公开(公告)号：CN108598161B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201810405244.6

申请日：2018-04-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  张辉 ,  张佩佩 ,  程知群 ,  刘国华 ,  李仕琦 ,  蒋俊杰

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III‑V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。

公开(公告)号：CN108493110A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810405243.1

申请日：2018-04-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  张佩佩 ,  张辉 ,  程知群 ,  李仕琦 ,  刘国华 ,  蒋俊杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L23/58 ,  H01L29/7786

Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III-V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。

公开(公告)号：CN106876467A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710087137.9

申请日：2017-02-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  张佩佩 ,  张辉 ,  蔡勇 ,  刘国华 ,  柯华杰 ,  周涛 ,  程知群

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MISFET(金属‑绝缘介质半导体场效应管)器件及其制备方法。所述MISFET器件包括源极、漏极、栅极以及MIS结构，所述MIS结构的轴线基本垂直于一选定平面，所述MIS结构包括半导体结构和环绕半导体结构设置的绝缘介质，且在所述半导体结构和绝缘介质的界面处形成有沟道，所述源极与漏极经所述沟道电连接，所述栅极分布于源极和漏极之间。本发明的MISFET器件具有栅控能力好、工作频率高，工艺难度低，易于制作，成品率高等优点。

公开(公告)号：CN108493110B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201810405243.1

申请日：2018-04-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  张佩佩 ,  张辉 ,  程知群 ,  李仕琦 ,  刘国华 ,  蒋俊杰

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L23/58

Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现增强型III‑V HEMT器件的方法，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。

公开(公告)号：CN108598161A

公开(公告)日：2018-09-28

申请号：CN201810405244.6

申请日：2018-04-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  张辉 ,  张佩佩 ,  程知群 ,  刘国华 ,  李仕琦 ,  蒋俊杰

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L27/06 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种利用全固态电池实现的增强型III-V HEMT器件，在衬底上依次形成第二半导体层和第一半导体层并在所述第二半导体层和第一半导体层之间形成异质结构；源电极和漏电极通过形成于该异质结构中的二维电子气电连接；栅电极用于控制所述异质结构中二维电子气的导通或断开；还包括设置在所述源电极和栅电极之间的全固态电池，所述全固态电池由至少1组电池单元串联或串并联构成，用于使异质结构相应区域中二维电子气耗尽。本发明能有效实现增强型工作模式，此外，全固态电池是与微纳加工工艺兼容的，可以在器件的工艺过程中一次完成。同时，器件的阈值电压可通过串联固态电池的单元数来改变。

公开(公告)号：CN106876482A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201710086828.7

申请日：2017-02-17

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  张辉 ,  张佩佩 ,  蔡勇 ,  刘国华 ,  柯华杰 ,  周涛 ,  程知群

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/423 ,  H01L29/10 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/8122 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/66848

Abstract: 本发明公开了一种基于垂直沟道的MESFET(金属‑半导体场效应晶体管)器件，其包括MES结构、源极及漏极，所述MES结构包括栅极以及至少一半导体沟道，所述半导体沟道的轴线基本垂直于一选定平面，所述栅极环绕半导体沟道设置，所述源极经半导体沟道与漏极电连接，所述源极和漏极沿半导体沟道轴向间隔设置，所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了所述MESFET器件的制备方法。本发明的MESFET器件具有栅控能力好、工作频率高，制作工艺难度低，成品率高等优点。