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公开(公告)号：CN102414749A
公开(公告)日：2012-04-11
申请号：CN201080018571.8
申请日：2010-02-26
申请人： 布莱阿姆青年大学
CPC分类号： G11B7/2433 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2536 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25711 , Y10T428/21
摘要： 公开了一种包含数据层材料的光学信息介质，该数据层材料对氧化基本惰性，并具有限定的熔点范围。对氧化惰性和熔点范围使得该介质对于长期信息存储特别有吸引力。
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公开(公告)号：CN101512647B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200780033612.9
申请日：2007-08-30
申请人： 株式会社理光
CPC分类号： G11B7/24038 , G11B7/0901 , G11B7/24056 , G11B7/24079 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 一种多层相变光学记录介质，其具有第一基片和第二基片，以及多个信息层，其中除了从第一基片侧看去被置于最内侧的信息层，其他信息层的每个热扩散层具有氧化铟、氧化锌、氧化锡和氧化硅。当它们的含量分别用“a”、“b”、“c”和“d”[摩尔百分比]表示时，其满足下述要求：3≤a≤50，0≤d≤30，a+b+c+d＝100；并且当用“n”表示第一和第二基片的折射率，用“λ”表示激光波长，并用H表示第一和第二基片的引导槽(groove guide)深度时，H满足下述要求：λ/17n≤H≤λ/11.5n。
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公开(公告)号：CN101297363B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200680040024.3
申请日：2006-10-30
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B7/243 , G11B7/24038 , G11B7/257 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 提供一种能够同时实现信息层的高透射率和高信号品质、且能够提高对长期保存可靠性，并且能够降低制造成本的光学信息记录介质及其制造方法。为此，在本申请中，在基板上至少设有一个信息层的光学记录介质中，信息层的至少一个含有记录层和电介质层，记录层作为主要成分含有Te、O及M，其中M是从Au、Pd、Pt中选出的一种或多种元素，电介质层的热传导率在0.01W/K·cm以上，电介质层的消光系数在0以上1.0以下。
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公开(公告)号：CN100587820C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200410058643.8
申请日：2004-07-26
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B7/266 , G11B7/252 , G11B7/256 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25718 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要： 在本发明的信息记录介质中，在基片(1)的一面上形成有记录层(4)和第一介电层(2)和第二介电层(6)。在记录层中，通过光照射或施加电能来进行信息的记录和/或再生。所述介电层是：含有选自由Sn、Ga和Zn组成的GM组中的至少一种元素的氧化物，和选自由Al、Si和B组成的GL组中的至少一种元素的氧化物和/或氮化物的氧化物基材料层或氧化物-氮化物基材料层；或含有选自La和Ce中的至少一种元素的氟化物，和选自GM组中的至少一种元素的氧化物的氧化物-氟化物基材料层。
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公开(公告)号：CN1953074A
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200610142565.9
申请日：2004-07-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 一种制造相变型光记录媒体的方法，该相变型光记录媒体具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜和至少一层介电体膜，该方法的特征在于包括以下步骤：制备SiC靶或包括Si和SiC的混合靶，以形成至少一层介电体膜；在含有Ar和O2的气体中进行DC溅射来沉积含有Si、O和C的SiOC膜，该SiOC膜的碳浓度为0.1－30原子％。
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公开(公告)号：CN1941123A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610100323.3
申请日：2006-06-30
申请人： 日本胜利株式会社
CPC分类号： G11B7/24038 , G11B7/2403 , G11B7/259 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713
摘要： 提供一种具有多个信息层的光记录介质，前侧的信息层具有高的光透射率，在任意层中都能够实现良好的记录再现。光记录介质(D)具有至少2层的信息层。相对于光入射面位于最里侧的信息层以外的至少一个信息层，具有半透射记录膜、半透射反射膜、第一光学调整膜和第二光学调整膜。设对于特定波长的光的第一光学调整膜的折射率为n1、第二光学调整膜的折射率为n2、第一光学调整膜的厚度为d1、第二光学调整膜的厚度为d2时，满足2.5＜n1＜4.0且1.5＜n2＜2.5，以及10nm≤d1≤20nm且30nm≤d2≤50nm。
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公开(公告)号：CN1849650A
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN200480026193.2
申请日：2004-07-14
申请人： 通用电气公司
发明人： 克里什娜穆西·西瓦库马 , 菲利普·肖特兰德 , 比诺德·B·萨霍 , 加纳帕蒂·S·尚卡林 , 米拉卡尼·M·A·塞特 , 阿迪尔·M·达拉
CPC分类号： G11B7/2533 , C09B1/201 , C09B57/02 , G11B7/243 , G11B7/2472 , G11B7/248 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2532 , G11B7/2534 , G11B7/2535 , G11B7/2536 , G11B7/2538 , G11B7/256 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 在一个实施方案中，一种数据用有限运行光学存储介质包括：反射层(8)；包含光学透明聚合物树脂和吸光材料的控制部分，其中控制部分在650nm处的透光率大于或等于约70％，固化指数大于或等于约0.1和滤光指数大于或等于约2.5，且其中吸光材料在600nm处的最小消光系数(在CH2Cl2溶液中测量)大于或等于1,500mol－1·cm－1·L，在650nm处的最大消光系数(在CH2Cl2溶液中测量)小于约1,000mol－1·cm－1·L，且在650nm和600nm处的消光系数比小于约0.1；和布置在反射层(8)和控制部分之间的活性层(9)，其中活性层(9)被设计成限制在暴露于氧之后可以获取介质上的数据(布置在活性层(9)上与控制部分相对的侧面上)的时间。
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公开(公告)号：CN1577553A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063411.1
申请日：2004-07-01
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B7/252 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/2437 , G11B7/2534 , G11B7/257 , G11B7/2578 , G11B7/259 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
摘要： 一种相变型光记录媒体，具有利用光照射被可逆地记录和擦除的相变型记录膜、和至少一层介电体膜，其特征在于：上述介电体膜的至少一层为含有Si、O和C，且C浓度为0.1－30原子％的SiOC膜。
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公开(公告)号：CN1551161A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410042285.1
申请日：2004-05-09
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/24
CPC分类号： G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/259 , G11B7/2595 , G11B2007/0013 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , G11B2007/25718
摘要： 本发明的光学信息记录媒体包括在基底(5)上设置的信息层(8)。信息层(8)包括：记录层(2)，通过用预定波长的激光束(7)照射可以相对所述记录层记录和再现信息；第一保护层(1)，相对记录层(2)，设置在激光入射侧；和第二保护层(3)，相对记录层(2)，设置在激光入射侧的相对侧。对于用于记录和再现的预定波长的激光，第一保护层(1)的折射率n1和第二保护层(3)的折射率n2满足关系n2＜n1。
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公开(公告)号：CN1527299A
公开(公告)日：2004-09-08
申请号：CN200410002006.9
申请日：2004-01-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： G11B7/2578 , G11B7/252 , G11B7/2531 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/256 , G11B7/259 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/25706 , G11B2007/25708 , G11B2007/2571 , G11B2007/25711 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715 , G11B2007/25716 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/144 , H01L45/1625
摘要： 一种信息记录介质及其制造方法，在基板(1)的表面上形成记录层(4)以及介质层(2)和(6)，记录层(4)通过照射光束或施加电能在晶相与非晶相之间产生相变，介质层(2)和(6)是例如由式(MO2)N(Cr2O3)100－N(摩尔％)(式中M仅为Hf或者Hf和Zr，20≤N≤80)所示的材料组成的Hf/Zr－Cr－O系材料层。根据本发明提供一种在记录层与介质层之间即使不设置界面层也能确保高可靠性和良好反复重写性能的信息记录介质。
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