固体摄像装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103314441B

    公开(公告)日:2016-01-27

    申请号:CN201180065078.6

    申请日:2011-11-11

    IPC分类号: H01L27/148

    摘要: 本发明的固体摄像装置(1)具备:光电转换部(2),其具有多个光感应区域(7);及电位梯度形成部(3),其具有与多个光感应区域(7)相对配置的导电性构件(8)。各光感应区域(7)的平面形状形成为由两条长边与两条短边所成的大致矩形形状。多个光感应区域(7)并列设置于与长边交叉的第1方向上。电位梯度形成部(3)形成沿自光感应区域(7)的一个短边侧朝向另一短边侧的第2方向而升高的电位梯度。导电性构件(8)包含:第1区域(8a),其在第2方向上的两端部间沿第2方向延伸且具有第1电阻率;及第2区域(8b),其在两端部间沿第2方向延伸且具有小于第1电阻率的第2电阻率。

    线性图像传感器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1684270A

    公开(公告)日:2005-10-19

    申请号:CN200510064985.5

    申请日:2005-04-13

    发明人: 都筑孝夫

    摘要: 一种线性图像传感器,包括:第一和第二栅极/快门阵列,其中交替放置了多个读取栅极和多个快门结构部件;光接收元件阵列,其置于第一和第二栅极/快门阵列之间,并且其中多个光接收元件成直线排列;第一电荷转移部件,用于转移由第一栅极/快门阵列的读取栅极读出的信号电荷;以及第二电荷转移部件,用于转移由第二栅极/快门阵列的读取栅极读出的信号电荷。

    固体摄像装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103314440B

    公开(公告)日:2016-07-20

    申请号:CN201180065063.X

    申请日:2011-11-11

    摘要: 固体摄像装置(1)具备:具有多个光感应区域(13)的光电转换部(2)、与相对于多个光感应区域(13)而配置的电位梯度形成部(3)。各光感应区域(13)的平面形状成由两条长边与两条短边而形成的大致矩形形状。多个光感应区域(13)并列设置于与长边交叉的第1方向上。电位梯度形成部(3)形成沿着自光感应区域(13)的一个短边朝向另一短边的第2方向的电位梯度。电位梯度形成部(3)具有形成沿第2方向降低的电位梯度的第1电位梯度形成区域、与形成沿第2方向升高的电位梯度的第2电位梯度形成区域。第2电位梯度形成区域相对于第1电位梯度形成区域而并列设置于第2方向。

    具有不对称栅极的提供双向电荷转移的矩阵图像传感器

    公开(公告)号:CN104303306A

    公开(公告)日:2015-01-21

    申请号:CN201380023055.8

    申请日:2013-04-11

    发明人: F·迈耶

    IPC分类号: H01L27/148 H01L27/146

    摘要: 本发明涉及一种图像传感器,尤其是时间延迟和累积(TDI)传感器。根据本发明,该传感器包括成行的光电二极管,成行的光电二极管与邻近光电二极管的成行的栅极交替。栅极是不对称的,在一侧邻近光电二极管并且在另一侧包括向另一个光电二极管延伸的窄栅极突指(20)。由于其非常窄的宽度,突指赋予电荷的转移方向性。在两个连续的光电二极管(PH1i、PH2i)之间有两个栅极(G2Bi、G2Ai),两个栅极邻近两个光电二极管,第一栅极的窄突指向第一光电二极管伸出,第二栅极的窄突指向第二光电二极管伸出。可以通过中性化第一栅极或第二栅极而在传感器中选择电荷转移的方向,另一个栅极接收使得电荷能够从一个光电二极管向另一个转移的交替电势。

    气体绝缘开关设备的开关机构

    公开(公告)号:CN1168556A

    公开(公告)日:1997-12-24

    申请号:CN97111226.6

    申请日:1997-04-30

    发明人: 姜圣模

    IPC分类号: H02B13/035

    摘要: 一种用于气体绝缘开关设备单元的开关机构,通过使用仅一个可移动触点单元,能够有选择地操作切断开关和接地开关。该单元包括一个竖直地位于容器内的导电棒,一个位于导电棒上端部的中央固定触点单元,一个可在中央固定触点单元内水平地移动的可移动触点单元,一个用来水平地移动可移动触点单元的操纵杆,和对称地位于中央固定触点单元的两侧的左、右固定触点单元,从而被操纵杆水平地移动时,可移动触点单元能够有选择地与其接触。

    固体摄象器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1146078A

    公开(公告)日:1997-03-26

    申请号:CN96110466.X

    申请日:1996-05-29

    IPC分类号: H01L31/14 H01L31/18

    CPC分类号: H01L27/14812 H01L27/14825

    摘要: 本发明提供一种具备即使将象素部微细化,也不会导致垂直CCD部的转移电荷量降低的器件构造的固体摄象器件及其制造方法。在N(100)硅衬底1上形成第1p型阱2和第2p型阱3、在第2p型阱3内形成垂直CCDn+层4后,在包括垂直CCDn+层4的上层部的N(100)硅衬底1的表面层用杂质原子(p、As)离子注入形成p-层5,在垂直CCDn+层4的邻接部同时形成进行光电二极管部(8、9)与垂直CCDn+层4隔离的隔离部(5a)以及控制从垂直CCDn+层4的电荷读出的读出控制部5b。