公开(公告)号：CN100366694C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200310104711.5

申请日：2003-10-31

申请人： JSR株式会社 ,  株式会社东芝

发明人： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

IPC分类号： C09G1/04

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

摘要： 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。

公开(公告)号：CN1652297A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510007566.8

申请日：2005-02-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 重田厚 ,  井田和彦 ,  松井嘉孝

IPC分类号： H01L21/00 ,  C09G1/00

CPC分类号： H01L21/02074 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： 在半导体晶片上提供包含金属离子的基本CMP浆料的同时，使半导体晶片经受抛光处理，以至少部分地除去金属材料层，其中半导体晶片在半导体衬底上包括下层和金属材料层，下层包括在其中具有至少一个凹部的绝缘层，金属材料层形成在下层的顶表面上并填充凹部。然后，将螯合金属离子的有机酸添加到基本CMP浆料，并使用添加了有机酸的CMP浆料进行抛光，直到绝缘层的表面被露出。

公开(公告)号：CN100416753C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200510007566.8

申请日：2005-02-05

申请人： 株式会社东芝

发明人： 重田厚 ,  井田和彦 ,  松井嘉孝

IPC分类号： H01L21/00 ,  C09G1/00

CPC分类号： H01L21/02074 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

摘要： 在半导体晶片上提供包含金属离子的基本CMP浆料的同时，使半导体晶片经受抛光处理，以至少部分地除去金属材料层，其中半导体晶片在半导体衬底上包括下层和金属材料层，下层包括在其中具有至少一个凹部的绝缘层，金属材料层形成在下层的顶表面上并填充凹部。然后，将螯合金属离子的有机酸添加到基本CMP浆料，并使用添加了有机酸的CMP浆料进行抛光，直到绝缘层的表面被露出。

公开(公告)号：CN1498931A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104711.5

申请日：2003-10-31

申请人： JSR株式会社 ,  株式会社东芝

发明人： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

IPC分类号： C09G1/04

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

摘要： 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。