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公开(公告)号：CN102593012A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110007830.3
申请日：2011-01-14
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法，在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后，加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化，从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度，将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去，同时使临时连接体熔化，从而形成正式连接体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543893B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201010625100.5
申请日：2010-12-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/81
Abstract: 一种半导体器件的制造方法。在一个实施方式中，在暂时固定焊料凸点彼此而使具有第一焊料凸点的第一基板和具有第二焊料凸点的第二基板层叠之后配置到炉内。在对炉内排气以形成减压气氛之后，导入羧酸气体。使导入羧酸气体后的炉内温度上升，并且在由羧酸气体对氧化膜的还原温度以上、并且不到焊料凸点的熔融温度的温度区域内，对炉内排气以构成减压气氛。使炉内温度上升到焊料凸点的熔融温度以上的温度区域，并使第一焊料凸点和第二焊料凸点熔融而接合。
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公开(公告)号：CN1438687A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN02154213.9
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种半导体器件，包括：包含元件的第1衬底；贯通所述第1衬底的第1栓塞，所述第1栓塞的材料为导电材料，所述第1栓塞与所述元件电连接；设置在所述第1衬底上方的第2衬底。所述第2衬底通过所述的第1栓塞与所述元件电连接；以及贯通所述第1衬底的第2栓塞，所述第2栓塞的材料为非绝缘材料，所述第2栓塞与所述第2衬底电连接。
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公开(公告)号：CN102593012B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201110007830.3
申请日：2011-01-14
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法，在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后，加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化，从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度，将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去，同时使临时连接体熔化，从而形成正式连接体。
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公开(公告)号：CN102543893A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010625100.5
申请日：2010-12-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/81
Abstract: 一种半导体器件的制造方法。在一个实施方式中，在暂时固定焊料凸点彼此而使具有第一焊料凸点的第一基板和具有第二焊料凸点的第二基板层叠之后配置到炉内。在对炉内排气以形成减压气氛之后，导入羧酸气体。使导入羧酸气体后的炉内温度上升，并且在由羧酸气体对氧化膜的还原温度以上、并且不到焊料凸点的熔融温度的温度区域内，对炉内排气以构成减压气氛。使炉内温度上升到焊料凸点的熔融温度以上的温度区域，并使第一焊料凸点和第二焊料凸点熔融而接合。
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公开(公告)号：CN1215542C
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN02154213.9
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：包含元件的第1衬底；贯通所述第1衬底的第1栓塞，所述第1栓塞的材料为导电材料，且所述第1栓塞与所述元件电连接；设置在所述第1衬底上方的第2衬底，所述第2衬底通过所述的第1栓塞与所述元件电连接；以及贯通所述第1衬底的第2栓塞，所述第2栓塞的材料为非绝缘材料，所述第2栓塞不与所述第2衬底电连接，且所述第2栓塞用于检测所述第1衬底的厚度。
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