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公开(公告)号：CN100370531C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200410089695.1
申请日：2004-10-29
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B7/2534 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有配置在靠近光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第一信息层；配置在远离光入射侧的位置上的包含相变型光记录膜的第二信息层；以及设置在上述第一信息层和第二信息层之间的层间分离层，第一信息层及第二信息层中的至少一个包含与层间分离层接触的噪声缓和膜，噪声缓和膜由SiOx(1≤x≤2)或SiOC形成。
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公开(公告)号：CN1333391C
公开(公告)日：2007-08-22
申请号：CN200510074064.7
申请日：2005-05-30
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B19/127 , G11B20/10009 , G11B20/10027 , G11B20/10296 , G11B20/10481
Abstract: 在本发明中的光盘装置包括偏移控制单元(42)，偏移控制单元(42)根据光盘类型来选择参数，并使用所选参数执行信号处理(偏移控制)。
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公开(公告)号：CN1953074A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142565.9
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种制造相变型光记录媒体的方法，该相变型光记录媒体具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜和至少一层介电体膜，该方法的特征在于包括以下步骤：制备SiC靶或包括Si和SiC的混合靶，以形成至少一层介电体膜；在含有Ar和O2的气体中进行DC溅射来沉积含有Si、O和C的SiOC膜，该SiOC膜的碳浓度为0.1－30原子％。
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公开(公告)号：CN1577553A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063411.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜，其特征在于：上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C，且C浓度为0.1－30原子％的SiOC膜。
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公开(公告)号：CN101013586B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200710003356.0
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘，其具有基片(1a，1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19，20)，在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除，构成相变记录膜的元素(例如，锗或碲)从接触相变记录膜(13a，13b)的部分(21a，21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038763A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710079220.8
申请日：2007-02-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24079 , G11B7/24038
Abstract: 一种光盘具有：设置在光入射面的透明基片层(11)；具有深度为第一深度(H1)的第一沟槽的第一信息层(12)；设置在所述第一信息层上的粘合层(13)；以及具有深度为第二深度(H2)的第二沟槽并且不可逆地在其中记录信息的第二信息层(14)，所述第二深度比所述第一深度更深；其中，所述第一深度和所述第二深度不大于λ/2n，所述第一沟槽和所述第二沟槽的宽度不大于0.3μm；所述第一沟槽和所述第二沟槽的轨道间距不大于0.45μm；所述第一信息层和所述第二信息层包括在从390nm到420nm的用于记录和再现信息的激光束波长λ的范围内具有光吸收性的有机染料材料。
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公开(公告)号：CN101013586A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200710003356.0
申请日：2007-02-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2578 , G11B7/266 , G11B2007/0013 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变光盘，其具有基片(1a，1b)和包括干涉膜、相变记录膜、分界面膜和反射膜的多层结构(19，20)，在该相变光盘中可使用光可逆地把信息记录到记录膜上或从记录膜上擦除，构成相变记录膜的元素(例如，锗或碲)从接触相变记录膜(13a，13b)的部分(21a，21b)起在记录膜的厚度方向上具有偏析分布或浓度分布。
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公开(公告)号：CN1953073A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142564.4
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有能利用光照射可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜，其特征在于：上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C的SiOC膜，其C浓度为0.1－30原子％。
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公开(公告)号：CN1311451C
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN03159492.1
申请日：2003-09-27
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B7/243 , G11B7/00718 , G11B7/257 , G11B7/258
Abstract: 根据本发明的一个实施例的相变光记录介质包括衬底(1)、反射光束的反射层(6)、相变记录层(4)，该相变记录层位于衬底和反射层之间并且当用光束照射时在晶态和非晶态之间变化，位于衬底和反射层之间的第一介电层(2)，以及位于衬底和第一介电层之间的第二介电层(3)，该介电层的导热率低于第一介电层的导热率。
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公开(公告)号：CN1294582C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410063411.1
申请日：2004-07-01
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 一种相变型光记录媒体，具有从光入射侧依次层叠第一介电体膜、相变型记录膜、第二介电体膜、反射膜而成的叠层结构，上述相变型记录膜利用光照射被可逆地记录和擦除，其特征在于：上述第一介电体膜是依次层叠高折射率介电体膜、低折射率介电体膜和高折射率介电体膜而成的层叠介电体膜，上述低折射率介电体膜为含有Si、O和C，且C浓度为0.1-30原子%的SiOC膜。
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