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公开(公告)号：CN102543893B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201010625100.5
申请日：2010-12-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/81
Abstract: 一种半导体器件的制造方法。在一个实施方式中，在暂时固定焊料凸点彼此而使具有第一焊料凸点的第一基板和具有第二焊料凸点的第二基板层叠之后配置到炉内。在对炉内排气以形成减压气氛之后，导入羧酸气体。使导入羧酸气体后的炉内温度上升，并且在由羧酸气体对氧化膜的还原温度以上、并且不到焊料凸点的熔融温度的温度区域内，对炉内排气以构成减压气氛。使炉内温度上升到焊料凸点的熔融温度以上的温度区域，并使第一焊料凸点和第二焊料凸点熔融而接合。
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公开(公告)号：CN104916552A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410453506.8
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 小牟田直幸
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/49844 , H01L23/5384 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/05009 , H01L2224/05548 , H01L2224/06135 , H01L2224/06136 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/1319 , H01L2224/1403 , H01L2224/14152 , H01L2224/14155 , H01L2224/14181 , H01L2224/14505 , H01L2224/16105 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/1703 , H01L2224/1713 , H01L2224/17181 , H01L2224/17517 , H01L2224/2731 , H01L2224/29013 , H01L2224/29014 , H01L2224/2919 , H01L2224/30155 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/73103 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81205 , H01L2224/81815 , H01L2224/8188 , H01L2224/81905 , H01L2224/81986 , H01L2224/83192 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/92242 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/83
Abstract: 本发明提供一种可防止在焊锡接合部产生龟裂的半导体装置的制造方法及半导体装置。将第1-第2电极焊垫位置对准而将包含第1贯通通道及接合在所述第1贯通通道的第2电极焊垫的第2半导体芯片搭载在包含第1电极焊垫的第1半导体芯片。将第2-第3电极焊垫位置对准而将第3半导体芯片搭载在第2半导体芯片，该第3半导体芯片包含第2贯通通道、在一面接合在所述第2贯通通道的第3电极焊垫、在另一面以接合在所述第2贯通通道的方式隔着保护膜而形成的配线及以接合在所述配线的方式形成的第4电极焊垫。将第1～第3电极焊垫接合，将树脂填充至包含第1～第3半导体芯片的积层体的间隙。将基板上的焊锡凸块与各积层体的第4电极焊垫位置对准而接合，并且利用黏接材固定多个积层体。最后，利用塑模树脂将积层体及基板的一面密封后将多个积层体单片化。
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公开(公告)号：CN102800662B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201210170061.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10135 , H01L2224/10165 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/14151 , H01L2224/14155 , H01L2224/14156 , H01L2224/14177 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/81139 , H01L2224/8114 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/83104 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供层叠型半导体装置及其制造方法。实施方式的层叠型半导体装置具备：具有第1凸起电极的第1半导体芯片；具有第2凸起电极的第2半导体芯片。一边将凸起电极彼此连接，一边层叠第1及第2半导体芯片。在第1及第2半导体芯片的至少一方，设置阻挡用突起和粘接用突起。阻挡用突起与第1及第2半导体芯片的另一方以非粘接状态接触。粘接用突起与第1及第2半导体芯片粘接。
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公开(公告)号：CN101295710B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200810109789.9
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有电极部的基板；第1半导体元件，具有通过第1键合引线连接在所述电极部上的第1电极焊盘，并且粘接在所述基板上；以及第2半导体元件，具有通过第2键合引线连接在所述电极部上的第2电极焊盘，并且用由同一材料形成且弹性率不同的2层结构的粘接剂层粘接到所述第1半导体元件上。
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公开(公告)号：CN1700467A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200510070829.X
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/12
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有电极部的基板；第1半导体元件，具有通过第1键合引线连接在所述电极部上的第1电极焊盘，并且粘接在所述基板上；以及第2半导体元件，具有通过第2键合引线连接在所述电极部上的第2电极焊盘，并且用由同一材料形成且弹性率不同的2层结构的粘接剂层粘接到所述第1半导体元件上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106531648A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201610240001.2
申请日：2016-04-18
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明的实施方式提供一种能够使积层所得的半导体芯片间的连接可靠性提升的半导体装置的制造方法及安装装置。根据实施方式，在间隙运算部(7D)，基于接合头(2)的Z坐标(Z1、Z2)及半导体芯片(P2)的芯片厚度(T)，运算半导体芯片(P1、P2)间的Z轴方向的间隙(G)，且在间隙(G)为规格范围内的情形时，使安装装置持续运转，在间隙(G)为规格范围以外的情形时，使安装装置报警停止。
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公开(公告)号：CN105990186A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510097023.3
申请日：2015-03-04
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 小牟田直幸
IPC: H01L21/67 , H01L21/60 , H01L21/603
CPC classification number: H01L24/81 , B23K1/0016 , B23K3/0478 , H01L24/13 , H01L24/75 , H01L2224/131 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/75502 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75802 , H01L2224/75804 , H01L2224/75822 , H01L2224/75824 , H01L2224/75901 , H01L2224/7592 , H01L2224/81048 , H01L2224/8115 , H01L2224/8116 , H01L2224/8117 , H01L2224/8118 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/81948 , H01L2924/3841 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法。半导体装置的制造装置，具备：载物台；头部，与载物台对向；驱动部，使头部移动；荷重传感器，检测移动方向的荷重；位置传感器，检测驱动部在移动方向的位置；加热机构，对头部进行加热；及控制部，控制驱动部及加热机构；控制部通过驱动部使头部移动而接近载物台，并以由荷重传感器测得的荷重值成为目标值的方式进行荷重控制，其后，通过加热机构使头部的温度上升，并以通过驱动部使头部离开载物台的方式进行位置控制，其后，停止利用加热机构的加热并且以通过驱动部使头部接近载物台的方式进行位置控制。
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公开(公告)号：CN102800662A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210170061.3
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L25/065 , H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/50 , H01L23/3128 , H01L23/49811 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/10135 , H01L2224/10165 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/14151 , H01L2224/14155 , H01L2224/14156 , H01L2224/14177 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/81139 , H01L2224/8114 , H01L2224/81141 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81201 , H01L2224/81203 , H01L2224/83104 , H01L2224/83815 , H01L2225/0651 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/15311 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供层叠型半导体装置及其制造方法。实施方式的层叠型半导体装置具备：具有第1凸起电极的第1半导体芯片；具有第2凸起电极的第2半导体芯片。一边将凸起电极彼此连接，一边层叠第1及第2半导体芯片。在第1及第2半导体芯片的至少一方，设置阻挡用突起和粘接用突起。阻挡用突起与第1及第2半导体芯片的另一方以非粘接状态接触。粘接用突起与第1及第2半导体芯片粘接。
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公开(公告)号：CN102543893A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010625100.5
申请日：2010-12-17
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/81
Abstract: 一种半导体器件的制造方法。在一个实施方式中，在暂时固定焊料凸点彼此而使具有第一焊料凸点的第一基板和具有第二焊料凸点的第二基板层叠之后配置到炉内。在对炉内排气以形成减压气氛之后，导入羧酸气体。使导入羧酸气体后的炉内温度上升，并且在由羧酸气体对氧化膜的还原温度以上、并且不到焊料凸点的熔融温度的温度区域内，对炉内排气以构成减压气氛。使炉内温度上升到焊料凸点的熔融温度以上的温度区域，并使第一焊料凸点和第二焊料凸点熔融而接合。
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公开(公告)号：CN101295710A
公开(公告)日：2008-10-29
申请号：CN200810109789.9
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L24/73 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于，具备：具有电极部的基板；第1半导体元件，具有通过第1键合引线连接在所述电极部上的第1电极焊盘，并且粘接在所述基板上；以及第2半导体元件，具有通过第2键合引线连接在所述电极部上的第2电极焊盘，并且用由同一材料形成且弹性率不同的2层结构的粘接剂层粘接到所述第1半导体元件上。
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