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公开(公告)号：CN107068649B
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201610962996.3
申请日：2016-11-04
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种基于硅通孔的高品质三维电感器及其制备工艺。本发明由多个电感元件单元构成，输入输出端口位于金属层和重新布局层；电感元件单元包括位于金属层、一个圆环状硅通孔阵列、重新布局层。圆环状硅通孔阵列上设有内、外圈硅通孔阵列，内圈和外圈上各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。本发明运用金属线连接圆环内外圈中的硅通孔阵列，相较与传统硅通孔构造的电感器具有较大的电感值，同时充分利用同圆环内圈或外圈中相邻硅通孔的电流流向都相同，来增强电感值，并且挖出圆环内部硅基底以减少损耗，此外还大大的减少了片上的占用面积。
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公开(公告)号：CN106354904A
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201610685274.8
申请日：2016-08-18
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法。本发明包括沿着硅通孔传输方向的阻抗单元以及在内部导体和外部环形屏蔽层之间的导纳单元。阻抗单元包括电阻RTSV1、电阻RTSV2、电感LTSV1、电感LTSV2，以及互感MTSV，导纳单元主要包括电容Cox1、电容Cox2、电容Cdep1、电容Cdep2、电容CSi、电导GSi。阻抗单元中电阻与电感串联起，而导纳单元中耦合电容与电导并联起，导纳单元将内部导体的阻抗单元和外部屏蔽层的阻抗单元连接起来，组成H型结构的等效电路模型，基于该模型即可得到同轴硅通孔的信号传输特性。
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公开(公告)号：CN106354904B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201610685274.8
申请日：2016-08-18
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： G06F17/50
摘要： 本发明公开一种内部浮硅的同轴硅通孔等效电路模型及参数提取方法。本发明包括沿着硅通孔传输方向的阻抗单元以及在内部导体和外部环形屏蔽层之间的导纳单元。阻抗单元包括电阻RTSV1、电阻RTSV2、电感LTSV1、电感LTSV2，以及互感MTSV，导纳单元主要包括电容Cox1、电容Cox2、电容Cdep1、电容Cdep2、电容CSi、电导GSi。阻抗单元中电阻与电感串联起，而导纳单元中耦合电容与电导并联起，导纳单元将内部导体的阻抗单元和外部屏蔽层的阻抗单元连接起来，组成H型结构的等效电路模型，基于该模型即可得到同轴硅通孔的信号传输特性。
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公开(公告)号：CN110110890A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910242809.8
申请日：2019-03-28
申请人： 杭州电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于ELMAN神经网络的日污水量预测方法，现有技术中城市日污水量的非线性和随机波动性特点；本发明首先建立排水管网日污水量预测数据库，再建立并训练日污水量ELMAN神经网络预测模型，最后进行日污水量预测；本发明专利既考虑了生活用水相关因素，考虑了降雨量、连续晴雨等因素，又运用Elman神经网络模型兼顾时序特性，提高了短期污水量预测精度。
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公开(公告)号：CN106449592B
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201610708670.8
申请日：2016-08-22
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768 , H01L21/60
摘要： 本发明公开一种高品质因数的差分电感器结构及其制作工艺。该差分电感器位于圆环硅通孔阵列中，将圆环中的硅通孔分为左侧和右侧，且从上到下为第一、二、三、四、五、六硅通孔。将各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。利用圆环内的硅通孔阵列构造三维差分电感器，差分电感内部的耦合(金属层和重新布局层中的金属线中的电流流向两两异向)和较小的有效面积将提高电感值。
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公开(公告)号：CN106298735B
公开(公告)日：2018-10-02
申请号：CN201610707516.9
申请日：2016-08-22
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种高品质因数的三维电感器结构及其制作工艺。该三维电感器由多个元件单元构成，电感元件的输入输出端口位于基底顶部的金属层；元件单元包括位于基底顶部的金属层、两个圆环状的硅通孔阵列、位于基底底部的重新布局层；其中两个圆环状的硅通孔阵列左右对称设置。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。运用金属线连接两个圆环中的硅通孔，相较与传统硅通孔构造的电感器具有较大的电感值，同时充分利用正互感值(同圆环中硅通孔的电流流向都相同，金属层和重新布局层中金属线中电流流向分别相同)，增强电感值。
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公开(公告)号：CN104409441A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410617853.X
申请日：2014-11-05
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/48 , H01F17/00 , H01F19/04
摘要： 本发明公开运用多导体硅通孔的三维螺母管式电感与变压器结构。运用多导体硅通孔构造的一种片上螺线管式电感元件，其特征在于金属线通过多导体硅通孔穿过基底，从而缠绕基底实现螺线管结构。类似地，本发明还提出了运用多导体硅通孔构造的螺线管式变压器元件。本发明运用虚设多导体硅通孔构造电感或变压器元件，减小芯片面积，同时相较于传感硅通孔，多导体硅通孔可在同一通孔中实现四根垂直互连，减小了硅通孔间距限制条件的影响，从而进一步减小占用面积；通过本发明所提出的螺线管式结构，可在多导体硅通孔中实现同向电流，并利用基底隔离顶部金属层和底部重新布局层间的异向电流，最大程度地提高互感值，从而提高整体性能。
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公开(公告)号：CN107068649A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201610962996.3
申请日：2016-11-04
申请人： 杭州电子科技大学
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
摘要： 本发明公开一种基于硅通孔的高品质三维电感器及其制备工艺。本发明由多个电感元件单元构成，输入输出端口位于金属层和重新布局层；电感元件单元包括位于金属层、一个圆环状硅通孔阵列、重新布局层。圆环状硅通孔阵列上设有内、外圈硅通孔阵列，内圈和外圈上各硅通孔按照设计要求进行金属层、重新布局层的连接。本发明利用bosch工艺在硅基底挖空槽，减小硅基底损耗。本发明运用金属线连接圆环内外圈中的硅通孔阵列，相较与传统硅通孔构造的电感器具有较大的电感值，同时充分利用同圆环内圈或外圈中相邻硅通孔的电流流向都相同，来增强电感值，并且挖出圆环内部硅基底以减少损耗，此外还大大的减少了片上的占用面积。
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