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公开(公告)号：CN1953074A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142565.9
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种制造相变型光记录媒体的方法，该相变型光记录媒体具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜和至少一层介电体膜，该方法的特征在于包括以下步骤：制备SiC靶或包括Si和SiC的混合靶，以形成至少一层介电体膜；在含有Ar和O2的气体中进行DC溅射来沉积含有Si、O和C的SiOC膜，该SiOC膜的碳浓度为0.1－30原子％。
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公开(公告)号：CN1577553A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063411.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜，其特征在于：上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C，且C浓度为0.1－30原子％的SiOC膜。
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公开(公告)号：CN100370531C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410089695.1
申请日：2004-10-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层；配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层；以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层，第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜，噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。
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公开(公告)号：CN101110239A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710130569.X
申请日：2007-07-18
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/259 , G11B7/00456 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/0079 , G11B7/1275 , G11B7/24038 , G11B7/24079 , G11B7/2433 , G11B7/246 , G11B7/2467 , G11B7/249 , G11B7/2578 , G11B7/268 , G11B20/10009 , G11B20/10296 , G11B20/1217 , G11B20/1403 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2020/1228 , G11B2020/1267 , G11B2020/1268 , G11B2020/1278 , G11B2020/1288 , G11B2220/237
Abstract: 根据一个实施例，公开了一种信息记录介质(20)，该介质包括形成在具有同心圆或螺旋形状轨道的透明基片(21)上的第一信息层(22)、和形成在第一信息层(22)上的第二信息层(23)，并且该介质允许从一个表面进行光学记录和重放，并且该介质中信息层(22，23)的轨道的偏心量处在0至70μm的范围内。
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公开(公告)号：CN1333391C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510074064.7
申请日：2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B19/127 , G11B20/10009 , G11B20/10027 , G11B20/10296 , G11B20/10481
Abstract: 在本发明中的光盘装置包括偏移控制单元(42)，偏移控制单元(42)根据光盘类型来选择参数，并使用所选参数执行信号处理(偏移控制)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101013586B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710003356.0
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘，其具有基片(1a，1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19，20)，在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除，构成相变记录膜的元素(例如，锗或碲)从接触相变记录膜(13a，13b)的部分(21a，21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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公开(公告)号：CN100543175C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200610103049.5
申请日：2006-07-07
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C23C14/0036 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G11B7/252 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316
Abstract: 一种溅射靶，包含Si和C作为其主要成分，并包括其中Si相以网状连续地存在于SiC晶粒间的间隙中的结构。Si相的平均直径被控制到1000nm或更小。在含氧气体中溅射所述溅射靶，从而淀积包含作为其主要成分的硅(Si)和氧(O)，以及除主要成分以外的第三元素的光学薄膜，所述第三元素的总量在10至2000ppm的范围内。
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公开(公告)号：CN1779823A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108548.9
申请日：2005-09-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变光学记录介质包括：一记录膜，其在光照射条件下引起晶相和非晶相两者间的可逆相变；以及一形成为与该记录膜其中至少一个表面接触的界面膜，其包含Hf(铪)、O(氧)、以及N(氮)。
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公开(公告)号：CN1770287A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510107606.6
申请日：2005-09-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432
Abstract: 一种光记录媒体具有：盘衬底；以及两个或者更多个记录层，在介电层插在其间的情况下，被互相分离地设置，以通过光辐照同时产生光学变化，其中与第二记录层和后面的记录层相比，靠近盘衬底的第一记录层具有较高的光学变化温度和较高的消光系数。
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公开(公告)号：CN100411036C
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200510108548.9
申请日：2005-09-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变光学记录介质包括：一记录膜，其在光照射条件下引起晶相和非晶相两者间的可逆相变；以及一形成为与该记录膜其中至少一个表面接触的界面膜，其包含Hf(铪)、O(氧)、以及N(氮)。
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