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公开(公告)号：CN107092880B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201710245690.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开了超声波指纹传感器及其制造方法。所述方法包括：形成CMOS电路；以及在所述CMOS电路上形成超声波换能器。在该方法中，形成超声波换能器的步骤包括：形成模板层；在所述模板层中形成第一开口；在所述模板层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述模板层；在所述停止层上形成牺牲层，所述牺牲层填充所述第一开口；在所述停止层和所述牺牲层上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述牺牲层；在所述掩模层上形成到达所述牺牲层的至少一个第二开口；经由所述至少一个第二开口去除所述牺牲层形成空腔，以及在所述掩模层上形成压电叠层。该方法利用模板层和停止层形成空腔，从而可以降低制造成本以及提高传感器的性能。
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公开(公告)号：CN108363950A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201810016576.5
申请日：2018-01-08
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 本申请公开了超声波指纹传感器及其制造方法。该方法包括：形成CMOS电路；以及在CMOS电路上形成超声波换能器。在该方法中，形成超声波换能器的步骤包括：形成模板层；在模板层中形成第一开口；在模板层上形成第一停止层，第一停止层共形地覆盖模板层；在第一停止层上形成牺牲层，牺牲层填充第一开口；在第一停止层和牺牲层上形成第二停止层，第二停止层覆盖牺牲层；在第二停止层上形成压电叠层；形成穿过压电叠层到达牺牲层的至少一个第二开口；以及经由至少一个第二开口去除牺牲层形成空腔，其中，第一停止层和第二停止层共同围绕空腔。该方法在形成压电叠层之后形成空腔，从而提高产品良率和可靠性。
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公开(公告)号：CN107199169A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710246019.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
CPC classification number: B06B1/064 , B06B2201/55 , G06K9/0002
Abstract: 本申请公开了超声波换能器、超声波指纹传感器及其制造方法。所述方法包括：形成CMOS电路；以及在所述CMOS电路上形成超声波换能器。在该方法中，形成超声波换能器的步骤包括：形成牺牲层；图案化牺牲层；在所述牺牲层上形成掩模层，所述掩模层覆盖和围绕所述牺牲层；在所述掩模层上形成到达所述牺牲层的开口；经由所述开口进行气相蚀刻，从而去除所述牺牲层形成空腔，以及在所述掩模层上形成压电叠层。该方法利用图案化牺牲层形成空腔，从而可以降低制造成本以及提高传感器的性能。
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公开(公告)号：CN105236345A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510608392.4
申请日：2015-09-22
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司 , 杭州士兰集成电路有限公司
CPC classification number: B81B7/0038 , B81B2203/0315 , B81B2203/033 , B81B2203/0384 , B81C1/00285 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/0154 , B81C2201/0198 , B81C2203/0109 , H01L23/26
Abstract: 本发明提供了一种MEMS器件、半导体器件及其制造方法，所述MEMS器件具有密闭的腔体，所述腔体具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。本发明能够在常规的蒸发、溅射设备上以较小的入射角度形成吸气剂薄膜，即形成多孔性、高粗糙度的吸气剂薄膜。
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公开(公告)号：CN107169416B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201710246018.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种超声波指纹传感器及其制造方法。该方法包括：形成超声波换能器，包括第一衬底、位于所述第一衬底上的机械支撑层、以及位于所述机械支撑层上的压电叠层；形成CMOS电路，包括第二衬底、在所述第二衬底中形成的至少一个晶体管、以及位于所述至少一个晶体管上的多个布线层和多个层间介质层；将所述超声波换能器和所述CMOS电路彼此连接；以及在所述超声波换能器中形成超声波波导结构，其中，所述机械支撑层为外延多晶层。该方法利用外延多晶生长的机械支撑层减小应力对超声波换能器的性能影响，从而提高频率稳定性和成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107199169B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN201710246019.8
申请日：2017-04-14
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开了超声波换能器、超声波指纹传感器及其制造方法。所述方法包括：形成CMOS电路；以及在所述CMOS电路上形成超声波换能器。在该方法中，形成超声波换能器的步骤包括：形成牺牲层；图案化牺牲层；在所述牺牲层上形成掩模层，所述掩模层覆盖和围绕所述牺牲层；在所述掩模层上形成到达所述牺牲层的开口；经由所述开口进行气相蚀刻，从而去除所述牺牲层形成空腔，以及在所述掩模层上形成压电叠层。该方法利用图案化牺牲层形成空腔，从而可以降低制造成本以及提高传感器的性能。
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公开(公告)号：CN107169416A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710246018.3
申请日：2017-04-14
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
CPC classification number: G06K9/0002 , H01L21/82 , H01L27/20
Abstract: 本申请公开了一种超声波指纹传感器及其制造方法。该方法包括：形成超声波换能器，包括第一衬底、位于所述第一衬底上的机械支撑层、以及位于所述机械支撑层上的压电叠层；形成CMOS电路，包括第二衬底、在所述第二衬底中形成的至少一个晶体管、以及位于所述至少一个晶体管上的多个布线层和多个层间介质层；将所述超声波换能器和所述CMOS电路彼此连接；以及在所述超声波换能器中形成超声波波导结构，其中，所述机械支撑层为外延多晶层。该方法利用外延多晶生长的机械支撑层减小应力对超声波换能器的性能影响，从而提高频率稳定性和成品率。
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公开(公告)号：CN107092880A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710245690.0
申请日：2017-04-14
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
CPC classification number: G06K9/0002 , H01L21/82 , H01L27/20
Abstract: 本申请公开了超声波指纹传感器及其制造方法。所述方法包括：形成CMOS电路；以及在所述CMOS电路上形成超声波换能器。在该方法中，形成超声波换能器的步骤包括：形成模板层；在所述模板层中形成第一开口；在所述模板层上形成停止层，所述停止层共形地覆盖所述模板层；在所述停止层上形成牺牲层，所述牺牲层填充所述第一开口；在所述停止层和所述牺牲层上形成掩模层，所述掩模层覆盖所述牺牲层；在所述掩模层上形成到达所述牺牲层的至少一个第二开口；经由所述至少一个第二开口去除所述牺牲层形成空腔，以及在所述掩模层上形成压电叠层。该方法利用模板层和停止层形成空腔，从而可以降低制造成本以及提高传感器的性能。
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公开(公告)号：CN207254707U
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201720396599.4
申请日：2017-04-14
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
Abstract: 本申请公开了超声波换能器和超声波指纹传感器。所述超声波换能器用于根据驱动信号产生超声波以及根据回波产生检测信号，其特征在于，包括：掩模层，所述掩模层覆盖和围绕空腔，并且包括从表面延伸至所述空腔的开口；以及位于所述掩模层上的压电叠层。该超声波换能器利用图案化牺牲层形成空腔，从而可以降低制造成本以及提高传感器的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206991333U
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201720397742.1
申请日：2017-04-14
Applicant: 杭州士兰微电子股份有限公司
IPC: G06K9/00
Abstract: 本申请公开了一种超声波指纹传感器。该超声波指纹传感器包括：超声波换能器，所述超声波换能器包括第一衬底、位于所述第一衬底上的机械支撑层、以及位于所述机械支撑层上的压电叠层，所述超声波换能器包括彼此相对的第一表面和第二表面；以及CMOS电路，所述超声波换能器和所述CMOS电路彼此连接，其中，所述超声波换能器的第二表面与所述CMOS电路的第三表面相对，所述超声波换能器包括在所述超声波换能器的第一表面中形成的超声波波导结构，以及所述机械支撑层为外延多晶层。该超声波指纹传感器利用外延多晶生长的机械支撑层减小应力对超声波换能器的性能影响，从而提高频率稳定性和成品率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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