公开(公告)号：CN105575891A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510740864.1

申请日：2015-11-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 谷田一真 ,  芦立浩明

IPC: H01L21/768

Abstract: 实施方式的半导体装置的制造方法包含以下步骤：在设于第1基板及第2基板的各表面的绝缘层的表面形成开口；向开口埋入金属；使绝缘层的表面活化；通过碳酸水对第1基板侧的开口所埋入的金属的表面进行清洗；以及将第1基板侧的绝缘层与第2基板侧的绝缘层贴合，而将第1基板侧的埋入的金属与第2基板侧的埋入的金属连接。

公开(公告)号：CN104347648A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410052699.6

申请日：2014-02-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芦立浩明

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L27/146 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明的一个实施方式的目的在于，提供一种能够降低暗电流的固体摄像装置的制造方法以及固体摄像装置。根据本发明的一个实施方式，提供一种固体摄像装置的制造方法。在固体摄像装置的制造方法中，通过在第一导电型的半导体层上矩阵状地二维排列第二导电型的半导体区域，来形成多个光电转换元件。通过以划分半导体层的方式形成俯视格子状的槽，来将光电转换元件整形为俯视矩形形状。将被整形为俯视矩形形状的光电转换元件整形为角的数量比矩形多的俯视凸多边形形状。在由绝缘膜覆盖了槽的内周面之后，在被绝缘膜覆盖的槽中设置遮光部件来形成元件分离区域。

公开(公告)号：CN105575890A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201510740559.2

申请日：2015-11-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 芦立浩明 ,  谷田一真

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明的实施方式是涉及半导体装置及半导体装置的制造方法，该半导体装置包括低黏接性膜、一对基板、及金属电极。低黏接性膜相较于半导体氧化膜而对金属的黏接性更低。一对基板隔着低黏接性膜而设置。金属电极贯通低黏接性膜而连接一对基板，且于一对基板之间具有较埋设于一对基板的部位更细的部位。埋设于一基板的金属电极的一部分在与另一基板上的低黏接性膜之间隔着空隙而设置。

公开(公告)号：CN104576671A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410532164.9

申请日：2014-10-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 江田健太郎 ,  吉野健一 ,  奥城慎太郎 ,  福水裕之 ,  南孝明 ,  用正武 ,  芦立浩明

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L27/14612 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687

Abstract: 提供一种能够抑制暗电流的发生的固体摄像装置及固体摄像装置的制造方法。根据本发明的一实施方式，提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备光电变换元件、沟槽和第1导电型的半导体区域。光电变换元件具有第1导电型的半导体层、和以矩阵状2维排列在半导体层上的第2导电型的半导体区域而形成为多个，将入射光光电变换为电荷并储存。沟槽形成在相邻的光电变换元件间，从第1导电型的半导体层的表面朝向深度方向形成。第1导电型的半导体区域以包围沟槽的外周面的方式设置，含有活性化的第1导电型的杂质。