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公开(公告)号:CN1945247A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200610143154.1
申请日:2006-10-08
Applicant: 本田技研工业株式会社
CPC classification number: H01L41/125 , G01L3/102 , G01L3/105
Abstract: 本发明提供一种磁致伸缩扭矩传感器(10),其包括:通过施加的扭矩而旋转的旋转轴(11),在至少一个位置上环绕该旋转轴表面的整个周边形成的磁致伸缩薄膜(14A、14B),用于感应该磁致伸缩薄膜的阻抗变化的传感线圈(13A、13B),以及用于在基于与从该传感线圈输出的阻抗变化有关的信号的基础上计算施加于该旋转轴的扭矩的扭矩计算单元(17)。在该磁致伸缩扭矩传感器(10)中,设置该旋转轴的轴向上磁致伸缩薄膜(14A、14B)的宽度(W1)和该旋转轴的轴向上传感线圈的宽度(W2),以便满足关系式1<(W1/W2)<1.35。
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公开(公告)号:CN101126667A
公开(公告)日:2008-02-20
申请号:CN200710109738.1
申请日:2007-03-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
Abstract: 磁致伸缩扭矩传感器是具有旋转轴(11)的磁致伸缩扭矩传感器(10),在该旋转轴(11)上形成至少一个磁致伸缩薄膜(14A或14B),并具该磁致伸缩扭矩传感器有这种结构:旋转轴(11)具有小直径部分(11e和11f)和在小直径部分的两端侧上定位的大直径部分(11b、11c和11d),并且在小直径部分的轴向上的长度相对于在高频加热步骤使用的感应加热线圈的线圈宽度来确定,并且磁致伸缩薄膜在小直径部分上形成。
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公开(公告)号:CN1940516B
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN200610154312.3
申请日:2006-09-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: G01L3/10
Abstract: 一种磁致伸缩式转矩传感器的制造方法,其具有:在磁致伸缩式转矩传感器(10)的旋转轴(11)上形成磁致伸缩膜(14A、14B)的形成磁致伸缩膜工序(P1)和向在该形成磁致伸缩膜工序(P1)中形成的所述磁致伸缩膜(14A、14B)附加磁各向异性的附加磁各向异性工序(P2),且具有把旋转轴(11)进行退磁的退磁工序(P32)。退磁工序(P32)被设置在形成磁致伸缩膜工序(P1)后的任一阶段,是把旋转轴(11)上产生的剩磁(MS、MK)进行初始化的工序。
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公开(公告)号:CN1940516A
公开(公告)日:2007-04-04
申请号:CN200610154312.3
申请日:2006-09-20
Applicant: 本田技研工业株式会社
IPC: G01L3/10
Abstract: 一种磁致伸缩式转矩传感器的制造方法,其具有:在磁致伸缩式转矩传感器(10)的旋转轴(11)上形成磁致伸缩膜(14A、14B)的形成磁致伸缩膜工序(P1)和向在该形成磁致伸缩膜工序(P1)中形成的所述磁致伸缩膜(14A、14B)附加磁各向异性的附加磁各向异性工序(P2),且具有把旋转轴(11)进行退磁的退磁工序(P32)。退磁工序(P32)被设置在形成磁致伸缩膜工序(P1)后的任一阶段,是把旋转轴(11)上产生的剩磁(MS、MK)进行初始化的工序。
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