定义，该主涂层材料的非金属组分定义了与该底层涂层材料的整体粘合。该主涂层材料被定义为完全覆盖在该底层涂层的所有金属组分上。

公开(公告)号：CN102422399B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201080020563.7

申请日：2010-05-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  林成渝(肖恩) ,  马克·威尔考克森 ,  利昂·金兹伯格 ,  马克·卡瓦古奇

IPC分类号： G03F7/38 ,  H01L21/302

CPC分类号： B08B3/041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

摘要： 对基板的表面进行清洁材料的第一施加。清洁材料包含用于捕获存在所述基板的表面上的污染物的一种或一种以上粘弹性材料。对所述基板的表面进行冲洗流体的第一施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。同时，执行冲洗流体的第一施加，以在所述基板的表面上留下冲洗流体的残留薄膜。对于其上具有冲洗流体的残留薄膜的基板的表面进行清洁材料的第二施加。然后，对所述基板的表面进行冲洗流体的第二施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。

公开(公告)号：CN102422399A

公开(公告)日：2012-04-18

申请号：CN201080020563.7

申请日：2010-05-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  卡特里娜·米哈利钦科 ,  林成渝(肖恩) ,  马克·威尔考克森 ,  利昂·金兹伯格 ,  马克·卡瓦古奇

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： B08B3/041 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/67051

摘要： 对基板的表面进行清洁材料的第一施加。清洁材料包含用于捕获存在所述基板的表面上的污染物的一种或一种以上粘弹性材料。对所述基板的表面进行冲洗流体的第一施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。同时，执行冲洗流体的第一施加，以在所述基板的表面上留下冲洗流体的残留薄膜。对于其上具有冲洗流体的残留薄膜的基板的表面进行清洁材料的第二施加。然后，对所述基板的表面进行冲洗流体的第二施加，从而冲洗所述基板的表面上的清洁材料。

公开(公告)号：CN102224576A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146748.X

申请日：2009-11-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  程雨·肖恩·林 ,  利昂·金兹伯格 ,  马克·曼德尔博姆 ,  格雷瓦里·A·托马什 ,  安瓦尔·侯赛因

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/6704 ,  B08B3/003 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0058 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6776

摘要： 在示例实施方式中，线性湿法系统包括腔室里的载架和邻近头。所述邻近头包括按线性排列的三个部分。当半导体晶片用所述载架在所述邻近头下输送时，所述第一部分从所述晶片的所述上表面抽吸流体。所述第二部分设置成让非牛顿流体的清洁泡沫膜(或弯液面)流到所述晶片的所述上表面。所述第三部分设置成在所述邻近头下传输所述晶片时，让所述冲洗流体膜流到所述晶片的所述上表面。所述第三部分被部分限定在所述第二部分的周围且向上被限定至所述第一部分，从而所述第三部分和所述第一部分相对于所述室形成所述清洁泡沫的限制区。

公开(公告)号：CN101971295A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200880127387.X

申请日：2008-12-19

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  林成渝(肖恩)

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/67051 ,  H01L21/67057

摘要： 构造用于在通过弯液面处理晶圆表面时调节相对于临近头的流体流的邻近头的方法。该方法包括将该头构造成单件，同时保持头的刚性，即使在该头被加长以清洁更大直径的晶圆时。该单件头构造将主流体流与相对于该晶圆表面的独立流体流分开，其中该分开是通过高阻滞流体流构造实现的，产生跨越用于流体供应或返回的单元中的该头的增长的长度的基本上均匀的流体流。

公开(公告)号：CN102224576B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN200980146748.X

申请日：2009-11-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  程雨·肖恩·林 ,  利昂·金兹伯格 ,  马克·曼德尔博姆 ,  格雷瓦里·A·托马什 ,  安瓦尔·侯赛因

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/6704 ,  B08B3/003 ,  C11D11/0047 ,  C11D11/0058 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67057 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6776

摘要： 在示例实施方式中，线性湿法系统包括腔室里的载架和邻近头。所述邻近头包括按线性排列的三个部分。当半导体晶片用所述载架在所述邻近头下输送时，所述第一部分从所述晶片的所述上表面抽吸流体。所述第二部分设置成让非牛顿流体的清洁泡沫膜（或弯液面）流到所述晶片的所述上表面。所述第三部分设置成在所述邻近头下传输所述晶片时，让所述冲洗流体膜流到所述晶片的所述上表面。所述第三部分被部分限定在所述第二部分的周围且直到所述第一部分，从而所述第三部分和所述第一部分相对于所述室形成所述清洁泡沫的限制区。

公开(公告)号：CN101636824B

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN200880008510.6

申请日：2008-03-04

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  拉塞尔·马丁 ,  约翰·拉斯尼克 ,  克里斯托弗·金博尔

IPC分类号： H01L21/324

CPC分类号： H05B3/06

摘要： 具有非导电性外壳和在其中安装的弹簧支撑的导电组件的电气接头。该非导电性外壳具有纵轴，该弹簧支撑的导电组件可在沿该纵轴在任一方向上的有限范围内运动。该导电组件包括导电接触垫和导电延伸轴，它们在该非导电性外壳内匹配。沿接触轴并与之邻接安装的弹簧使该接触轴在远离该接触座的方向上偏移。当该电气接头被用于例如配合晶圆处理室的具有集成了分层加热器的室盖组件的室盖中时，该弹簧使该接触轴的下表面相对该加热器偏移。

公开(公告)号：CN101971299A

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200980104907.X

申请日：2009-02-07

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿诺德·霍洛坚科 ,  林成渝(肖恩) ,  拉塞尔·马丁

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/67051 ,  Y10S134/902 ,  Y10T29/49826

摘要： 为输送到晶片表面的流体提供调节的进入临近头的流体流。连接到多个下流孔的上部稳压室由主孔提供。该下流孔将流体提供进该上部稳压室，阻抗器孔连接到该上部稳压室。该阻抗器孔容纳阻抗器，其形状限制该流体流经该阻抗器孔。连接到该阻抗器孔的下部稳压室构造为接收来自该阻抗器孔的、受到该阻抗器限制的流体，用以流到在该下部稳压室和该头表面的各表面之间延伸多个出口端口。通过该上部稳压室、具有该阻抗器的阻抗器孔和该下部稳压室流动的流体被大体上调节以限定纵贯该临近头的宽度、基本上一致的离开该多个出口端口流体出流。

公开(公告)号：CN101711422A

公开(公告)日：2010-05-19

申请号：CN200880021202.7

申请日：2008-05-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 罗伯特·奥唐奈 ,  (锡恩)林·乘宇 ,  阿诺德·霍洛坚科

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： B08B3/04 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/67051

摘要： 一种形成并使用邻近头的系统和方法。该邻近头包括头表面，该头表面包括第一区域、第二区域和内部回路区域。该第一区域包括第一平坦表面区域和多个第一分散孔。该多个第一分散孔中的每一个连接于多个第一导管中相应的一个。该多个第一分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第一分散孔的至少一部分排列在第一排中。该第二区域包括第二平坦区域和多个第二分散孔。该多个第二分散孔中的每一个连接于多个第二导管中相应的一个。该多个第二分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该内部回路区域包括多个内部回路分散孔。该内部回路区域被置于该第一区域和该第二区域之间并毗邻该第一区域和该第二区域。该多个内部回路分散孔中的每一个连接于多个内部回路导管中相应的一个。该多个内部回路分散孔位于该头表面并延伸穿过该头表面。该多个内部回路分散孔中的至少一部分排列在内部回路排中。该第一排和该内部回路排大体平行。其中该多个内部回路分散孔中的每一个的边缘的第一部分凹陷入该头表面中。