公开(公告)号：CN114502778A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202080070051.5

申请日：2020-09-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 格雷戈里·J·卡恩斯 ,  蔡利平 ,  雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗 ,  史蒂文·T·迈耶

IPC分类号： C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D17/06 ,  H01L23/488

摘要： 通过最小化或消除流向唇形密封件的离子电流来最小化或消除在半导体衬底上电沉积金属期间金属在唇形密封件上的不希望的沉积(唇形密封件镀出)。例如，可以进行电沉积以避免在电镀过程中唇形密封件与半导体衬底上的阴极偏置导电材料接触。这可以通过屏蔽靠近唇形密封件的小选定区域以抑制靠近唇形密封件的金属的电沉积并避免金属与唇形密封件接触来实现。在一些实施方案中，通过在将金属电镀成贯穿抗蚀剂特征的过程中顺序地使用不同内径的唇形密封件来实现屏蔽，其中在第一电镀步骤期间使用具有较小直径的唇形密封件并将其用作在选定区域中阻挡电沉积的屏蔽物。在第二个电镀步骤中，使用较大内径的唇形密封件。

公开(公告)号：CN113424309A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202080014782.8

申请日：2020-02-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 蔡利平 ,  梁德福 ,  雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗 ,  托马斯·A·蓬努斯瓦米 ,  布莱恩·L·巴卡柳 ,  史蒂文·T·迈耶

IPC分类号： H01L21/768 ,  C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D5/02 ,  H01L21/288 ,  H01L23/525

摘要： 提供了用于蚀刻辅助的金(Au)通硅掩模电镀(EAG‑TSM)的方法的系统和方法。示例性方法包括在衬底上提供籽晶层并且在衬底上的籽晶层的至少一部分上提供硅掩模。硅掩模包括一个或多个待用金填充的通孔。有掩模的衬底经受至少一个处理循环，每个处理循环包括镀金子步骤和蚀刻处理子步骤。重复循环直到达到选定的通孔填充厚度。

公开(公告)号：CN115867696A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202280005335.5

申请日：2022-04-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 格雷戈里·J·卡恩斯 ,  雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗 ,  凯拉什·文卡特拉曼 ,  弗雷德里克·迪恩·威尔莫特 ,  蔡利平 ,  罗伯特·拉什

IPC分类号： C25D21/04

摘要： 溶解气体浓度可以通过在电镀溶液通过接触器之后，控制所述接触器内的压力，从而将所述电镀溶液中溶解气体浓度保持在第一浓度范围内来控制。所述第一浓度范围是非零且亚饱和的。

公开(公告)号：CN112805415A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201980065942.9

申请日：2019-10-02

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 格雷戈里·卡恩斯 ,  布莱恩·L·巴卡柳 ,  雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗

IPC分类号： C25D17/00 ,  C25D17/12 ,  C25D17/06 ,  C25D5/08 ,  C25D7/12 ,  H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/288

摘要： 在一示例中，提供一种用于电镀晶片的电镀设备。该电镀设备包含：晶片支架，其用于在电镀操作期间保持晶片；以及镀覆槽，其被配置成在该电镀操作期间容纳电解液。阳极腔室被设置在该镀覆槽内，以及进料板被设置在该阳极腔室内。阳极被安置在该阳极腔室内的该进料板上方。在一些示例中，该阳极腔室为无膜阳极腔室。