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公开(公告)号：CN106276772B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610465132.0
申请日：2016-06-23
申请人： 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00619 , B81B2201/035 , B81B2203/0384 , B81C1/00103 , B81C2201/0112 , B81C2201/0132 , B81C2201/0138 , B81C2201/014 , B81C2201/0188 , B81C2201/0198 , G04B13/02 , G04B13/026 , G04B13/027 , G04D99/00
摘要： 本发明涉及具有至少一个减少的接触面的硅基部件，所述硅基部件是由这样的方法形成的：所述方法结合了至少一个倾斜侧壁蚀刻步骤和竖直侧壁“博世”蚀刻，所述硅基部件特别是改进了由微加工硅基片形成的部件的摩擦性能。
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公开(公告)号：CN108249389A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611245364.1
申请日：2016-12-29
申请人： 清华大学
CPC分类号： B81C1/00396 , B81C1/00373 , B81C1/00404 , B81C2201/0198 , C23C14/042 , C23F1/02
摘要： 本发明公开了一种利用糖作掩模的微纳加工方法，其包括步骤：S10、提供熔融状态的糖或糖溶液；S20、将熔融状态的糖或糖溶液施加到待加工的样品表面，形成掩模图案；S30、对形成掩模图案后的样品进行微纳加工；S40、将微纳加工后的样品放入糖溶性液体中，以去除样品表面的糖。本发明的微纳加工方法能够提高微纳加工的精度和效率，降低成本，同时大大减轻对环境和操作人员人身健康的不利影响。
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公开(公告)号：CN107473176A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710427401.9
申请日：2017-06-08
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/00158 , B81C2201/013 , H04R19/005 , H04R19/016 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81C1/00404 , B81B7/008 , B81B7/02 , B81B2207/03 , B81C2201/0198
摘要： 本发明涉及微机电器件和制作微机电器件的方法。一种制作微机电部件的方法，该方法包括：在层之上形成掩模，该掩模包括结构化表面；将掩模的包括结构化表面的区域加热到掩模的玻璃转变温度以上，以使结构化表面的边缘平滑从而形成波状表面；对被掩模覆盖的层进行刻蚀，所述刻蚀去除掩模以将掩模的波状表面传递到层中并且形成该层的波状表面；在层之上形成隔膜，以形成隔膜的被配置为致动的波状区域；以及形成导电部件，该导电部件被配置为以下中至少之一：响应于传输到导电部件的电信号而提供用于致动隔膜的力，以及响应于隔膜的致动而提供电信号。
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公开(公告)号：CN103922269B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201410019257.1
申请日：2014-01-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： A.德赫
CPC分类号： B81C1/00325 , B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C2201/013 , B81C2201/0159 , B81C2201/0198
摘要： MEMS器件、MEMS器件的系统、制作MEMS器件的方法。一种MEMS器件、制作MEMS器件的方法和MEMS器件的系统被示出。在一个实施例中，MEMS器件包括第一聚合物层，设置在第一聚合物层上的MEMS衬底和由MEMS衬底支撑的MEMS结构。该MEMS器件进一步包括在MEMS衬底中设置的第一开口和在第一聚合物层中设置的第二开口。
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公开(公告)号：CN103839785B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310445648.5
申请日：2013-09-26
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： G03F7/0002 , B81B7/0006 , B81B2203/0353 , B81B2207/07 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , G03F7/0035 , G03F7/165 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/31144
摘要： 本发明涉及形成构图结构的方法。在中性聚合物层之上形成模板层之后，自组装嵌段共聚物材料被施加并且自组装。该模板层包括第一线状部分、比所述第一线状部分短的第二线状部分、以及具有比所述第二线状部分大的宽度的块状模板结构。在远离在宽度方向上延伸的部分的区域中，该自组装嵌段共聚物材料被相分离成交替薄层。所述块状模板结构扰乱所述薄层并且引起所述薄层的终止。在聚合物嵌段成分被选择性地去除时，形成与所述第一和第二线状部分平行并且与块状模板结构自对准地终止的腔。所述腔的图形可以被反转并转移到材料层中以形成具有不同长度的鳍。
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公开(公告)号：CN101578232B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200880001744.8
申请日：2008-01-25
申请人： 美光科技公司
发明人： 丹·B·米尔沃德
IPC分类号： B81C1/00 , G03F7/00 , H01L21/033
CPC分类号： C23F1/02 , B05D3/00 , B05D5/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/3086 , Y10S438/947
摘要： 嵌段共聚物可自组装并用于(例如)本文所述的亚光刻图案化方法中。所述嵌段共聚物可为二嵌段共聚物、三嵌段共聚物、多嵌段共聚物、或其组合。所述方法可用于制造包括(例如)亚光刻导线等装置。
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公开(公告)号：CN101894794A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN201010185195.3
申请日：2010-05-21
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/60
CPC分类号： H01L21/76816 , B81B2203/0353 , B81B2207/07 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , G03F7/40 , H01L21/0337 , H01L21/31144 , Y10S438/947
摘要： 本文使用聚合物定向自组装形成子平版印刷特征的方法，描述了包括嵌段共聚物自组装的方法，其中从具有目标CD(临界尺寸)的开孔(在一个或多个基板中)开始，在规则阵列或随机排列中形成孔。显著地，所形成孔的平均直径中的百分偏差小于初始开孔的平均直径中的百分偏差。可将形成的孔(或通孔)传递到下面的基板中，且随后向这些孔中回填材料，如金属导体。甚至是在低于22nm技术关键点下，本发明的优选方面能够产生具有较密节距和较好CD均匀性的通孔。
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公开(公告)号：CN101578232A
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200880001744.8
申请日：2008-01-25
申请人： 美光科技公司
发明人： 丹·B·米尔沃德
IPC分类号： B81C1/00 , G03F7/00 , H01L21/033
CPC分类号： C23F1/02 , B05D3/00 , B05D5/00 , B81C1/00031 , B81C2201/0149 , B81C2201/0198 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0271 , H01L21/0273 , H01L21/3081 , H01L21/3083 , H01L21/3086 , Y10S438/947
摘要： 嵌段共聚物可自组装并用于(例如)本文所述的亚光刻图案化方法中。所述嵌段共聚物可为二嵌段共聚物、三嵌段共聚物、多嵌段共聚物、或其组合。所述方法可用于制造包括(例如)亚光刻导线等装置。
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公开(公告)号：CN107473178A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710717374.9
申请日：2017-08-21
申请人： 叶军
发明人： 叶军
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00428 , B81C1/00952 , B81C2201/0198 , B81C2201/11
摘要： 本发明公开一种MEMS器件湿法刻蚀工艺，包括如下步骤：刻蚀衬底以形成沟槽，采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；去除沟槽底面上的钝化层，对所述硅衬底的下表面进行机械抛光，在所述硅衬底的下表面形成有机械损伤层；使用硅腐蚀液去除所述机械损伤层，去除光刻胶；去除牺牲层：通过使用液体腐蚀剂进行大范围的横向钻蚀，并留下独立的不需要依靠支撑物的部分，选择性地去除牺牲层；去除衬底减薄荷：由带有化学腐蚀液的物理研磨机制实现均匀的衬底去除和减薄，快速地去除圆片正面或背面的材料。本发明操作简单，低成本及效率高，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌。
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公开(公告)号：CN106744653A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611006293.X
申请日：2016-11-07
申请人： 西南交通大学
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0038 , B81C1/00 , B81C1/00428 , B81C2201/01 , B81C2201/0198
摘要： 本发明公开了一种具有内孔的碳基微纳分级结构阵列及其制备方法，该结构的表面和内部分别具有纳米形貌和纳米孔道。该结构的制备方法包括以下步骤：S1、在硅基片上使用负性光刻胶进行光刻，获得光刻胶微结构阵列；S2、采用氧等离子体对光刻胶微结构阵列进行刻蚀，获得光刻胶微纳分级结构阵列；S3、在光刻胶微纳分级结构阵列的表面集成纳米薄膜；S4、在保护气体环境下，将表面集成有纳米薄膜的微纳分级结构进行热解，得到碳基微纳分级结构阵列。上述制备方法操作简单，过程可控性强，适于规模化制备；该结构兼具微结构的稳定性和纳结构有效表面积大的特点，还具有碳骨架良好的生物兼容性和导电性。
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