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公开(公告)号：CN109641741A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053215.1
申请日：2017-07-05
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： J·克拉森
CPC分类号： B81C1/00309 , B81B3/0005 , B81B7/0051 , B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , B81C1/00325 , B81C1/00968 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0178 , B81C2201/112 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H04R19/005 , H04R31/006
摘要： 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的方法(100)，所述方法具有以下步骤：提供具有MEMS衬底(1)的MEMS晶片(10)，其中，在所述MEMS衬底(1)中在膜片区域(3a)中构造限定数量的蚀刻沟，其中，所述膜片区域构造在第一硅层(3)中，该第一硅层以与所述MEMS衬底(1)隔开限定的间距的方式布置；提供罩晶片(20)；将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(20)键合；并且通过所述MEMS衬底(1)的磨削构造通向所述膜片区域(3a)的介质入口(6)。
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公开(公告)号：CN106145025B
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201510849489.4
申请日：2015-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00293 , B81C2201/0112 , B81C2203/0145 , B81C2203/019 , B81C2203/0785
摘要： 本发明的实施例提供了一种集成电路(IC)器件。该IC器件包括第一衬底，第一衬底具有前侧和背侧。背侧包括延伸至第一衬底内的第一空腔。介电层设置在第一衬底的背侧上，并且包括对应于第一空腔的开口以及远离开口横向延伸并且终止于气体入口凹槽处的沟槽。位于第一衬底的前侧中的凹槽从前侧向下延伸至介电层。凹槽具有邻接下部侧壁的基本垂直的上部侧壁，下部侧壁从基本垂直的侧壁至介电层上的围绕气体入口凹槽的位置处向内锥形化。共形密封剂层布置在第一衬底的前侧上方、沿着基本垂直的上部侧壁和沿着下部侧壁。密封剂层气密密封气体入口凹槽。
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公开(公告)号：CN106395730B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201610004627.3
申请日：2016-01-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81C2201/053 , B81C2203/0792
摘要： 半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括板，该板包括多个孔；与板相对设置并且包括多个波纹的膜；以及延伸穿过板和膜的导电插塞。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中，导电插塞与接合焊盘接合以将第一器件和第二器件集成，以及该板包括半导体构件和拉伸构件，并且半导体构件设置在拉伸构件内。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN108117035A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710511666.7
申请日：2017-06-27
申请人： 意法半导体股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00238 , B81B7/0051 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0264 , B81B2203/0118 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C2201/0133 , B81C2203/032 , B81C2203/035 , B81C2203/0792
摘要： 本申请涉及堆叠裸片间具有电触点的半导体集成器件及相应制造工艺。提供一种集成器件，其具有：第一裸片；第二裸片，沿着竖直轴以堆叠的方式耦合在该第一裸片上；耦合区域，安排在第一裸片与第二裸片的沿竖直轴面向彼此并位于与竖直轴正交的水平平面内的面对表面之间，耦合区域用于机械耦合第一裸片与第二裸片；电接触元件，由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载，这些电接触元件沿着竖直轴成对地对准；以及导电区域，安排在由第一裸片和第二裸片的这些面对表面承载的这些电接触元件对之间，这些导电区域用于电耦合第一裸片与第二裸片。支撑元件安排在第一裸片与第二裸片之间的至少一者的面对表面处并且弹性地支撑对应的电接触元件。
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公开(公告)号：CN104249990B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410314175.X
申请日：2014-06-30
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体国际有限公司
CPC分类号： B81B7/0061 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了包含流体路径的MEMS器件及其制造工艺。一种MEMS器件，其中半导体材料的裸片具有第一面和第二面。在裸片中或在裸片上形成薄膜，并且该薄膜面向第一表面。帽体固定至第一裸片的第一面，并且与薄膜间隔开一定空间。裸片在其第二面上或固定至ASIC，该ASIC集成了用于处理由裸片生成的信号的电路。ASIC继而固定在支撑体上。封装区域覆盖裸片、帽体和ASIC并且将其密封与外部环境隔绝。流体路径被形成为通过支撑体、ASIC和第一裸片，并且将薄膜和裸片的第一面与外部连接，而不要求在帽体中的孔。
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公开(公告)号：CN108017037A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201710401428.0
申请日：2017-05-31
申请人： 意法半导体股份有限公司
发明人： E·杜奇 , M·阿兹佩蒂亚尤尔奎亚 , L·巴尔多
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B7/0077 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00158 , B81C1/00269 , H04R19/005 , H04R19/04
摘要： 本申请涉及换能器模块、包括该模块的装置及制造该模块的方法。制造换能器模块的方法包括以下步骤：在衬底上形成第一MEMS换能器、具体是陀螺仪以及具有悬置薄膜的第二MEMS换能器、具体是加速度计；在所述衬底上形成导电层并且将所述导电层限定为同时提供电气地耦合到所述第一换能器的至少一个导电带以及所述第二MEMS换能器的所述薄膜。
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公开(公告)号：CN103663351B
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201310444539.1
申请日：2013-09-23
申请人： 意法半导体股份有限公司
发明人： F·G·齐廖利
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B7/007 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/73265 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/16151 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014
摘要： 一种用于MEMS集成器件的晶片级封装，构思：第一本体，集成微机械结构；第二本体，具有集成电子电路的有源区域，耦合到微机械结构；以及第三本体，限定用于第一本体的覆盖结构。第二本体限定封装的基部部分并且具有第一本体耦合到的内表面以及外表面，在外表面上提供朝着电子电路的电接触；路由层具有设置成与第二本体的外表面接触的内表面和朝着在外部环境承载电接触元件的外表面。第三本体限定用于覆盖封装的覆盖部分并且直接耦合到第二本体用于闭合用于第一本体的容纳空间。
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公开(公告)号：CN105408240B
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201480026952.9
申请日：2014-05-05
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： G01P1/00 , B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , G01C19/56 , G01P15/02
摘要： 提出一种微机械装置，其具有传感器晶片、中间晶片和分析处理晶片，其中所述微机械装置具有主延伸面，其中传感器晶片、中间晶片和分析处理晶片如此重叠地布置，使得中间晶片布置在传感器晶片和分析处理晶片之间，其中分析处理晶片具有至少一个专用集成电路，其中传感器晶片和/或中间晶片包括第一传感器元件并且传感器晶片和/或中间晶片包括与第一传感器元件在空间上分离的第二传感器元件，其中第一传感器元件位于第一腔体中，第一腔体通过中间晶片和传感器晶片构成，并且第二传感器元件位于第二腔体中，第二腔体通过中间晶片和传感器晶片构成，其中第一腔体中的第一气压不同于第二腔体中的第二气压，并且中间晶片至少在一个位置处在垂直于所述主延伸面延伸的方向上具有开口。
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公开(公告)号：CN103253627B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201310059343.0
申请日：2013-02-20
申请人： 意法半导体股份有限公司 , 意法半导体(马耳他)有限公司
CPC分类号： B81B7/0045 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81C1/00238 , B81C1/00325 , B81C2203/0785 , B81C2203/0792 , H01L2224/27013 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83192 , H01L2224/83385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种用于装配集成器件的工艺，包括：提供集成至少一个电子电路并且具有顶表面的半导体材料的第一本体；提供集成至少一个微机电结构并且具有底表面的半导体材料的第二本体；并且在第一本体上堆叠第二本体，并且在第一本体的顶表面与第二本体的底表面之间插入弹性间隔物材料。在堆叠步骤之前，设想以集成方式在第一本体的顶表面提供限定和间隔结构的步骤，该限定和间隔结构在其内部限定弹性间隔物材料并且在堆叠步骤期间在与第一本体相距一段距离处支撑第二本体。
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公开(公告)号：CN106997855A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201611222981.X
申请日：2016-12-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488
CPC分类号： B81C1/0023 , B81B7/007 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00888 , B81C2203/0792 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/15 , H01L23/3107 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L24/09 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05024 , H01L2224/05025 , H01L2224/08225 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/11424 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/92244 , H01L2224/96 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15151 , H01L2924/1815 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H05K999/00 , H05K999/99 , H01L2224/19 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01082 , H01L2224/11 , H01L24/03 , H01L23/488 , H01L24/27
摘要： 本发明的实施例提供了一种集成电路封装件以及其形成方法。一种方法包括将第一管芯和第二管芯附接至载体，第一管芯具有第一接触焊盘，第二管芯具有第二接触焊盘，第一接触焊盘和第二接触焊盘具有不同的结构。释放层形成在第一管芯和第二管芯上方。在载体和释放层之间注射包封剂。在第一管芯、第二管芯和包封剂上方形成一个或多个再分布层(RDL)，第一接触焊盘和第二接触焊盘与一个或多个RDL电接触。
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