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公开(公告)号：CN110225889A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201780084661.9
申请日：2017-09-12
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 稀释药液的制造装置具有以下构成：在超纯水(W)的供给线(1)上依次具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)、和气体溶解膜装置(4)，在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有pH调节剂注入装置(5A)和氧化还原电位调节剂注入装置(5B)。膜式脱气装置(3)的气相侧与非活性气体源(6)连接，并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源(7)连接，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。在该排出线(8)上设有pH计(10A)和ORP计(10B)。根据该稀释药液的制造装置，能够控制pH以及氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN118284468A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077437.8
申请日：2022-09-14
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 一种有机溶剂的不纯物除去材料，是用于自含水率1,000ppm以下的有机溶剂中除去不纯物的除去材料，包含多孔型的离子交换树脂。所述多孔型的离子交换树脂优选为具有选自由一级氨基、二级氨基、三级氨基、及四级铵基所组成的群组中的一个以上的官能基作为离子交换基。一种有机溶剂的不纯物除去方法，使含水率1,000ppm以下的有机溶剂与所述有机溶剂的不纯物除去材料接触。
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公开(公告)号：CN113631269B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202080024017.4
申请日：2020-03-10
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： B01J41/05 , B01J41/07 , B01J41/13 , B01J41/14 , B01J47/014 , B01J47/12 , B01J47/127
摘要： 一种有机溶剂的处理方法，从电子部件制造工序中使用的有机溶剂中去除微粒，所述有机溶剂的处理方法的特征在于，包括使处理材料与所述有机溶剂接触的工序，所述处理材料是在水中具有正电荷或负电荷且含水率为3质量％以上的处理材料。一种面向电子部件制造工序的有机溶剂处理材料，通过与电子部件制造工序中使用的有机溶剂接触从而从有机溶剂中去除微粒，所述有机溶剂处理材料在水中具有正电荷或负电荷。
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公开(公告)号：CN111818991A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201980015205.8
申请日：2019-02-25
申请人： 栗田工业株式会社 , 国立大学法人神户大学
摘要： 一种选择性透过膜，其包括：支撑膜，具有选择透过性；以及被覆层，形成于该支撑膜的表面且由含有通道物质的双分子层脂质膜构成，所述选择性透过膜的特征在于，该支撑膜由在压力为0.1MPa的条件下具有35L/(m2·h)以上的透过通量的聚酰胺膜构成。一种该选择性透过膜的制造方法，其包括：对聚酰胺膜进行氯处理来制作所述支撑膜的工序、以及在该支撑膜上形成所述双分子层脂质膜的工序。
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公开(公告)号：CN113631242A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024567.6
申请日：2020-03-12
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 一种微粒去除装置，具有去除液体中的微粒的膜，所述微粒去除装置的特征在于，串联配置具有正电荷的精密过滤膜或超滤膜、以及具有负电荷的精密过滤膜或超滤膜。一种微粒去除方法，使用所述装置。可按照具有负电荷的膜、具有正电荷的膜的顺序通液，由此，能够高水平地去除液体中的粒径为50nm以下特别是10nm以下的极微小的微粒。也可按照与上述相反的顺序来通液。
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公开(公告)号：CN110291046A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201780086348.9
申请日：2017-09-12
申请人： 栗田工业株式会社
摘要： 本发明的pH、氧化还原电位调节水的制造装置，在超纯水(W)的供给线(1)上设有铂族金属负载树脂柱(2)，在此后段具备pH调节剂注入装置(3A)和氧化还原电位调节剂注入装置(3B)。在此装置(3A、3B)的后段依次具有膜式脱气装置(4)和气体溶解膜装置(5)，在气体溶解膜装置(5)连通有排出线(8)。排出线(8)的途中，设有pH计(10A)和ORP计(10B)，这些pH计(10A)和ORP计(10B)，与控制装置(11)连接。另外，基于pH计(10A)和ORP计(10B)的测量结果，来控制pH调节剂注入装置(3A)和氧化还原电位调节剂注入装置(3B)的注入量。根据该pH、氧化还原电位调节水的制造装置，能准确地调节pH和氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN110168705A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201780082927.6
申请日：2017-09-12
申请人： 栗田工业株式会社
发明人： 藤村侑
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 一种使用臭氧水清洗半导体基板的半导体基板的清洗装置(10)，其具备：冷却机构(3)，将20℃以上的臭氧水(W2)冷却至规定温度；和清洗机构(4)，用通过冷却机构(3)冷却过的臭氧水(W3)清洗基板。清洗机构(4)具有清洗槽(41)，所述清洗槽(41)用于将基板浸渍在被冷却机构(3)冷却过的臭氧水(W3)中进行清洗。根据使用该半导体基板的清洗装置(10)的清洗方法，通过使半导体基板浸渍在臭氧水中，能够将基板表面残留的抗蚀剂等有机物、金属异物清洗除去，并且能够减少清洗工序中的基板材料的损失。
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公开(公告)号：CN110168705B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201780082927.6
申请日：2017-09-12
申请人： 栗田工业株式会社
发明人： 藤村侑
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 一种使用臭氧水清洗半导体基板的半导体基板的清洗装置(10)，其具备：冷却机构(3)，将20℃以上的臭氧水(W2)冷却至规定温度；和清洗机构(4)，用通过冷却机构(3)冷却过的臭氧水(W3)清洗基板。清洗机构(4)具有清洗槽(41)，所述清洗槽(41)用于将基板浸渍在被冷却机构(3)冷却过的臭氧水(W3)中进行清洗。根据使用该半导体基板的清洗装置(10)的清洗方法，通过使半导体基板浸渍在臭氧水中，能够将基板表面残留的抗蚀剂等有机物、金属异物清洗除去，并且能够减少清洗工序中的基板材料的损失。
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公开(公告)号：CN110225889B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201780084661.9
申请日：2017-09-12
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 稀释药液的制造装置具有以下构成：在超纯水(W)的供给线(1)上依次具备铂族金属负载树脂柱(2)、膜式脱气装置(3)、和气体溶解膜装置(4)，在铂族金属负载树脂柱(2)与膜式脱气装置(3)之间设有pH调节剂注入装置(5A)和氧化还原电位调节剂注入装置(5B)。膜式脱气装置(3)的气相侧与非活性气体源(6)连接，并且气体溶解膜装置4的气相侧也与非活性气体源(7)连接，气体溶解膜装置(4)与排出线(8)连通。在该排出线(8)上设有pH计(10A)和ORP计(10B)。根据该稀释药液的制造装置，能够控制pH以及氧化还原电位。
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公开(公告)号：CN113631269A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202080024017.4
申请日：2020-03-10
申请人： 栗田工业株式会社
IPC分类号： B01J41/05 , B01J41/07 , B01J41/13 , B01J41/14 , B01J47/014 , B01J47/12 , B01J47/127
摘要： 一种有机溶剂的处理方法，从电子部件制造工序中使用的有机溶剂中去除微粒，所述有机溶剂的处理方法的特征在于，包括使处理材料与所述有机溶剂接触的工序，所述处理材料是在水中具有正电荷或负电荷且含水率为3质量％以上的处理材料。一种面向电子部件制造工序的有机溶剂处理材料，通过与电子部件制造工序中使用的有机溶剂接触从而从有机溶剂中去除微粒，所述有机溶剂处理材料在水中具有正电荷或负电荷。
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