公开(公告)号：CN1146078A

公开(公告)日：1997-03-26

申请号：CN96110466.X

申请日：1996-05-29

申请人： 松下电子工业株式会社

发明人： 石川克也 ,  黑田隆男 ,  松田祐二 ,  庭山雅彦 ,  立川景士

IPC分类号： H01L31/14 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L27/14812 ,  H01L27/14825

摘要： 本发明提供一种具备即使将象素部微细化，也不会导致垂直CCD部的转移电荷量降低的器件构造的固体摄象器件及其制造方法。在N(100)硅衬底1上形成第1p型阱2和第2p型阱3、在第2p型阱3内形成垂直CCDn+层4后，在包括垂直CCDn+层4的上层部的N(100)硅衬底1的表面层用杂质原子(p、As)离子注入形成p-层5，在垂直CCDn+层4的邻接部同时形成进行光电二极管部(8、9)与垂直CCDn+层4隔离的隔离部(5a)以及控制从垂直CCDn+层4的电荷读出的读出控制部5b。

公开(公告)号：CN1124431A

公开(公告)日：1996-06-12

申请号：CN95115053.7

申请日：1995-08-08

申请人： 松下电子工业株式会社

发明人： 松田祐二 ,  庭山雅彦

IPC分类号： H04N1/00

CPC分类号： H01L27/14887

摘要： 本发明提供一种在电视摄像机等中所使用的固态摄像装置及其制造方法。在传送部25的下方通过P型掺杂层24而形成用于排出电荷的n型埋入泄漏部30。由用于控制阈值电压(Vt)的P型读出控制部26分隔受光部22和传送部25之间的读出侧；由沟道截断环27来分隔非读出侧。在受光部22和传送部25上形成绝缘膜28，通过导电型电极29从传送部25读出受光部22的电荷。为了防止暗电流，在受光部22和绝缘膜28的界面上形成P型埋入扩散层23。

公开(公告)号：CN1196828A

公开(公告)日：1998-10-21

申请号：CN97190741.2

申请日：1997-05-26

申请人： 松下电器产业株式会社 ,  松下电子工业株式会社

发明人： 山田由佳 ,  吉田岳人 ,  武山茂 ,  松田祐二 ,  武藤胜彦

IPC分类号： H01L21/203 ,  H05B33/00 ,  H01L33/00 ,  H01L31/08

CPC分类号： H01L33/26 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0054 ,  H01L33/18 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/258

摘要： 一种光电子材料,它包括具有可控电学特性的均匀介质;以及分布于该介质中且平均微粒尺寸为100nm或更小的半导体特细微粒,本发明还涉及使用该材料的应用器件。本发明也涉及光电子材料的制造方法,通过用激光辐射置于处在低压惰性气体环境下的反应室中一种半导体材料的第一靶以及置于该反应室中具有可控电学特性的第二靶,在置于反应室中的衬底上,凝聚/生长从第一靶烧蚀的半导体材料,以集中成为平均微粒尺寸为100nm或更小的特细微粒。