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公开(公告)号：CN117187852A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311144197.1
申请日：2023-09-06
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC分类号： C25B11/053 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09 , G03F7/32
摘要： 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN117187852B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311144197.1
申请日：2023-09-06
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC分类号： C25B11/053 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09 , G03F7/32
摘要： 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN118668231A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410879528.4
申请日：2023-09-06
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司 , 四川格林达电子材料有限公司
IPC分类号： C25B11/053 , G03F7/32 , C25B11/091 , C25B11/02 , C25B3/09
摘要： 本发明公开了一种低表面张力长效显影液。本发明的低表面张力长效显影液采用本发明制备的复合阳极电极在阴极电解的TMAH水溶液，配合碱性物质、醇或醚类物质、以及表面活性剂制备得到。电极的制备过程包括：采用原位合成法在钛基板表面形成了具有纳米网格形貌的二氧化钛层，然后采用浸渍、干燥、焙烧循环沉积法得到了含有锡、钽、钛等活性组分的第一复合层和第二复合层的复合阳极电极，原位合成法构造了纳米网格形形貌，有助于锡、钽、钛等活性组分的沉积、提高了活性组分的活性；特定的形貌和循环沉积方法提高了复合电极膜的强度、附着性能、导电性、耐久性等。本发明的显影液具有改善的碱值保持力、表面张力和宽温性能等综合性能。
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公开(公告)号：CN117285985A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310198224.7
申请日：2023-03-03
申请人： 四川格林达电子材料有限公司 , 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC分类号： C11D1/00 , H01L21/02 , B08B3/02 , B08B3/08 , B08B13/00 , F26B21/00 , C11D1/66 , C11D3/28 , C11D3/04 , C11D3/60
摘要： 本发明公开了低动态表面张力的绝缘层缓冲清洗液及其制备方法与应用，包括以下组分：氢氟酸1～10％、氟化铵15～30％、氟化氢铵1～10％、腐蚀抑制剂0.01～1％、非离子表面活性剂0.001～0.1％、其余组分为水，所有组分按重量百分比计总和为100％。本发明实现了具有动态表面张力低，起泡性低，消泡快，不腐蚀下层金属膜层，使用寿命长，使用成本低等优点。
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公开(公告)号：CN219518607U
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202320301057.X
申请日：2023-02-24
申请人： 四川格林达电子材料有限公司 , 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC分类号： B01F33/81 , B01F35/71 , B01F35/75 , B01F35/213 , B01F35/221 , B01F35/83
摘要： 本实用新型公开了一种高效连续的有机系光刻胶剥离液制备系统，至少包括：有机胺储罐、第一混配罐、中间原料储罐、第一溶剂储罐、第二溶剂储罐、第二混配罐、过滤器和成品储罐。本实用新型的有机系光刻胶剥离液制备系统简单高效，传热效率高；通过将高粘度液体添加剂原料与有机胺和第一溶剂原材料先行混配成中间原料，且中间原料混配过程和成品制备过程可以同步进行，大大提高剥离液的生产配制效率，提升剥离液制备系统的高效性、连续性和有效物质混合均匀性，且装置简单，成本低。
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公开(公告)号：CN112859551A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110241380.8
申请日：2021-03-04
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法及其显影液产品，所述芯片集成电路四甲基氢氧化铵显影液用非离子表面活性剂的提纯方法包括以下步骤：非离子型表面活性剂的溶解、杂质析出、杂质分离、分析杂质离子浓度、加纯水稀释并重复前面步骤直至各指标达到半导体集成电路用显影液的使用要求。所述显影液产品是由纯化后的非离子型表面活性剂的水溶液与四甲基氢氧化铵水溶液进行循环冷却搅拌混合，得到四甲基氢氧化铵浓度为1‑5 wt%的显影液产品。本发明的提纯方法操作流程简单，设备需求简单，成本低，在提纯过程中不会引入其他杂质组分，采用提纯后非离子型表面活性剂水溶液进行复配的显影液产品，可满足芯片集成电路使用的洁净度和应用要求。
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公开(公告)号：CN111812088A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010677277.3
申请日：2020-07-14
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种碱性废水中季铵盐阳离子含量的精确检测方法，将需检测的水样置于锥形瓶中；配制季铵盐阳离子检测试剂；向锥形瓶中滴加一定量的季铵盐阳离子检测试剂并摇匀；以滴定液滴定制得的液体,记录滴定液用量，计算出水样中季铵盐阳离子。本发明只需季铵盐阳离子检测试剂、滴定管等，能快速检测出水样中季铵盐阳离子的浓度，操作简单、可满足现场实时操作、大量样品快速分析的需求；具有抗干扰能力强，适应性强等优点，能在具有大量干扰，不确定待测物浓度酸碱度的情况下，精确检测出待测物中季铵盐阳离子的浓度；具有较高的检测精度，与仪器分析方法相比，能保证有较高检测精度，能弥补仪器分析的不足，丰富了检测方法的多样性。
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公开(公告)号：CN114280901B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202210076546.X
申请日：2022-01-24
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种低动态表面张力的高精细抗蚀剂剥离液组合物及其制备方法，包括2～8%重量份有机胺，25～70%重量份质子性有机溶剂，25～70%重量份非质子性有机溶剂，0.3～3%重量份添加剂，0.1～0.5%重量份表面活性剂；上述各组分总重量份之和为100%。制备方法包括：S1：加入非质子性有机溶剂；S2：不断搅拌，加入质子性有机溶剂；S3：不断搅拌，加入有机胺，并控制温度在40℃以内；S4：不断搅拌，加入添加剂和表面活性剂，并循环3h以上得到混合液；S5：将混合液采用过滤器进行循环过滤，得到成品剥离液组合物。本发明剥离性能好，有利于增强剥离液对于抗蚀剂的溶解和清洗性能，保证剥离液对于Cu制程和Al制程的兼容性，有效降低产线工艺的复杂性。
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公开(公告)号：CN113621373A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202010371438.6
申请日：2020-05-06
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司
摘要： 本发明是一种IGZO薄膜蚀刻液，由如下重量百分比计的原料制成：2～5wt%的草酸、0.1～1wt%的蚀刻速率稳定剂、1～3wt%的水分挥发抑制剂、0.01‑1wt%的表面活性剂、余量为水，本发明中蚀刻液成分简单，工艺简单，性质稳定，容易储存，蚀刻速率适中，蚀刻均一性好，精度高。
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公开(公告)号：CN110105956A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910309436.1
申请日：2019-04-17
申请人： 杭州格林达电子材料股份有限公司
IPC分类号： C09K13/04 , C09K13/06 , H01L21/306
摘要： 本发明涉及一种适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液及配制方法，其特征在于，包括1-20％重量份的无机酸，5-25％重量份的过氧化氢，0.1-5％重量份的环状胺类化合物，0.1-10％重量份的氨基酸类化合物，1-5％重量份的无机磷酸盐类及剩余组分的纯水，上述各组分重量份总和为100％重量份。本发明所配制适用于光刻工艺铜制程的无氟酸性刻蚀液主要应用于厚度达到 或以上的铜膜层刻蚀工艺，其刻蚀均匀性好、侧向刻蚀角度小、无金属离子残留、无铜膜层残留、无氟环境友好绿色环保。
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