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公开(公告)号：CN117488408B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202210922436.0
申请日：2022-08-02
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本申请涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及一种单晶氮化铝材料及其制备方法。单晶氮化铝材料的制备方法包括：对前驱体进行氮等离子体辐照处理；前驱体包括交替堆叠的氮化铝层和单质铝层；氮等离子体辐照处理的温度不低于1300℃。在氮等离子体辐照处理下，交替堆叠的氮化铝层和单质铝层可以在1300℃下就重结晶形成单晶氮化铝材料，且单晶质量较高，位错密度小于109/cm2数量级。无需在高于1700℃的高温环境下进行面对面退火，即可制备出高质量的单晶氮化铝材料，制备工艺简单易行，适于大规模产业化生产，且有利于避免面对面退火工艺带来的表面划痕等机械磨损，产品良率较高，极大程度地扩展了单晶氮化铝材料的应用范围。
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公开(公告)号：CN112071748B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202010985789.6
申请日：2020-09-18
申请人： 松山湖材料实验室
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/02
摘要： 一种低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法，属于半导体材料领域。低点缺陷密度宽禁带半导体单晶外延薄膜的制备方法，用于在不增加位错密度情况下对禁带宽度大于2.3eV的半导体单晶外延薄膜进行处理以降低其点缺陷密度，制备方法包括：提供洁净的半导体单晶外延薄膜；将半导体单晶外延薄膜在惰性气氛下预热至第一给定温度；通过脉冲光照射的方式加热半导体薄膜至高于第一给定温度的第二给定温度，以引起半导体外延薄膜再结晶，从而实施退火；在惰性气氛下，自然冷却至室温；其中，脉冲光的单脉冲持续时间为纳秒至毫秒之间，且脉冲光是能够覆盖薄膜的面光。上述方案可以在保持薄膜高质量的情况下还实现对其点缺陷密度的降低。
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公开(公告)号：CN115527837A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211201898.X
申请日：2022-09-29
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本申请提供一种氮化铝复合衬底的制备方法，属于单晶衬底技术领域。制备方法包括：提供衬底，衬底具有c轴取向并呈翘曲形态；在衬底的凸面形成具有预设形貌的凹坑；在衬底的凹面形成具有预设厚度的氮化铝层；以及对衬底进行退火，退火的过程中通过具有预设形貌的凹坑和具有预设厚度的氮化铝层调控翘曲所引入的应力，得到氮化铝层具有预设表面形貌的氮化铝复合衬底。该制备方法能有效地调控氮化铝复合衬底中氮化铝层的表面形貌，而且，操作简单，重复性好，适于大规模产业化生产。
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公开(公告)号：CN114093753B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202111338947.X
申请日：2021-11-12
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本申请提供一种氮化铝单晶衬底的表面处理方法及紫外发光二极管的制备方法，属于半导体发光器件技术领域。氮化铝单晶衬底的表面处理方法包括：在氮化铝单晶衬底的表面形成铝层；然后进行退火处理去除铝层，使得氮化铝单晶衬底的表面在去除铝层后获得铝极性面。紫外发光二极管的制备方法包括：采用如上述的表面处理方法对氮化铝单晶衬底进行表面处理；然后在铝极性面外延生长二极管外延结构，能有效改善紫外发光二极管的功率衰减问题。
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公开(公告)号：CN114717660A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210357807.5
申请日：2022-04-06
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 一种氮化铝单晶复合衬底及其制法、应用、应力和/或极化控制方法，属于半导体领域。制备氮化铝单晶复合衬底的方法包括：提供单晶的第一氮化铝膜；对所述第一氮化铝膜进行低能离子辐照，以使所述第一氮化铝膜的表面形成至少由来自于所述第一氮化铝膜中的氮元素和/或铝元素构成的纳米结构；于所述纳米结构表面生长单晶的第二氮化铝膜。前述方法能够有效地控制AlN的应力，从而提高其使用性能。
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公开(公告)号：CN114284398A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111005812.1
申请日：2021-08-30
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种氮化物基发光二极管柔性外延片制作方法及其外延片，本发明制作方法以氟晶云母为衬底，利用反应溅射方法制备氮化铝为缓冲层并继续利用金属有机物气相沉积法外延氮化物发光二极管结构，利用氟晶云母层状结构且易于解理的材料特性，能方便将氟晶云母上的氮化物基发光二极管结构进行大面积剥离转移，实现以解理后氟晶云母衬底的大尺寸氮化物基发光二极管柔性外延片，整个制作工艺流程操作简易，成本低廉，解理成功率高，易于实现，重复性高，适用于大规模生产。
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公开(公告)号：CN111029443B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201911241786.5
申请日：2019-12-06
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种利用金属纳米颗粒增强氮化物基LED发光效率的方法，其包括以下步骤：(1)清洁；(2)配置嵌段共聚物有机溶液；(3)涂覆；(4)配置前驱体溶液；(5)浸泡；(6)固化；本发明提供的方法利用PS‑b‑P4VP嵌段共聚物模板法在GaN基外延薄膜表面自组装高度有序的金属纳米颗粒，且所自组装的金属纳米颗粒，尺寸均一且排列高度有序，通过表面有序金属纳米结构产生等离子体基元提高光提取率，整个增强方法流程简单易行，具有较高的重复性，适合大规模工业化操作，且后续无酸、碱、高温等特殊环境，不会对GaN基外延薄膜结构产生不良影响，保证产品质量。
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公开(公告)号：CN112289753A
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN201910678668.4
申请日：2019-07-25
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本发明公开了一种用于紫外LED封装的围坝陶瓷基板制作方法及其制品，通过激光对陶瓷基板与围坝的接触面进行局部定域加热，而非整体加热，不仅工艺简单节能，便于批量化生产，还有效避免高温对陶瓷基板原有线路金属产生热损伤，同时激光焊接相比现有胶粘或者回流焊接，形成可靠焊接，焊接点能够承受更高温度，可靠性更高；而且相比现有金属围坝，本发明采用玻璃、陶瓷、玻璃陶瓷或蓝宝石材料做围坝，其的膨胀系数与陶瓷基板更加匹配，使产品可靠性进一步提升；同时在围坝的内壁设有金属镀层，可对紫外光进行良好反射，避免存在吸收紫外光的问题，综合性能好，利于广泛推广应用。
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公开(公告)号：CN112151658A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011232468.5
申请日：2020-11-06
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 一种围坝、安装座、发光二极管及其透镜的安装方法，属于发光二极管领域。围坝包括坝体和金属层。其中，坝体具有由坝壁限定的坝孔，且坝孔沿坝体的厚度方向贯穿布置。金属层设置于坝体，且金属层被构造作为围坝与透镜的连接结构。其中的围坝在坝体设置金属层，因此可以利用该金属层与透镜通过回流焊和共晶焊的方式进行连接而实现对透镜的高气密性安装，从而有助于改善基于其发光二极管的寿命。
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公开(公告)号：CN117690780B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311691504.8
申请日：2023-12-08
申请人： 松山湖材料实验室 , 广东中民工业技术创新研究院有限公司
摘要： 一种氮化铝单晶复合衬底的制备方法，属于复合材料制备领域。氮化铝单晶复合衬底的制备方法包括：在衬底的表面沉积氮化铝多晶膜层，退火使氮化铝多晶膜层重结晶形成氮化铝单晶膜层，保持退火气氛及退火温度，自衬底背离氮化铝单晶膜层的一侧对衬底进行减薄处理，冷却，获得氮化铝单晶复合衬底；该制备方法通过在高温退火重结晶后减薄衬底，以减少在冷却过程中因衬底与氮化铝单晶膜层之间的热失配引入的应力，减少位错生成，提高氮化铝单晶膜层的结晶质量，最终获得具有高结晶质量的氮化铝单晶复合衬底。
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