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公开(公告)号：CN103700394A
公开(公告)日：2014-04-02
申请号：CN201310650900.6
申请日：2013-12-08
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
IPC分类号： G11C11/4093
摘要： 一种16比特DDRSDRAM接口，所述的16比特DDRSDRAM接口上设置有一对差分DQS管脚，所述的一对差分DQS管脚可以是HDQS和HDQS#，此时芯片在低8比特的读写数据通路上增加延时控制；所述的一对差分DQS管脚也可以是LDQS和LDQS#，此时芯片在高8比特的读写数据通路上增加延时控制；本发明减少管脚数目意味产品成本更低或是产品可以提供更多功能而得以提高产品价值。减少管脚数目也减少了芯片面积和成本，减少工作电流和工作噪声，提高芯片性能。
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公开(公告)号：CN104410893B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201410735837.0
申请日：2014-12-05
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
IPC分类号： H04N21/426 , H04N5/455
摘要： 本发明涉及一种电视解调SOC芯片调整DDR工作频率的方法。电视信号解调时，DDR工作引起的干扰将传输入信道解调模块内部，降低信道解调模块的性能。本发明方法采用一个时钟选择器、一个控制状态机和两个DDR时钟源。控制状态机根据当前要解调的频段的中心频点和安全频点距离产生最优的选择信号；控制状态机控制时钟选择器选择两个DDR时钟源中的一个时钟作为DDR时钟信号输出。该方法通过在电视解调SOC芯片中对DDR增加时钟源选择功能，实现解调某个特定频段内传输的电视节目时，将DDR引起的干扰信号挪出特定频段，从而减少信道解调模块的输入噪声，提高信道解调模块的性能。
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公开(公告)号：CN106503590B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：CN201610903525.5
申请日：2016-10-17
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
IPC分类号： G06F21/72
摘要： 本发明涉及一种芯片防功耗攻击电路及防止功耗攻击的方法。现有方法没有根本上解决功耗攻击问题。本发明包括一个NMOS开关、充电电容、滤波电阻、滤波电容、充电电压比较器、开关电压比较器、二输入与门、四个分压电阻。当芯片上电后，开关关闭，外部电源给电容充电。当芯片开始加解密工作时，开关打开，芯片内部与外部电源断开连接，芯片内部电路依赖充电电容供电。当电容的电量降低到阈值后，芯片暂时停止工作，开关关闭，外部电源给电容充电。当电容充满电量后，开关打开，芯片内部与外部电源断开，芯片内部电路依赖充电电容供电继续工作。本发明破坏了功耗信息中蕴含的有用信息，提高了芯片的保护能力，而且具备自我主动防护功能。
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公开(公告)号：CN103700394B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310650900.6
申请日：2013-12-08
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
IPC分类号： G11C11/4093
摘要： 一种16比特DDR SDRAM接口，所述的16比特DDR SDRAM接口上设置有一对差分DQS管脚，所述的一对差分DQS管脚可以是HDQS和HDQS#，此时芯片在低8比特的读写数据通路上增加延时控制；所述的一对差分DQS管脚也可以是LDQS和LDQS#，此时芯片在高8比特的读写数据通路上增加延时控制；本发明减少管脚数目意味产品成本更低或是产品可以提供更多功能而得以提高产品价值。减少管脚数目也减少了芯片面积和成本，减少工作电流和工作噪声，提高芯片性能。
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公开(公告)号：CN105307084A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510818785.8
申请日：2015-11-23
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
IPC分类号： H04R3/00
摘要： 本发明涉及一种双声道信号转换成单声道信号输出的方法。现有电路或损失一路声音或成本较高。本发明方法将Sigma-delta DAC输出的两路双电平数字信号通过数据映射模块进行叠加映射形成一路声音信号，叠加映射映后的一路声音信号在数据映射模块内再进行H桥驱动映射形成H桥的两个输入控制信号，H桥的两个输入控制信号通过H桥驱动喇叭。数据映射模块包括一个两输入或门和一个两输入与非门，将两路双电平数字信号转换成H桥的两个输入控制信号HL和HR。本发明设计简洁，节约电路面积，具有较低成本的优势。
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公开(公告)号：CN107359875B
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201710468092.X
申请日：2017-06-20
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种提高SAR‑ADC电路性能的方法。现有技术存在诸多不足。本发明方法将电容负极的充电时间分成初期与后期，初期使用低精度基准电源充电，后期使用高精度基准电源充电。具体是在ADC电容驱动电路中采用三个控制开关，分别控制电容接地、接高精度基准电源和接低精度基准电源。控制电源的两个控制开关通过时序控制电路接电容驱动控制信号。当控制信号为低电平时，令电容的负极接低精度基准电源，电容负极的电位接近或达到低精度基准电源的电位时，通过时序控制电路令电容的负极接高精度基准电源。本发明采用高精度基准电源与低精度基准电源交替使用，减少了对稳定电路要求，降低了芯片的成本，同时提高了电路性能。
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公开(公告)号：CN107359875A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710468092.X
申请日：2017-06-20
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种提高SAR-ADC电路性能的方法及实现的电路。现有技术存在诸多不足。本发明方法将电容负极的充电时间分成初期与后期，初期使用低精度基准电源充电，后期使用高精度基准电源充电。具体是在ADC电容驱动电路中采用三个控制开关，分别控制电容接地、接高精度基准电源和接低精度基准电源。控制电源的两个控制开关通过时序控制电路接电容驱动控制信号。当控制信号为低电平时，令电容的负极接低精度基准电源，电容负极的电位接近或达到低精度基准电源的电位时，通过时序控制电路令电容的负极接高精度基准电源。本发明采用高精度基准电源与低精度基准电源交替使用，减少了对稳定电路要求，降低了芯片的成本，同时提高了电路性能。
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公开(公告)号：CN106503590A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610903525.5
申请日：2016-10-17
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
IPC分类号： G06F21/72
CPC分类号： G06F21/72
摘要： 本发明涉及一种芯片防功耗攻击电路及防止功耗攻击的方法。现有方法没有根本上解决功耗攻击问题。本发明包括一个NMOS开关、充电电容、滤波电阻、滤波电容、充电电压比较器、开关电压比较器、二输入与门、四个分压电阻。当芯片上电后，开关关闭，外部电源给电容充电。当芯片开始加解密工作时，开关打开，芯片内部与外部电源断开连接，芯片内部电路依赖充电电容供电。当电容的电量降低到阈值后，芯片暂时停止工作，开关关闭，外部电源给电容充电。当电容充满电量后，开关打开，芯片内部与外部电源断开，芯片内部电路依赖充电电容供电继续工作。本发明破坏了功耗信息中蕴含的有用信息，提高了芯片的保护能力，而且具备自我主动防护功能。
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公开(公告)号：CN104410893A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410735837.0
申请日：2014-12-05
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
IPC分类号： H04N21/426 , H04N5/455
CPC分类号： H04N21/42615 , H04N21/42676
摘要： 本发明涉及一种电视解调SOC芯片调整DDR工作频率的方法。电视信号解调时，DDR工作引起的干扰将传输入信道解调模块内部，降低信道解调模块的性能。本发明方法采用一个时钟选择器、一个控制状态机和两个DDR时钟源。控制状态机根据当前要解调的频段的中心频点和安全频点距离产生最优的选择信号；控制状态机控制时钟选择器选择两个DDR时钟源中的一个时钟作为DDR时钟信号输出。该方法通过在电视解调SOC芯片中对DDR增加时钟源选择功能，实现解调某个特定频段内传输的电视节目时，将DDR引起的干扰信号挪出特定频段，从而减少信道解调模块的输入噪声，提高信道解调模块的性能。
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公开(公告)号：CN101989848A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200910101064.X
申请日：2009-08-03
申请人： 杭州国芯科技股份有限公司
摘要： 本发明提出了一种时钟产生电路，包括开关信号产生电路和时钟再生电路，所述开关信号产生电路根据输入的原始时钟信号和分频比信号产生时钟开关信号，并将时钟开关信号输出到时钟再生电路；所述时钟再生电路，根据输入的原始时钟信号和时钟开关信号产生输出时钟。所述开关信号产生电路，包含周期时钟开关信号产生电路、1∶1分频判断器和时钟开关选择电路；所述时钟再生电路，包含时序调整电路和门控电路。本发明使原始时钟信号经过门控电路后直接获得输出时钟，不同的分频时钟信号的延时相同，有利于系统稳定工作减小了时钟电路的路径，降低了设计难度。
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