公开(公告)号：CN1946629A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580007234.8

申请日：2005-03-15

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 江田和夫 ,  辻幸司 ,  桐原昌男 ,  西岛洋一

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0353

Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，沿包括相对较大的厚度尺寸的半导体衬底的主基板(1)的厚度方向，在一个表面上形成凹入部分(7)。然后，沿主基板(1)的厚度方向，利用在另一个表面提供的氧化膜(6a)形成的开口作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成通孔(4a、4b)。开口(8)在与凹入部分(7)相对应的区域中具有较窄的宽度，而在其余区域具有较宽的宽度。因此，较宽宽度的通孔(4a)穿透主基板(1)和较窄宽度的通孔(4b)到达凹入部分(7)的下表面的各自必要时间可以近似相等，从而近似同时地完成较宽宽度的通孔(4a)和较窄宽度的通孔(4b)的共同蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN1954188B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200580006859.2

申请日：2005-03-14

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 辻幸司 ,  江田和夫 ,  桐原昌男 ,  西岛洋一 ,  兵头聪

IPC: G01C19/56 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01C19/5719

Abstract: 主基板(1)配置有：从动质量体(11)，该从动质量体(11)以沿与支撑基板(2)的表面相交的方向振动的方式被驱动；和探测质量体(12)，该探测质量体(12)通过驱动弹簧(13)与从动质量体(11)联接，并且适合在沿支撑基板(2)的平面中位移。沿从动质量体(11)和探测质量体(12)的布置方向延伸的两个探测弹簧(15)分别被连接到探测质量体(12)的相对侧；并且探测弹簧(15)的其它端通过联接部分(16)被连接在一起。

公开(公告)号：CN1954188A

公开(公告)日：2007-04-25

申请号：CN200580006859.2

申请日：2005-03-14

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 辻幸司 ,  江田和夫 ,  桐原昌男 ,  西岛洋一 ,  兵头聪

IPC: G01C19/56 ,  G01P9/04

CPC classification number: G01C19/5719

Abstract: 主基板(1)配置有：从动质量体(11)，该从动质量体(11)以沿与支撑基板(2)的表面相交的方向振动的方式被驱动；和探测质量体(12)，该探测质量体(12)通过驱动弹簧(13)与从动质量体(11)联接，并且适合在沿支撑基板(2)的平面中位移。沿从动质量体(11)和探测质量体(12)的布置方向延伸的两个探测弹簧(15)分别被连接到探测质量体(12)的相对侧；并且探测弹簧(15)的其它端通过联接部分(16)被连接在一起。

公开(公告)号：CN1946629B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200580007234.8

申请日：2005-03-15

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 江田和夫 ,  辻幸司 ,  桐原昌男 ,  西岛洋一

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00142 ,  B81B2201/0242 ,  B81B2203/0136 ,  B81B2203/0353

Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。在该方法中，沿包括相对较大的厚度尺寸的半导体衬底的主基板(1)的厚度方向，在一个表面上形成凹入部分(7)。然后，沿主基板(1)的厚度方向，利用在另一个表面提供的氧化膜(6a)形成的开口作为掩模，通过反应离子蚀刻工艺形成通孔(4a、4b)。开口(8)在与凹入部分(7)相对应的区域中具有较窄的宽度，而在其余区域具有较宽的宽度。因此，较宽宽度的通孔(4a)穿透主基板(1)和较窄宽度的通孔(4b)到达凹入部分(7)的下表面的各自必要时间可以近似相等，从而近似同时地完成较宽宽度的通孔(4a)和较窄宽度的通孔(4b)的共同蚀刻工艺。

公开(公告)号：CN100485911C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200580010304.5

申请日：2005-03-29

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 辻幸司 ,  佐名川佳治 ,  桐原昌男 ,  江田和夫 ,  西岛洋一

IPC: H01L23/06 ,  G01P9/04 ,  H01L23/02 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81B7/0048 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  H01L2224/16225 ,  Y10T29/49002

Abstract: 一种传感器系统，包括传感器器件(10)和用于驱动器件(10)的集成电路(20)。该器件(10)包括硅基材料的传感器主体(1)、硅基材料的上密封构件(2)和硅基材料的下密封构件(3)。上密封构件(2)和下密封构件(3)以密封方式接合在一起以共同在其中容纳主体(1)。器件(10)和电路(20)被形成为堆叠体。主体(1)通过穿通上密封构件(2)的导电通路(4)以及设置在上密封构件(2)的外表面上的安装电极(5)，与电路(20)的布线图样(12)相连。器件(10)通过电路(20)与MID衬底(30)相连。

公开(公告)号：CN1938846A

公开(公告)日：2007-03-28

申请号：CN200580010304.5

申请日：2005-03-29

Applicant: 松下电工株式会社

Inventor： 辻幸司 ,  佐名川佳治 ,  桐原昌男 ,  江田和夫 ,  西岛洋一

IPC: H01L23/06 ,  G01P9/04 ,  H01L23/02 ,  H01L29/84

CPC classification number: B81C1/0023 ,  B81B7/0048 ,  B81B7/007 ,  B81B2207/012 ,  B81B2207/096 ,  B81B2207/097 ,  G01P1/023 ,  G01P15/0802 ,  H01L2224/16225 ,  Y10T29/49002

Abstract: 一种传感器系统，包括传感器器件(10)和用于驱动器件(10)的集成电路(20)。该器件(10)包括硅基材料的传感器主体(1)、硅基材料的上密封构件(2)和硅基材料的下密封构件(3)。上密封构件(2)和下密封构件(3)以密封方式接合在一起以共同在其中容纳主体(1)。器件(10)和电路(20)被形成为堆叠体。主体(1)通过穿通上密封构件(2)的导电通路(4)以及设置在上密封构件(2)的外表面上的安装电极(5)，与电路(20)的布线图样(12)相连。器件(10)通过电路(20)与MID衬底(30)相连。