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公开(公告)号：CN113839638A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111003527.6
申请日：2021-08-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了电极设有双环形与桥型结构的薄膜体声波谐振器制备方法，具体如下：在衬底上依次沉积剥离层、压电层、下电极，下电极上沉积内、外环形凸起以及包裹两凸起的下牺牲层，压电层上沉积包裹下牺牲层的下保护层以及包裹下保护层的待键合层二；基底上的待键合层一与待键合层二键合，去除剥离层和衬底；压电层上沉积两长条状上牺牲层，两长条状上牺牲层上沉积两桥型结构，再压电层表面沉积两侧与两个桥型结构分别相连的上电极，上电极和两桥型结构上沉积上保护层；压电层形成通孔，去除两长条状上牺牲层和下牺牲层。本发明在谐振器的下电极表面设置内、外环形凸起，上电极两侧壁均设置桥型结构，使得薄膜体声波谐振器具有更高的Q值。
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公开(公告)号：CN114301407A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111669986.8
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了具有双面多层环形结构的高性能薄膜体声波器件制备方法，具体为：在压电层上沉积第一电极；第一电极上沉积第一、第二和第三下环形结构，再淀积牺牲层，沉积保护层，淀积待键合层一；淀积待键合层一的与淀积在基底上的待键合层二键合；压电层的顶面沉积第二电极；第二电极的顶面也可沉积第一、第二和第三上环形结构；压电层上刻蚀有与空腔连通的通孔。本发明通过在第一电极加下环形结构，在第二电极加上环形结构，可减少谐振器的主谐振声波泄露，提升谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN114268291A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111625393.1
申请日：2021-12-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了电极外围具有两层横向结构的薄膜体声波谐振器制备方法，具体如下：衬底上依次沉积剥离层、压电层和第一电极，第一电极外围依次沉积两个第一下横向结构和两个第二下横向结构；第一电极表面淀积包裹第一电极、两个第一下横向结构和两个第二下横向结构的牺牲层，压电层上沉积包裹牺牲层的保护层；压电层上淀积包裹保护层的待键合层一；待键合层一与待键合层二键合，去除衬底，压电层上沉积第二电极；在压电层上形成通孔来去除牺牲层。本发明在谐振器的下电极外围设置第一下横向结构和第二下横向结构，进一步可在上电极外围设置第一上横向结构和第二上横向结构，这些结构改进能共同优化谐振器的阻抗比，提升谐振器Q值。
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公开(公告)号：CN114268290A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111623250.7
申请日：2021-12-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种高Q值单晶薄膜体声波谐振器的制备方法，具体如下：衬底上依次沉积剥离层、压电层和下电极，下电极上沉积一个或两个环形结构以及钝化层，环形结构表面沉积钝化层；下电极表面淀积包裹钝化层和环形结构的牺牲层，压电层上沉积包裹牺牲层和下电极的保护层，压电层上淀积包裹保护层的待键合层二；将基底上的待键合层一与待键合层二键合，去除衬底，压电层上沉积上电极，上电极上沉积钝化层三，将上电极以外的压电层减薄；在压电层上形成通孔，通孔的底部开口于牺牲层表面，利用通孔去除牺牲层，从而在钝化层和保护层之间形成空腔。本发明的两个环形结构、三个钝化层和压电层边缘区减减薄，大大提升谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN112929003A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110096553.1
申请日：2021-01-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H9/17
Abstract: 本发明公开了一种采用金属键合工艺制备薄膜体声波谐振器的方法。单晶薄膜体声波谐振器的制备较为困难。本发明首先在压电薄膜上沉积电极，然后与制备有同样金属电极图案的晶圆通过金属原子键合工艺连接在一起；其中制备有同样金属电极图案的晶圆下方含有空腔；然后去掉压电薄膜的衬底晶圆，再沉积金属上电极形成谐振器。本发明工艺制备流程中不对压电薄膜直接操作，保证了压电薄膜的质量，进而提高器件的性能，从而能制备得到高频率、高Q值的薄膜体声波谐振器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114257209A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111672003.6
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了抑制多模式lamb波的双面凸起薄膜体声波器件，压电层的底面沉积有下电极；压电层底面位于下电极边沿处沉积有靠内的下凸起一和靠外的下凸起二，且下凸起一与下凸起二贴合；压电层底面沉积有包裹下电极、下凸起一和下凸起二的保护层，且保护层与下电极、下凸起一和下凸起二之间设有空腔；压电层底面沉积有包裹保护层的待键合层一；待键合层一的底面与淀积在基底顶面的待键合层二键合；压电层的顶面沉积有上电极；压电层上刻蚀有与空腔连通的通孔。本发明通过多个上凸起贴合、多个下凸起贴合，两个相邻的凸起形成交替的高低声阻抗反射层，将lamb的能量限制在谐振器有效区，减少谐振器的横向声波泄露，提升谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN113839637A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110986873.4
申请日：2021-08-26
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了电极带环槽及条状凸起的单晶薄膜体声波谐振器制备方法，具体如下：在衬底上依次沉积剥离层、压电层，压电层上沉积下电极，下电极上制备环槽并沉积两条状凸起以及包裹两条状凸起的牺牲层，在压电层上沉积包裹牺牲层的保护层，压电层上淀积包裹保护层的待键合层二；然后，将基底上的待键合层一与待键合层二键合，去除剥离层和衬底，压电层上沉积上电极，上电极上制备环槽并沉积两条状凸起；最后，在压电层上形成通孔，通孔的底部开口于牺牲层表面，利用通孔去除牺牲层形成空腔。本发明在谐振器的下电极上设置下环槽、下条状凸起一和下条状凸起二，在上电极上设置上环槽、上条状凸起一和上条状凸起二，提升了谐振器的频率和Q值。
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公开(公告)号：CN113114155A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110301278.2
申请日：2021-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于声子晶体的薄膜体声波谐振器。传统体声波谐振器需要制备空腔或布拉格结构，会降低器件Q值。本发明的声子晶体声反射层位于衬底内部，且声子晶体声反射层和衬底的上表面平齐；支撑层覆盖衬底和声子晶体声反射层；下电极置于支撑层上；压电薄膜置于支撑层和下电极上，并包围支撑层；上电极置于压电薄膜上；上电极与下电极的两端端面均不对齐，且下电极至少有一端端面超出上电极对应端的端面；压电薄膜在位于下电极的上表面超出上电极的一端位置开设有一个通孔。本发明将特定结构的声子晶体作为体声波谐振器的体声波底部声反射层，提高了器件Q值。
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公开(公告)号：CN113824420A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110978015.5
申请日：2021-08-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了具有双环形结构电极的单晶薄膜体声波谐振器制备方法，具体如下：在衬底上沉积剥离层，剥离层上沉积压电层，压电层上沉积下电极，下电极上沉积下环形结构一和下环形结构二以及包裹两环形结构的牺牲层，在压电层上沉积包裹牺牲层和下电极的下保护层，压电层上淀积包裹下保护层的待键合层二；然后，将基底上的待键合层一与待键合层二键合，去除剥离层和衬底，压电层上沉积上电极，上电极上沉积上环形结构一和上环形结构二以及包裹两环形结构的上保护层；最后，在压电层上形成通孔，通孔的底部开口于牺牲层表面，利用通孔去除牺牲层，从而在下电极和下保护层之间形成空腔。本发明的两组环形结构能提升谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN112803910A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011593427.9
申请日：2020-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03H3/02
Abstract: 本发明公开了一种单晶薄膜体声波谐振器的制备方法。单晶薄膜体声波谐振器的制备较为困难。本发明首先在压电薄膜上沉积电极，然后与制备有同样金属电极图案的晶圆通过金属原子键合工艺连接在一起；其中制备有同样金属电极图案的晶圆下方含有待释放的空腔或布拉格反射层；然后去掉压电薄膜的衬底晶圆，再沉积金属上电极形成谐振器。本发明工艺制备流程中不对单晶的压电薄膜直接操作，保证了单晶压电薄膜的质量，进而提高器件的性能，从而能制备得到高频率、高Q值的单晶薄膜体声波谐振器。
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