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公开(公告)号：CN101753107A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910170741.3
申请日：2009-09-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F1/0211 , H03F3/24 , H03F2200/408 , H03F2200/516
摘要： 本发明提供一种高频电路，其不使用特别的附加电路就能抑制制造偏差产生时的高频放大器中的AM-PM特性偏移。在多级放大器中，例如，在级间电容(30、31)上产生制造偏差时，通过由电源电路(40)和乘法器(60)按照最终级的前一级(11)的集电极电压Vcc2比最终级(12)的集电极电压Vcc3小的方式进行控制，从而抑制AM-PM特性偏移。
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公开(公告)号：CN101557199A
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200910126554.5
申请日：2009-03-12
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F3/245 , H03F1/0261 , H03F1/302 , H03F3/19 , H03F2200/18 , H03F2200/27 , H03F2200/447
摘要： 本发明的高频功率放大器具备对高频信号进行功率放大的第1晶体管以及向第1晶体管提供偏置电流的偏置电路。偏置电路包括：集电极端子连接于第1电源的第2晶体管；一端连接在第2晶体管的发射极端子上，另一端连接在第1晶体管的基极端子上的第1电阻元件；一端连接在第2晶体管的发射极端子上，另一端接地的第2电阻元件；设置于第2晶体管的基极端子与第2电源之间的一个以上的第3电阻元件；以及连接在第2晶体管的基极端子上，控制第2晶体管的基极电位以使电位随温度上升而下降的多个温度补偿电路。
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公开(公告)号：CN100593902C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
摘要： 将射频信号RF经由电容器C1-Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1-TRn的基极，被放大，并从每个晶体管TR1-TRn的集电极输出。每个晶体管TR1-TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1-Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1-TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号：CN101340178A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810128586.4
申请日：2008-06-27
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F1/0277
摘要： 本发明的目的是提供一种能够根据发送装置的输出来引发发送电路的最大效率，从而对范围较广的输出实现低耗电的发送装置。该发送装置具备：正交调制器，由输入信号生成调制信号；极性调制用发送电路，包括输入端子中被输入正交调制器所生成的调制信号的相位成分、电源供给端子中被输入正交调制器所生成的调制信号的振幅成分的第一功率放大器，并对调制信号进行极性调制；正交调制用发送电路，包括输入端子中被输入正交调制器所生成的调制信号、电源供给端子被供给一定的电压的第二功率放大器，并发送调制信号；以及开关，高输出时将正交调制器的输出与极性调制用发送电路的输入连接、低输出时将正交调制器的输出与正交调制用发送电路的输入连接。
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公开(公告)号：CN101043202B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200710088411.0
申请日：2007-03-22
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
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公开(公告)号：CN101043202A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710088411.0
申请日：2007-03-22
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
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公开(公告)号：CN101741323A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910178655.7
申请日：2009-09-24
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F3/211 , H03F1/0261 , H03F3/19 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/366 , H03F2200/375
摘要： 本发明提供一种能够同时实现充分的耐损坏性、和低输出时以及高输出时的良好的高频特性的高频功率放大器。高频信号经由电容(C1～Cn)，分别输入晶体管(Q1～Qn)的基极，放大后由晶体管(Q1～Qn)的集电极输出。各晶体管(Q1～Qn)的发射极接地。由偏置电路(B1)提供的偏置电流，在由低输出时过渡为高输出时，经由电阻(Ra1～Ran)，分别提供给晶体管(Q1～Qn)的基极。晶体管(Q1～Qn)的集电极经由阻抗电路(Z)，与偏置电压输入端子(DCIN)连接，高输出时与来自集电极的高频信号输出的一部分一起，由阻抗电路(Z)，产生直流偏移电压，进一步增加偏置电流。
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公开(公告)号：CN1866729A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
摘要： 将射频信号RF经由电容器C1－Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1－TRn的基极被放大，并从每个晶体管TR1－TRn的集电极输出。每个晶体管TR1－TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1－Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1－TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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