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公开(公告)号：CN113707776B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202111009443.3
申请日：2021-08-31
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlN基紫外发光二极管的外延片及其制作方法。所述外延片包括衬底和依次形成在衬底上的Al1‑xGaxN成核层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱发光层和p型层，其中0≤x≤0.1。本发明提供的紫外发光二极管的外延片，内部应力小，位错密度低。
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公开(公告)号：CN113990989A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111625480.7
申请日：2021-12-29
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制作方法。所述外延片包括沿指定方向依次设置的n型层、量子阱发光层和p型层，其中，所述p型层包括沿指定方向依次设置的p型电子阻挡层、隧穿层和p型接触层，所述隧穿层包括沿指定方向依次设置的p型Al1‑xInxN层、InN层和n型Al1‑yInyN层，0＜x≤0.6，0＜y≤0.6。本发明提供的紫外发光二极管外延片，空穴注入能力强，发光效率高。
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公开(公告)号：CN113871341A
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202111132595.2
申请日：2021-09-27
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677 , C30B25/12
摘要： 本发明公开了一种用于顶取晶片的插销及顶取装置。所述用于顶取晶片的插销，所述插销与分布在样品台第一表面的晶片槽内的销孔活动配合，所述插销包括沿轴向依次设置的端面段、斜面段、第一直面段及第二直面段；所述端面段、斜面段、第一直面段及第二直面段沿轴向方向的长度分别为La、Lb、Lc、Ld。本发明实施例提供的用于顶取晶片的插销，结构简单紧凑、性能可靠、装卸方便、传输可靠且可重复使用。
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公开(公告)号：CN113502535B
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111053039.6
申请日：2021-09-09
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种样品生长装置、样品生长方法及分子束外延系统。所述样品生长装置包括真空腔室以及位于真空腔室内的旋转部分和倾斜调节部分，旋转部分包括旋转台、旋转机构和承载于旋转机构上的基片，旋转机构设置于旋转台上且驱动基片绕旋转台周向公转；倾斜调节部分包括倾斜调节机构及与倾斜调节机构相连的分子束源炉，倾斜调节机构在基片公转的过程中调整分子束源炉的倾斜角度，使分子束源炉入射的分子束全覆盖住不同公转位置处的基片。本发明的结构简单紧凑，成本较低，且装卸方便，定位精度高，生产多片样品可通过单个分子束源炉调整角度，进行喷射位置的改变，很好地保证喷射的均匀性。
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公开(公告)号：CN113707776A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202111009443.3
申请日：2021-08-31
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种AlN基紫外发光二极管的外延片及其制作方法。所述外延片包括衬底和依次形成在衬底上的Al1‑xGaxN成核层、三维岛状AlN生长层、二维恢复AlN生长层、n型AlGaN层、多量子阱发光层和p型层，其中0≤x≤0.1。本发明提供的紫外发光二极管的外延片，内部应力小，位错密度低。
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公开(公告)号：CN113871341B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111132595.2
申请日：2021-09-27
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677 , C30B25/12
摘要： 本发明公开了一种用于顶取晶片的插销及顶取装置。所述用于顶取晶片的插销，所述插销与分布在样品台第一表面的晶片槽内的销孔活动配合，所述插销包括沿轴向依次设置的端面段、斜面段、第一直面段及第二直面段；所述端面段、斜面段、第一直面段及第二直面段沿轴向方向的长度分别为La、Lb、Lc、Ld。本发明实施例提供的用于顶取晶片的插销，结构简单紧凑、性能可靠、装卸方便、传输可靠且可重复使用。
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公开(公告)号：CN113990989B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111625480.7
申请日：2021-12-29
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种紫外发光二极管外延片及其制作方法。所述外延片包括沿指定方向依次设置的n型层、量子阱发光层和p型层，其中，所述p型层包括沿指定方向依次设置的p型电子阻挡层、隧穿层和p型接触层，所述隧穿层包括沿指定方向依次设置的p型Al1‑xInxN层、InN层和n型Al1‑yInyN层，0＜x≤0.6，0＜y≤0.6。本发明提供的紫外发光二极管外延片，空穴注入能力强，发光效率高。
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公开(公告)号：CN215481418U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202122309913.X
申请日：2021-09-23
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
IPC分类号： C30B23/02
摘要： 本实用新型公开了一种基于分子束外延技术的半导体生长设备。所述半导体生长设备包括真空腔室以及旋转单元和倾斜调节单元；所述旋转单元包括旋转台、旋转机构和基片，所述旋转机构包括第一驱动电机和样品托，所述基片设置在所述样品托上，所述样品托上未被基片覆盖的区域还设置有至少一第一校准通孔；所述倾斜调节单元包括倾斜调节机构、分子束源炉和第一激光器，所述倾斜调节机构与分子束源炉连接；所述第一激光器发光的第一激光能够穿过所述第一校准通孔，并在真空腔室内形成第一光斑。本实用新型提供的半导体生长设备，结构简单安装方便，定位快速且准确，可以有效的保证分子束源炉初始时的精确喷射，大大提升样品生长的效率。
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公开(公告)号：CN215481419U
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202122343507.5
申请日：2021-09-27
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
IPC分类号： C30B25/12
摘要： 本实用新型公开了一种半导体晶片生长转移系统。所述半导体晶片生长转移系统包括：晶片生长单元，其包括样品台，所述样品台的第一表面设置有多个晶片槽，所述晶片槽的槽底面设置有至少一销孔；晶片顶取单元，其包括插销和预顶取机构，所述插销包括沿轴向依次设置的端面段、斜面段、第一直面段及第二直面段，所述插销活动设置在所述销孔内，所述预顶取机构用于顶推所述插销，以将晶片顶起至取片所需高度；晶片转移单元，其包括机械手，所述机械手用于抓取被顶起的晶片，并将所述晶片转移至预定位置。本实用新型实施例提供的半导体晶片生长转移系统，结构简单紧凑、性能可靠、装卸方便、传输可靠且可重复使用。
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公开(公告)号：CN216528934U
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202123363338.8
申请日：2021-12-29
申请人： 材料科学姑苏实验室 , 埃特曼(苏州)半导体技术有限公司
摘要： 本实用新型公开了一种紫外发光二极管结构。所述紫外发光二极管结构包括：外延结构，所述外延结构包括沿指定方向依次设置的n型层、量子阱发光层和p型层；p电极和n电极，所述p电极与p型层配合，所述n电极与n型层配合；其中，所述p型层包括沿指定方向依次设置的p型电子阻挡层、隧穿层和p型接触层，所述隧穿层包括沿指定方向依次设置的p型Al1‑xInxN层、InN层和n型Al1‑yInyN层，0＜x≤0.6，0＜y≤0.6。本实用新型提供的紫外发光二极管结构，工作电压低，发光效率高。
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