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公开(公告)号：CN111744048A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010675358.X
申请日：2020-07-14
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种UVC-LED瞬时消毒杀菌方法及其装置，通过科学设置高功率密度UVC-LED集成光源的位置，使其出光面法线方向与流体流向相同或/和相反，能确保流体在流动过程中始终处于所述高功率密度UVC-LED集成光源的出光面法线上，实现在流体管道的局部位置设置较少的高功率密度UVC-LED集成光源，就能让流体管道内的流体较长时间接受最大强度紫外辐照，降低成本，并配合将流体的紫外辐照时间控制在3s以内，使其接受的紫外辐射剂量在100mJ/cm2以上，实现瞬时高效消毒杀菌的目的；而且高功率密度UVC-LED集成光源位于流体管道内，能将高强度紫外线限制在流体管道内，确保使用安全，利于广泛推广应用。
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公开(公告)号：CN111029443A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911241786.5
申请日：2019-12-06
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种利用金属纳米颗粒增强氮化物基LED发光效率的方法，其包括以下步骤：(1)清洁；(2)配置嵌段共聚物有机溶液；(3)涂覆；(4)配置前驱体溶液；(5)浸泡；(6)固化；本发明提供的方法利用PS-b-P4VP嵌段共聚物模板法在GaN基外延薄膜表面自组装高度有序的金属纳米颗粒，且所自组装的金属纳米颗粒，尺寸均一且排列高度有序，通过表面有序金属纳米结构产生等离子体基元提高光提取率，整个增强方法流程简单易行，具有较高的重复性，适合大规模工业化操作，且后续无酸、碱、高温等特殊环境，不会对GaN基外延薄膜结构产生不良影响，保证产品质量。
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公开(公告)号：CN117059714A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202210488182.6
申请日：2022-05-06
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种具有增强复合型多量子阱的紫外LED结构及其生长方法，其包括按从下至上的顺序依次分布的AlN衬底、AlGaN缓冲层、N型AlGaN接触层、新型多量子阱结构、电子阻挡层、P型AlGaN层和P型GaN接触层。本发明在P型一侧生长低铝组分的量子阱组,其相对于前端的高铝组分量子阱组具有能量更低的导带和能量更高的价带，对电子和空穴的限制作用更强，可以实现电子和空穴的增强复合，提高发光效率，通过调控N型区侧的量子阱组的组分和厚度，可以直接有效地实现对P型区侧量子阱组的应力和质量调控，以实现对发光波长和发光强度的调控，可以广泛应用于UVC和UVB波段的紫外LED的生长和对发光器件的调控，适用范围广。
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公开(公告)号：CN112614922A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202011489509.9
申请日：2020-12-16
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种具有反射杯结构的紫外集成光源及其制作方法，其包括高导热基板、围坝、微灯杯阵列、芯片和窗口片，高导热基板包括AlN陶瓷板、线路层和第一连接金属层，围坝的上、下表面设有上、下连接金属层；窗口片上设有第二连接金属层；高导热基板利用AlN陶瓷板的高导热及高绝缘特性，能满足芯片高密度排布对散热的需求；高导热基板和围坝均选用膨胀系数相匹配的材料进行组合，有效增加光源整体结构可靠性；采用化学腐蚀工艺腐蚀在微灯杯阵列上形成多个微小的灯杯腔，可以通过反射层对芯片的出光角度进行控制，并解决常规灯珠围坝壁对芯片侧光的吸收问题，提高出光效果；窗口片、围坝和高导热基板之间配合紧密，气密性好。
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公开(公告)号：CN110760807A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911221862.6
申请日：2019-12-03
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种陶瓷板真空溅射镀膜装置及其镀膜方法，陶瓷板真空溅射镀膜装置包括真空腔室、公转工件架、内侧圆柱溅射靶、内侧平面溅射靶、内侧离子源、外侧圆柱溅射靶、外侧平面溅射靶和外侧离子源；内、外侧离子源用于基片表面镀膜前清洁及辅助沉积，有效提升镀层与陶瓷基板的浸润性和结合力；内、外侧圆柱溅射靶和内、外侧平面溅射靶可以同时对平面状或弧面状的陶瓷基板进行单、双面镀膜加工，大大提升工作效率，而且是利用公转工件架的公转带动陶瓷基板移动，陶瓷基板无需自转，确保陶瓷基板与靶材的间隔的的恒定，有利于镀膜的均匀性，也使得待镀陶瓷基板与靶材及离子源之间可实现小间距设置，有效增强膜层附着力，镀膜效果好。
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公开(公告)号：CN114284398A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111005812.1
申请日：2021-08-30
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种氮化物基发光二极管柔性外延片制作方法及其外延片，本发明制作方法以氟晶云母为衬底，利用反应溅射方法制备氮化铝为缓冲层并继续利用金属有机物气相沉积法外延氮化物发光二极管结构，利用氟晶云母层状结构且易于解理的材料特性，能方便将氟晶云母上的氮化物基发光二极管结构进行大面积剥离转移，实现以解理后氟晶云母衬底的大尺寸氮化物基发光二极管柔性外延片，整个制作工艺流程操作简易，成本低廉，解理成功率高，易于实现，重复性高，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN111029443B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911241786.5
申请日：2019-12-06
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种利用金属纳米颗粒增强氮化物基LED发光效率的方法，其包括以下步骤：(1)清洁；(2)配置嵌段共聚物有机溶液；(3)涂覆；(4)配置前驱体溶液；(5)浸泡；(6)固化；本发明提供的方法利用PS‑b‑P4VP嵌段共聚物模板法在GaN基外延薄膜表面自组装高度有序的金属纳米颗粒，且所自组装的金属纳米颗粒，尺寸均一且排列高度有序，通过表面有序金属纳米结构产生等离子体基元提高光提取率，整个增强方法流程简单易行，具有较高的重复性，适合大规模工业化操作，且后续无酸、碱、高温等特殊环境，不会对GaN基外延薄膜结构产生不良影响，保证产品质量。
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公开(公告)号：CN112289753A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910678668.4
申请日：2019-07-25
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种用于紫外LED封装的围坝陶瓷基板制作方法及其制品，通过激光对陶瓷基板与围坝的接触面进行局部定域加热，而非整体加热，不仅工艺简单节能，便于批量化生产，还有效避免高温对陶瓷基板原有线路金属产生热损伤，同时激光焊接相比现有胶粘或者回流焊接，形成可靠焊接，焊接点能够承受更高温度，可靠性更高；而且相比现有金属围坝，本发明采用玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷或蓝宝石材料做围坝，其的膨胀系数与陶瓷基板更加匹配，使产品可靠性进一步提升；同时在围坝的内壁设有金属镀层，可对紫外光进行良好反射，避免存在吸收紫外光的问题，综合性能好，利于广泛推广应用。
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公开(公告)号：CN112151658A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011232468.5
申请日：2020-11-06
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 一种围坝、安装座、发光二极管及其透镜的安装方法，属于发光二极管领域。围坝包括坝体和金属层。其中，坝体具有由坝壁限定的坝孔，且坝孔沿坝体的厚度方向贯穿布置。金属层设置于坝体，且金属层被构造作为围坝与透镜的连接结构。其中的围坝在坝体设置金属层，因此可以利用该金属层与透镜通过回流焊和共晶焊的方式进行连接而实现对透镜的高气密性安装，从而有助于改善基于其发光二极管的寿命。
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